621.315.592 А 195 Аверкиев, Н. С. Оптическая ориентация дырок в деформированных наноструктурах [Текст] / Н. С. Аверкиев, авт. Н. И. Саблина // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 3. - С. 316-321 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): теория оптической ориентации -- эффект Ханле -- Ханле эффект -- дырки в квантовых ямах -- спины электронов Аннотация: Представлена теория оптической ориентации и эффекта Ханле для дырок в квантовых ямах или точках на основе кубических полупроводников. Показано, что наличие внутренней или внешней деформации в квантово-размерных структурах приводит к зависимости эффекта Ханле от ориентации магнитного поля относительно оси роста гетероструктуры. Доп.точки доступа: Саблина, Н. И. |
Влияние поляризации встречных световых волн на нелинейные резонансы электромагнитно-индуцированных прозрачности и адсорбции в конфигурации Ханле [Текст] / Д. В. Бражников [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 91, вып: вып. 12. - С. 694-698
Рубрики: Физика Квантовая механика Кл.слова (ненормированные): конфигурации Ханле -- Ханле конфигурации -- эффект Ханле -- Ханле эффект -- квантовые ямы -- нелинейные резонансы -- лямбда-схемы -- трехуровневые лямбда-схемы Аннотация: Предложен поляризационный метод трансформации нелинейного резонанса электромагнитно-индуцированной прозрачности в резонанс электромагнитно-индуцированной абсорбции (и наоборот) в конфигурации Ханле в поле встречных волн. Проведены численные расчеты для переходов F[g]=2 > F[e]=1 и F[g]=2 > F[e]=3 в атоме \{87\}Rb. Также представлен качественный анализ эффекта на примере трехуровневой лямбда-схемы энергетических уровней атома. Основные выводы теории находятся в качественном согласии с данными нашего эксперимента для \{87\}Rb. Результаты могут найти применение в магнитометрии и нелинейной оптике. Доп.точки доступа: Бражников, Д. В.; Тайченачев, А. В.; Тумайкин, А. М.; Юдин, В. И.; Рябцев, И. И.; Энтин, В. М. |
Старухин, А. Н. Временная зависимость эффекта Ханле в излучении триплетных связанных экситонов в селениде галлия [Текст] / А. Н. Старухин, Д. К. Нельсон, Б. С. Разбирин // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 138, вып: вып. 4. - С. 729-737. - Библиогр.: с. 736-737 . - ISSN 0044-4510
Рубрики: Физика Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): селенид галлия -- галлий -- эффект Ханле -- Ханле эффект -- временная зависимость эффекта -- триплетные связанные экситоны -- экситоны Аннотация: Исследована временная зависимость эффекта Ханле в излучении триплетных связанных экситонов в селениде галлия. Доп.точки доступа: Нельсон, Д. К.; Разбирин, Б. С. |
530.1 Д 466 Динамика ядерной поляризации в квантовых точках InGaAs поперечном магнитном поле [Текст] / С. Ю. Вербин [и др.] // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2012. - Т. 141, вып. 4. - С. 778-789 : рис. - Библиогр.: с. 788-789 . - ISSN 0044-4510
Рубрики: Физика Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): InGaAs -- индий -- галий -- мышьяк -- магнитное поле -- динамика ядерной поляризации -- квантовые точки -- компонент ядерной поляризации -- ядерная поляризация -- продольная компонента -- поперечная компонента -- система ядерных спинов -- эффект Ханле -- Ханле эффект Аннотация: Экспериментально исследован эффект Ханле с временным разрешением для отрицательно заряженных квантовых точек InGaAs/GaAs. Доп.точки доступа: Вербин, С. Ю.; Герловин, И. Я.; Игнатьев, И. В.; Кузнецова, М. С.; Чербунин, Р. В.; Флисинский, К.; Яковлев, Д. Р.; Байер, М. |
539.2 А 655 Андреев, С. В. Оптическая ориентация частиц со случайным g-фактором в полупроводниковых наноструктурах [Текст] / С. В. Андреев, авт. А. В. Кудинов // Физика твердого тела. - 2011. - Т. 53, вып. 1. - С. 176-181. - Библиогр.: с. 180-181 (16 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): полупроводниковые наноструктуры -- наноструктуры -- эффект Ханле -- Ханле эффект -- квазидвумерные полупроводниковые наноструктуры -- оптическая ориентация Аннотация: В реальных квазидвумерных полупроводниковых наноструктурах (квантовых ямах, квантовых точках) поперечный g-фактор дырок является стохастической величиной. Этот факт необходимо учитывать при анализе оптической ориентации и эффекта Ханле на дырках. Теоретически рассматривается эффект Ханле для ансамбля частиц со " случайным" g-фактором. В случае, когда время спиновой релаксации дырки с характерной величиной g-фактора мало по сравнению с ее временем жизни, возможно сужение контура деполяризации и увеличение его амплитуды. Для противоположного случая долгих времен спиновой релаксации (трионы в квантовых точках) выведена формула, обобщающая ранее полученный результат на случай произвольного угла наклона магнитного поля к плоскости слоя (эффект Ханле в наклонном поле). Доп.точки доступа: Кудинов, А. В. |
539.2 Р 473 Решина, И. И. Магнито-оптические исследования ансамблей полумагнитных квантовых точек CdSe/ZnMnSe с модулированным легированием n-типа / И. И. Решина, С. В. Иванов // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 12. - С. 1632-1639 : ил. - Библиогр.: с. 1638-1639 (39 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): магнито-оптические исследования -- фотолюминесценция -- ФЛ -- полумагнитные квантовые точки -- квантовые точки -- КТ -- CdSe/ZnMnSe -- эффект Ханле -- Ханле эффект -- спиновая поляризация -- рекомбинация -- магнитные поля Аннотация: Проведены магнитные и поляризационные исследования фотолюминесценции и резонансного рамановского спин-флип рассеяния электронов в ансамблях самоорганизованных полумагнитных квантовых точек CdSe/ZnMnSe c модулированным легированием n-типа. В интенсивность полосы фотолюминесценции наряду с переходами трионов в синглетном состоянии вносят вклад и экситонные переходы. Как показали измерения эффекта Ханле, в нулевом магнитном поле наблюдалась отрицательная циркулярная поляризация, связанная с оптической ориентацией тяжелой дырки триона. Время жизни и время спиновой релаксации тяжелой дырки оценено как меньше либо равно3 пс и меньше либо равно1 пс соответственно. Предполагается, что столь малые времена связаны с процессом оже-рекомбинации с возбуждением внутреннего перехода в ионе Mn{2+}. Исследования интенсивности и сдвига максимума фотолюминесценции в продольном магнитном поле в двух поляризациях sigma{-}sigma{+} и sigma{-}sigma{-} свидетельствуют о сильной спиновой поляризации электронов. В условиях резонансного возбуждения наблюдалось сильное возрастание интенсивности в максимуме полосы ФЛ при поляризации возбуждения sigma{-} по сравнению с поляризацией sigma{+}. При резонансном возбуждении в поперечном магнитном поле в скрещенных линейных поляризациях наблюдался пик рамановского рассеяния на электронном спин-флип переходе, обладающий бриллюэновской зависимостью от магнитного поля. Magnetic and polarization properties of photoluminescence and resonant Raman electron spin-flip scattering of CdSe/ZnMnSe semimagnetic self-organized quantum dot ensembles with modulation n-type doping have been investigated. Both the trions in singlet states and the excitons contribute to the intensity of the photoluminescence band. Negative circular polarization was observed at zero magnetic field due to optical orientation of the trions heavy hole as was indicated by Hanle effect measurements. Life time and spin relaxation time of the heavy hole are estimated as less-than or equal to 3 and less-than or equal to 1 ps, respectively. It is assumed that such short times may be due to the process of Auger recombination involving the excitation of the intrinsic transition in the Mn{2+} ion. Intensity and shift of the photoluminescence peak in a longitudinal magnetic field under sigma{+}sigma{+} and sigma{+}sigma{-}polarizations indicate strong spin polarization of the electrons. Under resonant excitation in sigma{-} polarization a strong increase of the PL peak intensity was observed as compared with sigma{+} excitation. A Raman peak due to electron spin-flip transition with Brillouine-type dependence on the magnetic field was observed in crossed linear polarizations at resonant excitation under the inplane magnetic fields. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/12/p1632-1639.pdf Доп.точки доступа: Иванов, С. В.; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург)Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург) |