621.039 : 541.138.2 Ш 341 Шведене, Н. В. Экстракционно-вольтамперометрическое определение катехоламинов с использованием растворителей нового класса - ионных жидкостей [Текст] / Н. В. Шведене, М. Ю. Немилова [и др.] // Вестник Московского университета. Сер. 2, Химия. - 2004. - Т. 45, N 5. - Библиогр.: с. 331-332 (31 назв. ) . - ISSN 0201-7385
Рубрики: Техника--Техническая физика Кл.слова (ненормированные): катехоламин добутамина -- катехоламин адреналина -- анодное окисление -- ультразвуковое излучение -- ионные жидкости Аннотация: Исследована экстракция катехоламинов добутамина (ДБА) и адреналина в ионные жидкости (ИЖ) - гексафторфосфат бутилметилимидазолия BMImPF[6] и трифлилимид бутилметилимидазолия BMImTf[2]N в зависимости от рН водного раствора и времени. Определено электрохимическое "окно" данных ИЖ на стеклоуглеродном, платиновом и золотом электродах. Изучено анодное окисление добутамина и адреналина в ИЖ в классическом, циклическом и дифференциально-импульсных режимах. Установлена необратимость процесса окисления исследуемых катехоламинов в ИЖ. Предельный ток окисления возрастает с ростом температуры, при использовании ультразвукового излучения для перемешивания растворов, а также при разбавлении ионной жидкости органическими растворителями с малой вязкостью. Показана возможность экстракционно- вольтамперометрического определения катехоламинов с использованием ИЖ. Доп.точки доступа: Немилова, М. Ю.; Хачатрян, К. С.; Мамонов, Н. А.; Шухаев, А. В.; Формановский, А. А.; Плетнев, И. В. |
541.1 М 601 Милешко, Л. П. Анодное окисление кремния в арсенатных электролитах на основе этиленгликоля [Текст] / Л. П. Милешко, Ю. Н. Варзарев // Физика и химия обработки материалов. - 2004. - N 6 . - ISSN 0015-3214
Рубрики: Химия--Физическая химия. Химическая физика Кл.слова (ненормированные): кремний -- анодное окисление -- окисление кремния -- арсенатные электролиты -- электролиты -- этиленгликоль -- гальваностатическое анодирование -- анодирование -- мышьяки -- анодные оксидные пленки -- оксидные пленки -- арсенат-анионы -- анионы Аннотация: Исследованы особенности кинетики гальваностатического анодирования кремния и накопление мышьяка в анодных оксидных пленках в присутствии арсенат-анионов. Зависимость концентрации As в анодных пленках кремния от содержания молекул H[3]PO[4] в электролите аппроксимируется уравнением изотермы адсорбции Ленгмюра. Доп.точки доступа: Варзарев, Ю. Н. |
539.2 А 91 Астахов, В. П. Исследование планарных фотодиодных структур на кристаллах InSb методом наведенного тока [Текст] / В. П. Астахов, М. В. Астахов, В. В. Карпов, Е. Б. Якимов // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2007. - N 1. - С. 50-54 . - ISSN 0207-3528
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): планарные фотодиодные структуры -- фотодиодные структуры -- кристаллы InSb -- метод наведенного тока -- имплантация ионов -- анодное окисление -- защита поверхности Аннотация: Методом наведенного тока исследованы многоэлементные планарные фотодиодные структуры на кристаллах InSb, полученные с применением имплантации ионов Ве{+} при формировании p{+}-n{-}-перехода и анодного окисления для защиты поверхности. Обнаружено влияние степени легирования исходных кристаллов на распределение наведенного тока по поверхности кристаллов за пределами планарных границ p{+}-n{-}-переходов. Показано, что наиболее совершенные p{+}-n{-}-переходы формируются на наиболее высокоомных кристаллах при применении наименьших из использованных энергий и доз имплантации, а также постимплантационного импульсного фотонного отжига. Произведены оценки величин диффузионной длины во всех типах изучавшихся структур. Обнаружена зависимость степени зарядки анодного оксида электронным пучком от состава электролита при анодировании. Доп.точки доступа: Астахов, М. В.; Карпов, В. В.; Якимов, Е. Б. |
539.2 А 910 Астахов, В. П. Исследование планарных фотодиодных структур на кристаллах InSb методом наведенного тока [Текст] / В. П. Астахов, М. В. Астахов, В. В. Карпов, Е. Б. Якимов // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2007. - N 1. - С. 50-54 . - ISSN 0207-3528
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): планарные фотодиодные структуры -- фотодиодные структуры -- кристаллы InSb -- метод наведенного тока -- имплантация ионов -- анодное окисление -- защита поверхности Аннотация: Методом наведенного тока исследованы многоэлементные планарные фотодиодные структуры на кристаллах InSb, полученные с применением имплантации ионов Ве{+} при формировании p{+}-n{-}-перехода и анодного окисления для защиты поверхности. Обнаружено влияние степени легирования исходных кристаллов на распределение наведенного тока по поверхности кристаллов за пределами планарных границ p{+}-n{-}-переходов. Показано, что наиболее совершенные p{+}-n{-}-переходы формируются на наиболее высокоомных кристаллах при применении наименьших из использованных энергий и доз имплантации, а также постимплантационного импульсного фотонного отжига. Произведены оценки величин диффузионной длины во всех типах изучавшихся структур. Обнаружена зависимость степени зарядки анодного оксида электронным пучком от состава электролита при анодировании. Доп.точки доступа: Астахов, М. В.; Карпов, В. В.; Якимов, Е. Б. |
541.1 К 270 Карташова, Т. В. Кинетика анодного окисления аминоуксусной и аминопропионовой кислот на платине [Текст] / Т. В. Карташова, А. В. Введенская, Е. В. Бобринская, Т. Г. Кращенко // Известия вузов. Химия и химическая технология. - 2007. - Т. 50, вып. 12. - С. 10-15. - Библиогр.: с. 15 (14 назв. ) . - ISSN 0579-2991
Рубрики: Химия Физическая химия. Химическая физика Биология Общая биохимия Кл.слова (ненормированные): процессы кинетики -- кинетика -- анодное окисление -- аминоуксусные кислоты -- аминопропионовые кислоты -- платина -- электроокисление Аннотация: Работа посвящена процессу кинетики и механизмам взаимодействия белков с электродной поверхностью - одному из наиболее важных вопросов биоэлектрокатализа. Доп.точки доступа: Введенская, А. В.; Бобринская, Е. В.; Кращенко, Т. Г. |
Кинетика анодного окисления меди в ионной жидкости - моногидрате 1-бутил-3-метилимидазолия бромида [Текст] / Е. П. Гришина [и др. ] // Журнал прикладной химии. - 2007. - Т. 80, вып: вып. 2. - С. 249-252. - Библиогр.: c. 252 (17 назв. ) . - ISSN 0044-4618
Рубрики: Химия Органическая химия Кл.слова (ненормированные): анодное окисление -- анодные процессы -- вольамперометрия -- ионные жидкости -- кинетика электроосаждения -- медь -- металлические электроды -- пленки -- хроноамперометрия -- хронопотенциометрия -- электрохимическое окисление Аннотация: Методами циклической вольтамперометрии, хронопотенциометрии и гравиметрии изучено электрохимическое окисление меди в ионной жидкости - моногидрате 1-бутил-3-метилимидазолия бромида. Доп.точки доступа: Гришина, Е. П.; Раменская, Л. М.; Владимирова, Т. В.; Пименова, А. М. |
Синтез и электрохимические приложения фторсодержащих сополимеров винилазолов для мониторинга оксида азота (II) в модельных и биосистемах [Текст] / А. В. Кашевский [и др. ] // Журнал прикладной химии. - 2007. - Т. 80, вып: вып. 2. - С. 317-322. - Библиогр.: c. 322 (23 назв. ) . - ISSN 0044-4618
Рубрики: Химия Химия полимеров Кл.слова (ненормированные): анодное окисление -- биосистемы -- винилазолы -- дофамин -- модельные системы -- мониторинг оксидов азота -- нафионовые мембраны -- оксиды азота -- пленочные покрытия -- синтез -- фторсодержащие сополимеры -- электрохимические приложения Аннотация: Исследовано влияние модификации поверхности стеклоуглеродного электрода полученными сополимерами на его электрохимическое поведение в реакциях анодного окисления дофамина и оксида азота. Показана возможность повышения селективности электрохимического датчика для мониторинга оксидов азота в биологических средах. Доп.точки доступа: Кашевский, А. В.; Мамалыга, М. А.; Петрова, Т. Л.; Сафронов, А. Ю.; Кижняев, В. Н. |
Электрохимическая деградация тетрациклина [Текст] / М. Д. Веденяпина [и др. ] // Журнал прикладной химии. - 2008. - Т. 81, вып: вып. 5. - С. 765-767. - Библиогр.: с. 767 (8 назв. ) . - ISSN 0044-4618
Рубрики: Химия Электрохимия Кл.слова (ненормированные): анодное окисление -- антибиотики -- биологическая активность -- количество электричества -- платина -- салициловая кислота -- степень конверсии -- сточные воды -- тетрациклин -- фенол -- хроматографическмй анализ -- электрохимическая деградация -- электрохимические ячейки Аннотация: Изучено окисление тетрациклина в электрохимической ячейке с разделенным катодным и анодным пространствами на гладкой платине. Доп.точки доступа: Веденяпина, М. Д.; Еремичева, Ю. Н.; Павлов, В. А.; Веденяпин, А. А. |
Килимник, А. Б. Анодное окисление аниона 2-меркаптобензтиазола в присутствии 2-метил-2-гексанола [Текст] / А. Б. Килимник, Е. Э. Дегтярева // Известия вузов. Химия и химическая технология. - 2008. - Т. 51, вып: вып. 9. - С. 48-50 : 2 рис. - Библиогр.: с. 50 (6 назв. ) . - ISSN 0579-2991
Рубрики: Химия Электрохимия Кл.слова (ненормированные): дисульфиды -- анодное окисление -- меркаптобензтиазолы -- метилгексанолы -- электрохимическое окисление Аннотация: Обсуждены результаты исследования вольтамперного поведения аниона 2-меркаптобензтиазола (2-МБТ) в присутствии 2-метил-2-гексанола. Доп.точки доступа: Дегтярева, Е. Э. |
Влияние меди на анодное окисление монолитного железного электрода в щелочных растворах [Текст] / С. В. Гуров [и др. ] // Известия вузов. Химия и химическая технология. - 2008. - Т. 51, вып: вып. 12. - С. 113-114 : 2 рис. - Библиогр.: с. 114 (4 назв. ) . - ISSN 0579-2991
Рубрики: Химия Электрохимия Кл.слова (ненормированные): анодное окисление -- окисление железа -- щелочные растворы -- влияние меди -- поверхности железного электрода Аннотация: Изучено влияние добавки меди на характеристики поверхностных пленок в растворах щелочей. Доп.точки доступа: Гуров, С. В.; Гунько, Ю. Л.; Козина, О. Л.; Михаленко, М. Г. |
Дегтярева, Е. Э. Анодное окисление аниона 2-меркаптобензтиазолата натрия в присутствии 5-метил-2-гексанола [Текст] / Е. Э. Дегтярева, А. Б. Килимник, И. А. Анкудимова // Электрохимия. - 2007. - Т. 43, N 10. - С. 1268-1270 : 4 рис. - Библиогр.: с. 1271 (5 назв. ) . - ISSN 0424-8570
Рубрики: Химия Органическая химия Кл.слова (ненормированные): анодное окисление -- анионы -- вольтамперометрия -- платиновый микроэлектрод -- процесс образования димера -- электролизеры -- сетчатые электроды Аннотация: Методом осциллографической вольтамперометрии на платиновом микроэлектроде установлено, что анион 2-меркаптобензтиазолата натрия в водно-щелочном растворе в присутствии 5-метил-2-гексанола окисляется до радикала, димеризующегося с образованием легкофильтрующейся формы ди- (2-бензтиазолил) дисульфида. Доп.точки доступа: Килимник, А. Б.; Анкудимова, И. А. |
Анодное окисление серебра в ионной жидкости- 1-бутил-3-метилимидазолия бромиде [Текст] / Е. П. Гришина // Электрохимия. - 2007. - Т. 43, N 2. - С. 247-251 : 3 рис. - Библиогр.: с. 251 (15 назв. ) . - ISSN 0424-8570
Рубрики: Химия Растворы Кл.слова (ненормированные): ионная жидкость -- 1-бутил-3-метилимидазолий бромид -- серебро -- анодное окисление Аннотация: Электрохимическое окисление серебра в ионной жидкости-1-бутил-3-метилимидазолия бромиде. Доп.точки доступа: Гришина, Е. П.; Владимирова, Т. В.; Раменская, Л. М.; Шиловский, К. С. |
Светличная, Л. А. Анодное окисление фольгированной меди на стеклотекстолите в сульфатно-хлоридном электролите [Текст] / Л. А. Светличная, Л. П. Милешко, А. Н. Королев // Электрохимия. - 2009. - Т. 45, N 7. - С. 858-861. - Библиогр.: с. 861 (8 назв. ) . - ISSN 0424-8570
Рубрики: Химическая технология Электрохимические производства Кл.слова (ненормированные): стеклотекстолиты -- пленка -- анодное окисление -- кинетика -- электролиты -- анодирование Аннотация: Исследовано влияние условий гальваностатического анодирования медной фольги на стеклотекстолите на кинетические параметры роста пленок Cu{\dn 2}O. Установлено, что зависимость толщины пленки от времени формирования при различных плотностях тока нелинейна. Доп.точки доступа: Милешко, Л. П.; Королев, А. Н. |
547 З-148 Загуменнов, В. А. Электрохимическое окисление третичных фосфинов в присутствии камфена [Текст] / В. А. Загуменнов, Н. А. Сизова, Е. В. Никитин // Журнал общей химии. - 2009. - Т. 79, вып. 7. - С. 1116-1125. - Библиогр.: с. 1124-1125 . - ISSN 0044-460X
Рубрики: Химия Органические соединения Кл.слова (ненормированные): камфен -- третичные фосфины -- фосфины -- окисление -- электроды -- платиновый электрод -- анодное окисление -- электрохимическое окисление -- стеклоуглеродный электрод -- вольтамперные характеристики -- бициклический алкен -- анодное окисление камфена Аннотация: Изучено анодное окисление третичных фосфинов в присутствии бициклического алкена (камфен) на платиновом и стеклоуглеродном электродах. Впервые получены вольтамперные характеристики процесса анодного окисления камфена. Доп.точки доступа: Сизова, Н. А.; Никитин, Е. В. |
544.6 З-148 Загуменнов, В. А. Влияние условий электролиза на процесс анодного окисления третичных фосфинов в присутствии камфена [Текст] / В. А. Загуменнов, авт. Н. А. Сизова // Журнал общей химии. - 2012. - Т. 82, вып. 8. - С. 1288-1293 : 1 рис. - Библиогр.: с. 1293 . - ISSN 0044-460X
Рубрики: Химия Электрохимия Кл.слова (ненормированные): электролиз -- анодное окисление -- третичные фосфины -- фосфины -- камфен -- ацетонитрильный раствор -- перхлорат натрия -- натрий Аннотация: Изучено анодное окисление третичных фосфинов в присутствии камфена и гетерогенного основания (тринатрийфосфат) на платиновом аноде в ацетонитрильном растворе перхлората натрия. Доп.точки доступа: Сизова, Н. А. |
661.13 К 178 Кальный, Д. Б. Об анодном растворении серебряных покрытий, полученных на неблагородных металлах [Текст] / Д. Б. Кальный, В. В. Коковкин, И. В. Миронов // Журнал прикладной химии. - 2012. - Т. 85, вып. 1. - С. 60-64. - Библиогр.: c. 64 (32 назв. ) . - ISSN 0044-4618
Рубрики: Химическая технология Электрохимические производства Кл.слова (ненормированные): анодное окисление -- неблагородные металлы -- поверхностные пленки -- серебряные покрытия -- сульфатные среды -- электролиз Аннотация: Исследовано анодное окисление серебра и ряда металлов в сульфатных средах. Доп.точки доступа: Коковкин, В. В.; Миронов, И. В. |
661.13 Э 455 Электрохимические исследования каталитических процессов химического никелирования графита 1. Окислительно-восстановительные реакции в фоновых растворах [Текст] / Н. Ю. Бейлина [и др.] // Известия вузов. Химия и химическая технология. - 2011. - Т. 54, вып. 7. - С. 79-83 : 4 рис., 1 табл. - Библиогр.: с. 83 (3 назв. ) . - ISSN 0579-2991
Рубрики: Химическая технология Электрохимические производства Кл.слова (ненормированные): электрохимические исследования -- каталитические процессы -- анодное окисление -- химическое никелирование графита -- графиты -- катодное восстановление Аннотация: Целью работы явилось выяснение влияния представленных добавок на электрохимические характеристики процесса никелирования. Доп.точки доступа: Бейлина, Н. Ю.; Юдина, Т. Ф.; Строгая, Г. М.; Шорина, И. В. |
661.13 Э 455 Электрохимические исследования каталитических процессов химического никелирования графита 2. Моделирование процесса в растворе никелирования [Текст] / Н. Ю. Бейлина [и др.] // Известия вузов. Химия и химическая технология. - 2011. - Т. 54, вып. 7. - С. 84-87 : 3 рис., 1 табл. - Библиогр.: с. 87 (3 назв. ) . - ISSN 0579-2991
Рубрики: Химическая технология Электрохимические производства Кл.слова (ненормированные): электрохимические исследования -- никелирование графита -- каталитические процессы -- анодное окисление -- химическое никелирование -- графиты -- катодное восстановление Аннотация: Объяснен механизм активирующего действия добавок на поверхность графита, в результате которого происходит процесс осаждения никеля на порошке, необработанного предварительно в растворах солей олова и палладия. Доп.точки доступа: Бейлина, Н. Ю.; Юдина, Т. Ф.; Строгая, Г. М.; Шорина, И. В. |
621.375 Т 654 Транзисторные структуры с управляемым потенциальным рельефом одномерного квантового канала [Текст] / В. И. Борисов [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2011. - Т. 37, вып. 3. - С. 85-92 : ил. - Библиогр.: с. 92 (9 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Радиоэлектроника Квантовая электроника Кл.слова (ненормированные): транзисторные структуры -- гетероструктуры -- GaAs/AlGaAs -- потенциальные рельефы -- управляемые потенциальные рельефы -- квантовые каналы -- одномерные квантовые каналы -- газы -- электронные газы -- двумерные электронные газы -- анодное окисление -- локальное анодное окисление -- метод локального анодного окисления -- микроскопы -- зондовые микроскопы -- сканирующие зондовые микроскопы -- боковые затворы -- трехсекционные боковые затворы -- измеренные зависимости -- кондактанс канала Аннотация: На основе гетероструктур GaAs/AlGaAs с двумерным электронным газом методом локального анодного окисления с помощью сканирующего зондового микроскопа созданы структуры с одномерным проводящим каналом и трехсекционными боковыми управляющими затворами. Показано, что затворы позволяют управлять продольным потенциальным профилем канала. На измеренных зависимостях кондактанса канала от напряжений на затворах наблюдались плато, в том числе не кратные 2e{2}/h, и максимумы, положение и вид которых определяются соотношением потенциалов на затворах. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2011/03/p85-92.pdf Доп.точки доступа: Борисов, В. И.; Лапин, В. Г.; Сизов, В. Е.; Темирязев, А. Г. |
621.315.592 А 724 Антонов, В. А. Анодное окисление нанометровых слоев Si в структурах кремний-на-изоляторе [Текст] / В. А. Антонов, Е. В. Спесивцев, И. Е. Тысченко // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 8. - С. 1121-1125 : ил. - Библиогр.: с. 1125 (13 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): анодное окисление -- нанометровые слои -- кремний-на-изоляторе -- КНИ -- пленки кремния -- структуры -- Si -- катионы кремния Аннотация: Исследован процесс анодного окисления слоев кремния-на-изоляторе в зависимости от толщины слоя Si в диапазоне от 5 до 500 нм. Обнаружено, что уменьшение толщины пленки отсеченного кремния до величин менее 100 нм сопровождается резким снижением скорости анодного окисления. Для пленок кремния-на-изоляторе толщиной менее или порядка 10 нм предельная толщина окисленного слоя кремния составляет 0. 4 нм. Показано, что основной причиной снижения эффективности анодного тока при окислении слоев Si нанометровой толщины является увеличение сопротивления рабочего слоя кремния, ограничивающее поток дырок в плоскости пленки и, как следствие, количество катионов кремния, поступающих к границе SiO[2]/электролит для последующего их окисления. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/08/p1121-1125.pdf Доп.точки доступа: Спесивцев, Е. В.; Тысченко, И. Е. |