Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

в найденном

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Седов, В. Е.$<.>)

Общее количество найденных документов : 4
Показаны документы с 1 по 4

621.3
С 284

Седов, В. Е.
К вопросу о происхождении полосы 1 эВ в фотолюминесценции Cd[1-x]Zn[x]Te [Текст] / В. Е. Седов, О. А. Матвеев, А. И. Терентьев, Н. К. Зеленина // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, вып. 9. - С. 1051-1052 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.3

ББК 31.2
Рубрики: Энергетика
Электротехника
Кл.слова (ненормированные):
Cd[1-x]Zn[x]Te -- фотолюминесценция -- спектр фотолюминесценции
Аннотация: Исследована фотолюминесценция при 77 K образцов Cd[1-x]Zn[x]Te (x=0, 0. 005 и 0. 01), отожженных при 900. C и давлениях паров кадмия P[Cd]=3 10\{4\}-2 10\{5\} Па.

Доп.точки доступа:
Матвеев, О. А.; Терентьев, А. И.; Зеленина, Н. К.

Найти похожие

621.315.592
А 195

Аверкиев, Н. С.
Поляризационная пьезоспектроскопия фотолюминесценции квантовой ямы GaAs/Al[0. 35]Ga[0. 65]As: Be [Текст] / Н. С. Аверкиев, Ю. Л. Иванов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 3. - С. 322-326 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
одноосное давление -- квантово-размерные гетероструктуры -- рекомбинация экситонов -- фотолюминесценция
Аннотация: Фотолюминесценция квантовых ям GaAs/Al[0. 35]Ga[0. 65]As: Be исследована при T=77 и 300 K в условиях одноосного сжатия вдоль оси [110]. В спектре фотолюминесценции преобладали две полосы, которые при нулевом давлении и температуре 77 K имели максимумы, соответствующие 1. 517 и 1. 532 эВ. Сопоставление экспериментальных и теоретических зависимостей положения этих максимумов и поляризации фотолюминесценции от величины давления показало, что рассматриваемые полосы при T>= 77K обусловлены рекомбинацией свободных электронов с тяжелыми и легкими дырками в валентной зоне GaAs.

Доп.точки доступа:
Иванов, Ю. Л.; Красивичев, А. А.; Петров, П. В.; Саблина, Н. И.; Седов, В. Е.

Найти похожие

Выращивание и отжиг кристаллов CdZnTe: Cl с разным содержанием цинка для детекторов ядерного излучения [Текст] / Н. К. Зеленина [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 10. - С. 1419-1425 : ил. - Библиогр.: с. 1424-1425 (43 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
кристаллы -- CdZnTe: Cl -- выращивание кристаллов -- отжиг -- кадмий -- давление пара -- цинк -- фотолюминесценция -- ФЛ -- ядерные излучения -- детекторы ядерного излучения -- эффект Холла -- Холла эффект -- фотопроводимость -- примесная фотопроводимость -- время-пролетный метод -- дефекты -- точечные дефекты -- электрофизические свойства -- горизонтальная направленная кристаллизация -- ГНК
Аннотация: Методами фотолюминесценции, эффекта Холла, примесной фотопроводимости, время-пролетным методом исследовалось влияние давления пара кадмия (P[Cd]) при послеростовом отжиге слитков и при отжиге образцов полуизолирующих кристаллов Cd[1-x]Zn[x]Te: Cl (x=0. 005, 0. 01, 0. 05, 0. 1) на компенсацию проводимости материала, используемого для создания детекторов ядерного излучения. Показано, что управление P[Cd] приводит к изменению концентрации точечных дефектов в кристалле, которые являются ответственными за низкие транспортные характеристики материала. Установлено, что захват свободных дырок происходит на акцепторные уровни как вакансии кадмия, так и вакансии цинка. Исследование электрофизических свойств кристаллов после отжигов при разных давлениях пара кадмия показало, что при малом содержании цинка (x=0. 005 и 0. 01) определяющее действие на компенсацию проводимости в Cd[1-x]Zn[x]Te: Cl оказывают точечные дефекты кадмия, V[Cd]{-2}. Однако уже при содержании цинка x>=0. 05 необходимо учитывать влияние точечных дефектов цинка V[Zn]{-2}, и для получения таких кристаллов с лучшими транспортными характеристиками в процессе выращивания материала необходимо управлять не только давлением пара кадмия, но и давлением пара цинка. Установлена возможность управления основными электрофизическими характеристиками полуизолирующего материала с содержанием цинка x=<0. 01 для детекторов ядерных излучений, выращиваемого методом горизонтальной направленной кристаллизации, путем регулирования давления пара кадмия в процессе послеростового отжига.

Доп.точки доступа:
Зеленина, Н. К.; Карпенко, В. П.; Матвеев, О. А.; Седов, В. Е.; Терентьев, А. И.; Томасов, А. А.

Найти похожие

538.9
Р 368

Релаксационное и резонансное поглощение ультразвука ян-теллеровскими центрами в кристалле GaAs:Cu / Н. С. Аверкиев [и др.] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2012. - Т. 96, вып. 4. - С. 252-256

УДК

538.9

ББК 22.3
Рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
кристаллы -- арсенид галлия -- медь -- ян-теллеровские центры -- ультразвук -- поглощение ультразвука
Аннотация: Экспериментально исследовано взаимодействие ультразвука с комплексами Cu[Ga]4As в кристалле GaAs: Cu. Измерены температурные зависимости поглощения всех нормальных ультразвуковых мод, распространяющихся в направлении угловая скобка 110 угловая скобка, как в легированных медью, так и в номинально чистых кристаллах арсенида галлия.

Доп.точки доступа:
Аверкиев, Н. С.; Барышников, К. А.; Берсукер, И. Б.; Гудков, В. В.; Жевстовских, И. В.; Маякин, В. Ю.; Монахов, А. М.; Сарычев, М. Н.; Седов, В. Е.

Найти похожие

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)