Гурин, Н. Т. Характеристики поверхностных состояний на границе раздела диэлектрик-полупроводник в тонкопленочных электролюминесцентных излучателях на основе ZnS : Mn [Текст] / Н. Т. Гурин, О. Ю. Сабитов, А. М. Афанасьев // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 1. - С. 59-68 : ил. - Библиогр.: с. 67-68 (11 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): поверхностные состояния -- ПС -- диэлектрик-полупроводник -- электролюминесцентные излучатели -- моделирование распределения плотности -- тонкопленочные электролюминесцентные излучатели -- ТП ЭЛИ -- релаксация электронов -- фазовые переходы -- экспериментальные данные Аннотация: Выполнено моделирование распределения плотности заполненных поверхностных состояний (ПС) на катодной границе раздела диэлектрик-люминофор тонкопленочных электролюминесцентных излучателей (ТП ЭЛИ) по энергии на основе экспериментальных данных. Получены зависимости указанных распределений от режима возбуждения ТП ЭЛИ. Показано, что данные распределения сдвигаются в сторону более глубоких уровней ПС при уменьшении частоты напряжения возбуждения и увеличения паузы между двумя соседними включенными состояниями ТП ЭЛИ, что соответствует каскадному механизму релаксации электронов, захваченных на ПС. Определены максимальные значения плотности заполненных ПС на катодной границе, с которой осуществляется туннелирование электронов. Доп.точки доступа: Сабитов, О. Ю.; Афанасьев, А. М. |