Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

в найденном

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=кремниевые структуры<.>)

Общее количество найденных документов : 24
Показаны документы с 1 по 20

1-10 11-20 21-24

53
Г 80

Грехов, И. В.
О модели мультистримерного переключения высоковольтных кремниевых p-n-переходов за порогом зинеровского пробоя [Текст] / И. В. Грехов, авт. П. Б. Родин // Письма в журнал технической физики. - 2007. - Т. 33, N 4. - С. 87-94 . - ISSN 0320-0116

УДК

ББК 22.3
Рубрики: Физика--Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
высоковольтные диодные структуры -- диодные структуры -- кремниевые структуры -- мультистримерное переключение -- зинеровский пробой
Аннотация: Рассматривается модель мульстистримерного переключения высоковольтной диодной структуры из блокирующего в проводящее состояние. Показано, что данная модель не позволяет непротиворечиво объяснить явление сверхбыстрого переключения в проводящее состояние кремниевых структур в сильных (~1 MV/cm) электрических полях, которое наблюдалось при быстром росте обратного напряжения.

Доп.точки доступа:
Родин, П. Б.

Найти похожие

53
Г 808

Грехов, И. В.
О модели мультистримерного переключения высоковольтных кремниевых p-n-переходов за порогом зинеровского пробоя [Текст] / И. В. Грехов, авт. П. Б. Родин // Письма в журнал технической физики. - 2007. - Т. 33, N 4. - С. 87-94 . - ISSN 0320-0116

УДК

621.3
Г 152

Галашев, А. Е.
Компьютерное изучение физических свойств наноразмерных кремниевых структур [Текст] / А. Е. Галашев, И. А. Измоденов, А. Н. Новрузов, О. А. Новрузова // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, N 2. - С. 196-202 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.3

ББК 31.2
Рубрики: Энергетика--Электротехника
Кл.слова (ненормированные):
наноструктуры -- кремниевые структуры -- наночастицы кремния -- физические свойства -- нагревание -- кинетические свойства -- структурные свойства
Аннотация: Методом молекулярной динамики изучено изменение физических свойств стеклообразных и аморфных наночастиц кремния, содержащих 300, 400 и 500 атомов, при их нагревании от 300 до 1700 K. Рассчитаны энергия и средняя длина связи Si-Si, определено среднее число связей, приходящихся на один атом. Температурные напряжения приводят к изменению распределения избыточной потенциальной энергии по концентрическим слоям наночастиц. Энергетически наиболее выгодным оказывается средний сферический слой "теплой" наночастицы. Рассмотрено поведение радиальной и тангенциальной компонент коэффициента подвижности атомов в концентрических слоях с изменением температуры. Установлено наличие жидкого слоя на поверхности наночастиц в окрестности перехода к плавлению. Застеклованные наночастицы Si[n] имеют более высокую кинетическую устойчивость, чем соответствующие им по размеру аморфные частицы.

Доп.точки доступа:
Измоденов, И. А.; Новрузов, А. Н.; Новрузова, О. А.

Найти похожие

621.3
З-880

Зотеев, А. В.
Усиление комбинационного рассеяния света в щелевых кремниевых структурах [Текст] / А. В. Зотеев, Л. А. Головань [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 8. - С. 989-991 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.3

ББК 31.2
Рубрики: Энергетика--Электротехника
Кл.слова (ненормированные):
кремниевые структуры -- щелевые кремниевые структуры -- комбинационное рассеяние света -- рамановское рассеяние света
Аннотация: Обнаружен многократный рост интенсивности стоксовой компоненты рамановского рассеяния света в щелевых кремниевых структурах, состоящих из последовательности полостей (щелей) и кремниевых слоев в случае, если толщина последних (1-2 мкм) близка к длине волны возбуждающего света. Полученные результаты, интерпретируемые как проявление эффектов локализации света, свидетельствуют о перспективности подобных щелевых структур как матриц для повышения эффективности рамановского рассеяния.

Доп.точки доступа:
Головань, Л. А.; Круткова, Е. Ю.; Лактюнькин, А. В.; Мамичев, Д. А.; Кашкаров, П. К.; Тимошенко, В. Ю.; Астрова, Е. В.; Перова, Т. С.

Найти похожие

Феклисов, М. А.
Полевые зависимости проводимости разупорядоченных кремниевых структур металл-окисел-полупроводник с инверсионным p-каналом [Текст] / М. А. Феклисов // Радиотехника и электроника. - 2006. - Т. 51, N 2. - С. 252-256. - Библиогр.: с. 256 (14 назв. ) . - ISSN 0033-8494

УДК

^a621.37/.39

ББК 32
Рубрики: Радиоэлектроника
Общие вопросы радиоэлектроники
Кл.слова (ненормированные):
кремниевые структуры -- квантовые контакты -- энергетические параметры -- полупроводниковые системы
Аннотация: Развита экспериментальная методика изучения и анализа проводимости G инверсионного канала структур металл-окисел-полупроводник (МОП) в зависимости от поперечного V[g] (эффект поля) и продольного V[d] напряжений. На примере мезоскопических Si-МОП структур с инверсионным p-каналом и повышенной концентрацией встроенных зарядов при 77 К. Определены эффективные энергетические параметры квантовых контактов, образуемых в перевальных областях флуктуационного потенциала. Достигнутая точность экспериментов позволяет применять регуляризирующие алгоритмы в целях учета влияния конечной температуры.

Найти похожие

Емельянов, А. М.
Модуляция мощности краевой фотолюминесценции монокристаллического кремния изменением напряжения на p-n-переходе [Текст] / А. М. Емельянов // Письма в "Журнал технической физики". - 2009. - Т. 35, вып: вып. 18. - С. 80-86 : ил. - Библиогр.: с. 86 (12 назв. ) . - ISSN 0320-0116

УДК

^a539.21:535

^a535.37

ББК 22.374 + 22.345
Рубрики: Физика
Оптические свойства твердых тел
Люминесценция
Кл.слова (ненормированные):
кремниевые структуры -- фотолюминесценция -- краевая фотолюминесценция -- квазистационарная фотолюминесценция -- краевая квазистационарная фотолюминесценция -- модуляция мощности -- кремний -- Si -- монокристаллический кремний -- изменение напряжения -- p-n-переходы -- электронно-дырочные переходы -- солнечные элементы -- комнатная температура -- мощность -- квантовая эффективность -- лазеры -- импульсные излучения -- длины волн -- постоянный прямой ток -- пороговая мощность -- возбуждение фотолюминесценции -- обратное напряжение
Аннотация: Для кремниевой структуры, полученной из высокоэффективного солнечного элемента, при комнатной температуре исследованы зависимости мощности и квантовой эффективности краевой квазистационарной фотолюминесценции (ФЛ) от мощности импульсного излучения лазера на длине волны 658 nm. Варьировались величины постоянного прямого тока или обратного напряжения на p-n-переходе. При пропускании постоянного прямого тока обнаружено значительное увеличение мощности и квантовой эффективности квазистационарной ФЛ, а также уменьшение пороговой мощности возбуждения ФЛ. Приложение обратного напряжения вызывало противоположные эффекты. Рассмотрены возможные физические причины наблюдаемых явлений.

Найти похожие

Филатов, А. Л.
Метод учета влияния нелинейности фоторефрактивного эффекта от мощности излучения накачки на изменение электронных и термических параметров кремниевых структур [Текст] / А. Л. Филатов, А. В. Луговский // Радиотехника и электроника. - 2009. - Т. 54, N 5. - С. 611-616. - Библиогр.: с. 616 (9 назв. ) . - ISSN 0033-8494

УДК

^a621.37/.39

ББК 32
Рубрики: Радиоэлектроника
Радиоэлектроника в целом
Кл.слова (ненормированные):
фоторефрактивные эффекты -- кремниевые структуры -- полупроводники
Аннотация: Исследован нелинейный по мощности излучения накачки фоторефрактивный эффект. Проанализированы физические явления, которые приводят к возникновению такой нелинейности. Рассмотрены особенности определения транспортных электронных параметров полупроводников в случае нелинейного фоторефрактивного эффекта.

Доп.точки доступа:
Луговский, А. В.

Найти похожие

Олих, О. Я.
Изменение активности рекомбинационных центров в кремниевых p-n-структурах в условиях акустического нагружения [Текст] / О. Я. Олих // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 6. - С. 774-779 : ил. - Библиогр.: с. 779 (21 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
p-n структуры -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- кремниевые структуры -- ультразвук -- УЗ -- акустические нагружения -- ультразвуковые нагружения
Аннотация: Используя метод дифференциальных коэффициентов вольт-амперных характеристик, исследованы глубокие уровни в Cz-Si p-n-структурах в условиях ультразвукового нагружения (продольные волны частотой 4-26 МГц и интенсивностью до 0. 6 Вт/см{2}). Выявлены уровни с термической энергией активации 0. 44, 0. 40, 0. 37, 0. 48 и 0. 46 эВ. Предполагается, что эти уровни связаны с E-центром, бистабильным комплексом B[s]O[2i], а также межузельными атомами, захваченными дислокационными петлями, соответственно. Установлено, что ультразвук индуцирует увеличение вклада в рекомбинационные процессы более мелких уровней и уменьшение энергии активации дефектов. Проанализирована возможность акустоиндуцированной обратимой перестройки конфигурации комплекса B[s]O[2i].

Найти похожие

Электрические и люминесцентные свойства кремниевых диодных светоизлучающих структур p{+}/n{+}/n-Si: Er туннельно-пролетного типа [Текст] / В. Б. Шмагин [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып: вып. 11. - С. 1533-1538 : ил. - Библиогр.: с. 1538 (17 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
люминесценция -- электролюминесценция -- ЭЛ -- редкоземельные ионы -- РЗ ионы -- электрические свойства -- люминесцентные свойства -- светоизлучающие структуры -- диодные структуры -- кремниевые структуры -- возбуждение ионов эрбия -- ионы эрбия -- туннельно-пролетные светодиоды -- светодиоды -- квантовая эффективность -- мощность излучения -- p-n переходы -- экспериментальные исследования
Аннотация: Представлены результаты экспериментальных исследований электрофизических и люминесцентных свойств кремниевых диодных светоизлучающих структур p{+}/n{+}/n-Si: Er туннельно-пролетного типа, излучающих при обратном смещении в режиме пробоя p{+}/n{+}-перехода. Определены мощность, излучаемая в диапазоне lambda~1. 5 мкм (~5 мкВт), внешняя квантовая эффективность (~10{-5}) и эффективность возбуждения ионов эрбия (~2 x 10{-20} см{2}с) при комнатной температуре. Показано, что при одной и той же эффективности возбуждения туннельно-пролетные светодиоды превосходят диодные структуры типа p{+}/n-Si: Er по мощности излучения. Проведено сопоставление экспериментальных результатов с модельными представлениями о работе туннельно-пролетного светодиода. Обсуждаются факторы, ограничивающие интенсивность электролюминесценции и эффективность ударного возбуждения ионов эрбия в структурах данного типа.

Доп.точки доступа:
Шмагин, В. Б.; Кузнецов, В. П.; Кудрявцев, К. Е.; Оболенский, С. В.; Козлов, В. А.; Красильник, З. Ф.

Найти похожие

10.

621.382
Г 808

Грехов, И. В.
Запуск сверхбыстрых фронтов ионизации в кремниевых диодных структурах термополевой эмиссией электронов с глубоких центров [Текст] / И. В. Грехов, авт. П. Б. Родин // Письма в "Журнал технической физики". - 2011. - Т. 37, вып. 18. - С. 17-25 : ил. - Библиогр.: с. 24-25 (17 назв. ) . - ISSN 0320-0116

УДК

621.382^V3

ББК 32.852
Рубрики: Радиоэлектроника
Полупроводниковые приборы
Кл.слова (ненормированные):
диодные структуры -- кремниевые диодные структуры -- ударная ионизация -- фронты ионизации -- сверхбыстрые фронты -- распространение фронтов -- электроны -- эмиссия электронов -- термополевая эмиссия -- численное моделирование -- кремниевые структуры -- высоковольтные кремниевые структуры -- термополевая ионизация -- электрические поля -- сильные поля -- сильные электрические поля
Аннотация: Проведено численное моделирование запуска и распространения сверхбыстрых фронтов ударной ионизации в высоковольтных кремниевых p{+}-n-n{+}-структурах. Моделирование подтверждает гипотезу о том, что термополевая ионизация глубоких центров в сильном электрическом поле может служить механизмом, ответственным за запуск сверхбыстрого фронта.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2011/18/p17-25.pdf

Доп.точки доступа:
Родин, П. Б.

Найти похожие

11.

621.373/.374
П 272

Переходные характеристики реверсивно-включаемых динисторов в субмикросекундном диапазоне [Текст] / А. В. Горбатюк [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 8. - С. 81-88 : ил. - Библиогр.: с. 87-88 (9 назв.) . - ISSN 0320-0116

УДК

621.373/.374^V3

621.382^V3

ББК 32.847 + 32.852
Рубрики: Радиоэлектроника
Импульсные устройства
Полупроводниковые приборы
Кл.слова (ненормированные):
динисторы -- реверсивно-включаемые динисторы -- РВД -- переходные характеристики -- выходные характеристики -- инжекционные процессы -- переходные процессы -- численное моделирование -- субмикросекундные диапазоны -- токи -- напряжения -- кремниевые структуры -- внешние цепи -- импульсы тока -- рабочие импульсы -- амплитуды
Аннотация: Выполнено численное моделирование переходных инжекционных процессов в реверсивно-включаемых динисторах (РВД) при работе в субмикросекундном диапазоне и рассчитаны их выходные характеристики тока и напряжения. Показано, что при надлежащем выборе параметров кремниевой структуры и внешних цепей на основе РВД можно коммутировать рабочие импульсы тока амплитудой в единицы и десятки kA/cm{2} при полной длительности в сотни наносекунд и фронтах нарастания от 50 до 100 ns. При этом напряжение уже через 15-20 ns снижается относительно начальной величины на порядок, а за время фронта оно приближается к установившемуся значению 10-25 V.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/08/p81-88.pdf

Доп.точки доступа:
Горбатюк, А. В.; Иванов, Б. В.; Панайотти, И. Е.; Серков, Ф. Б.

Найти похожие

12.

539.21:537
М 916

Мусаев, А. М.
Особенности изменения электрических параметров кремниевых p-n-структур, облученных электронами при высоких температурах [Текст] / А. М. Мусаев // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 19. - С. 75-82 : ил. - Библиогр.: с. 82 (7 назв.) . - ISSN 0320-0116

УДК

539.21:537

537.311.33

ББК 22.373 + 22.379
Рубрики: Физика
Электрические и магнитные свойства твердых тел
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
кремниевые структуры -- диффузионные структуры -- электрофизические характеристики -- основные характеристики -- электрические параметры -- изменение параметров -- особенности -- электроны -- электронное облучение -- высокие температуры -- температурные режимы -- кристаллы -- интегральная интенсивность -- радиационные дефекты -- образование дефектов -- параметры образования
Аннотация: Исследовано влияние температурного режима электронного облучения с энергией 4 MeV на изменение основных электрофизических характеристик диффузионных кремниевых p{+}-n-n{+}-структур. Показано, что температура кристалла и интегральная интенсивность при облучении существенно влияют на параметры образования радиационных дефектов и на характер их распределения в различных областях кремниевых p{+}-n-n{+}-структур.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/19/p75-82.pdf

Найти похожие

13.

538.9
Л 947

Люминесцентные свойства полупроводниковых композитных систем, состоящих из молекул трифталоцианина эрбия и щелевой кремниевой структуры, в ближней ИК-области [Текст] / И. А. Белогорохов [и др.] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 92, вып. 10. - С. 746-750

УДК

538.9

ББК 22.3
Рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
полупроводники -- органические полупроводники -- композитные системы -- трифталоцианин эрбия -- щелевые кремниевые структуры -- кремниевые структуры -- фотолюминесценция
Аннотация: Получены спектры фотолюминесценции органических полупроводников на основе моно-, бис- и трифталоцианина, содержащих эрбий в качестве комплексообразователя, в диапазоне мкм. Сравнение спектральных характеристик показало, что трифталоцианин эрбия имеет самый высокий квантовый выход фотолюминесценции на длине волны 1. 5 мкм. Для усиления эффекта были синтезированы композитные материалы на основе трифталоцианина эрбия и щелевой кремниевой структуры, в которых наблюдался дополнительный рост сигнала фотолюминесценции в области 1, 14 мкм. В то же время, в области длин волн вблизи 1. 5 мкм сигнал фотолюминесценции отсутствовал, что можно объяснить, принимая во внимание взаимодействие молекул трифталоцианина эрбия с центрами адсорбции кремниевой матрицы.

Доп.точки доступа:
Белогорохов, И. А.; Мамичев, Д. А.; Пушкарев, В. Е.; Томилова, Л. Г.; Хохлов, Д. Р.

Найти похожие

14.

539.2
М 806

Морфология, электронная структура и оптические свойства самоформирующихся кремниевых наноструктур на поверхности высокоориентированного пиролитического графита [Текст] / А. В. Нежданов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 1. - С. 57-61 : ил. - Библиогр.: с. 61 (16 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

539.2^V3

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
морфология (физика) -- электронная структура -- оптические свойства -- кремниевые структуры -- высокоориентированный пиролитический графит -- ВОПГ -- поверхность графита -- электронно-лучевое испарение -- ЭЛИ -- метод электронно-лучевового испарения -- кремний -- пленки кремния -- подложки -- кластеры -- монослои -- МС
Аннотация: Приведены результаты исследования морфологии, электронной структуры и оптических свойств самоформирующихся кремниевых наноструктур на поверхности высокоориентированного пиролитического графита, полученных методом электронно-лучевого испарения в условиях высокого вакуума. Обнаружено, что при толщинах порядка одного монослоя атомная структура слоя схожа со структурой графена с межатомными расстояниями ~2. 4 Angstrem. При толщинах пленки кремния более одного монослоя на поверхности подложки формируются кластеры с размерами порядка 5 нм.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/01/p57-61.pdf

Доп.точки доступа:
Нежданов, А. В.; Филатов, Д. О.; Антонов, Д. А.; Зубков, С. Ю.; Машин, А. И.; Ершов, А. В.

Найти похожие

15.

621.315.592
О-110

О природе электролюминесценции в режиме пробоя при обратном смещении на длине волны 1. 5 мкм для легированных эрбием кремниевых структур с p-n-переходом, полученных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии [Текст] / А. В. Корнаухов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 1. - С. 87-92 : ил. - Библиогр.: с. 91-92 (15 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592^V3

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
электролюминесценция -- ЭЛ -- сублимационная молекулярно-лучевая эпитаксия -- СМЛЭ -- метод сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии -- p-n переходы -- длина волны -- туннельно-пролетные структуры -- ТП структуры -- кремниевые структуры -- область пространственного заряда -- ОПЗ -- легирование эрбием -- эрбий -- излучательные переходы -- энергетические уровни -- рекомбинационные процессы -- электроны -- туннелирование -- экспериментальные исследования
Аннотация: В выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии структурах Si/Si: Er/Si с p-n-переходом при обратном напряжении смещения в режиме пробоя экспериментально исследованы особенности электролюминесценции в диапазоне длин волн 0. 9-1. 65 мкм. В соответствии с результатами исследований предложена новая физическая модель, в которой возбуждение излучательных переходов в ближнем инфракрасном диапазоне обеспечивается рекомбинационными процессами для электронов, поступающих на соответствующие энергетические уровни в слое Si: Er за счет их туннелирования из валентной зоны p{+}-слоя в электрическом поле обратно смещенного p-n-перехода. Предлагаемая модель качественно согласуется с основными известными результатами экспериментальных исследований.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/01/p87-92.pdf

Доп.точки доступа:
Корнаухов, А. В.; Ежевский, А. А.; Марычев, М. О.; Филатов, Д. О.; Шенгуров, В. Г.

Найти похожие

16.

535.37
Е 601

Емельянов, А. М.
Краевая фотолюминесценция монокристаллического кремния с p-n-переходом: структуры, изготовленные с использованием технологии высокоэффективных солнечных элементов [Текст] / А. М. Емельянов // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 6. - С. 823-828 : ил. - Библиогр.: с. 828 (20 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

535.37^V3

ББК 22.345
Рубрики: Физика
Люминесценция
Кл.слова (ненормированные):
фотолюминесценция -- краевая фотолюминесценция -- монокристаллический кремний -- p-n переходы -- солнечные элементы -- СЭ -- ФЛ -- лазерное излучение -- длина волны -- кремниевые структуры -- носители заряда -- время жизни заряда -- рекомбинации Шокли - Рида - Холла -- Шокли - Рида - Холла рекомбинации
Аннотация: При различных напряжениях, прикладываемых к p-n-переходу, исследованы кинетика и закономерности краевой фотолюминесценции кремниевой структуры, полученной с использованием технологии высокоэффективных солнечных элементов. Впервые показано, что проявление эффекта модуляции мощности краевой фотолюминесценции путем приложения постоянного напряжения к p-n-переходу качественно аналогично при возбуждении фотолюминесценции лазерным излучением с длинами волн 658 нм и 0. 98 мкм. Показана возможность модуляции мощности краевой фотолюминесценции путем изменения величины сопротивления, шунтирующего p-n-переход. В отсутствие напряжения наблюдалось значительное превышение постоянной времени роста интенсивности фотолюминесценции над постоянной времени ее спада. Но по мере увеличения постоянного прямого тока величина постоянной времени спада приближалась к величине постоянной времени роста. Для объяснения результатов развиты представления о наличии в структуре, кроме обычной рекомбинации Шокли-Рида-Холла, второго, более эффективного и способного насыщаться канала рекомбинации. Результаты работы расширяют функциональные возможности люминесцентного метода для определения эффективных времен жизни носителей заряда.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/06/p823-828.pdf

Найти похожие

17.

537.311.33
А 640

Анализ особенностей электролюминесценции кремниевых МДП-структур как средство диагностики инжекционных свойств диэлектрического слоя / Ю. Ю. Илларионов [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2013. - Т. 39, вып. 19. - С. 76-85 : ил. - Библиогр.: с. 84-85 (14 назв.) . - ISSN 0320-0116

УДК

537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
кремниевые структуры -- электролюминесценция -- диэлектрические слои -- диагностирование -- кремний -- электроны -- энергия электронов -- инжекционные свойства -- микроэлектронные приборы
Аннотация: Предлагается методика диагностики инжекционных свойств тонких диэлектрических слоев, основанная на анализе данных по электролюминесценции кремния в МДП-структуре. На примере образцов с CaF[2] и HfO[2]/SiO[2] демонстрируется возможность применения методики для контроля энергии инжекции электронов, в том числе в случае недостаточно хорошо известных параметров барьеров. Полученные результаты важны для применения исследуемых диэлектриков в приборах микроэлектроники.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2013/19/p76-85.pdf

Доп.точки доступа:
Илларионов, Ю. Ю.; Векслер, М. И.; Isakov, D.; Федоров, В. В.; Yew Kwang Sing

Найти похожие

18.

539.2
В 932

Высокая влагочувствительность элемента на основе пучка углеродных нанотрубок / С. В. Булярский [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2013. - Т. 39, вып. 20. - С. 1-6 : ил. - Библиогр.: с. 6 (11 назв.) . - ISSN 0320-0116

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
углеродные нанотрубки -- влагочувствительность -- плазмохимические процессы -- низкотемпературные технологии -- кремниевые структуры -- носители заряда -- проводимость -- вода -- адсорбция
Аннотация: Представлены результаты разработки и исследования влагочувствительных элементов на основе пучка углеродных нанотрубок. Показано, что массивы нанотрубок, выращенные низкотемпературным плазмохимическим методом на планарных кремниевых структурах, обладают рекордной чувствительностью к влаге. Отношение сопротивлений структуры в сухом и влажном состоянии превышает 10{5} раз. Такое высокое относительное изменение сопротивлений обусловлено характером изменения проводимости носителей заряда между отдельными трубками пучка при адсорбции молекул воды.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2013/20/p1-6.pdf

Доп.точки доступа:
Булярский, С. В.; Басаев, А. С.; Гальперин, А. В.; Ермаков, М. С.; Павлов, А. А.; Шаман, Ю. П.

Найти похожие

19.

539.2
Н 613

Низкотемпературное выращивание эпитаксиальных слоев кремния, солегированных атомами эрбия и кислорода / Д. В. Шенгуров [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 3. - С. 410-413 : ил. - Библиогр.: с. 413 (12 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
эпитаксиальные слои -- кремний -- Si-структуры -- кремниевые структуры -- светоизлучающие структуры -- легирование -- эрбий -- кислород -- метод молекулярно-лучевой эпитаксии -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- МЛЭ -- Er -- парциальное давление -- газы -- фотолюминесценция -- ФЛ -- кремниевые сублимационные источники -- электролюминесценция -- отжиг -- атомы -- активные центры -- низкотемпературное выращивание
Аннотация: Продемонстрированы технология и свойства светоизлучающих легированных эрбием и кислородом Si-структур. Слои были осаждены методом молекулярно-лучевой эпитаксии на (100) Si, используя кремниевый сублимационный источник, легированный Er. Перед ростом слоев парциальное давление кислородсодержащих газов в камере роста установки молекулярно-лучевой эпитаксии было меньше 5 x 10{-10} Торр. Концентрация кислорода в слоях Si, выращенных при 450 °C, была ~ 1 x 10{19} см{-3}, а эрбия - 10{18} см{-3}. Эпитаксиальные слои кремния, солегированные эрбием и кислородом, имели хорошее кристаллическое качество, демонстрируя эффективный сигнал фото- и электролюминесценции с преобладанием в спектрах оптически активного центра Er-1, формируемого в процессе послеростового отжига при температуре 800 °C.
In this paper we demonstrate a technology and properties of Si structures doped with erbium and oxygen. The layers were deposited by molecular beam epitaxy (MBE) on (100) Si using a silicon sublimation source doped with Er. Before layers were grown the partial pressure of oxygencontaining gases in working volume of MBE system was less then 5 x 10{-10} Torr. The oxygen concentration in Si films grown at 450 °C was ~ 10{19} cm{-3}, erbium - 1 x 10{18} cm{-3}. Epitaxial Si layers codoped with erbium and oxygen had a good crystalline quality, and demonstrated effective photo- and electroluminescence signals with the dominance in the spectra of the optically activeEr-1 center being formed during the annealing procedure at 800 °С.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/03/p410-413.pdf

Доп.точки доступа:
Шенгуров, Д. В.; Чалков, В. Ю.; Денисов, С. А.; Степихова, М. В.; Дроздов, М. Н.; Красильник, З. Ф.; Шенгуров, В. Г.

Найти похожие

20.

539.19
Д 754

Дроздов, М. Н.
Сегрегация сурьмы в напряженных SiGe-гетероструктурах, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии / М. Н. Дроздов, А. В. Новиков, Д. В. Юрасов // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 11. - С. 1493-1496 : ил. - Библиогр.: с. 1496 (9 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

539.19

621.315.592

ББК 22.36 + 31.233
Рубрики: Физика
   Молекулярная физика в целом
   Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
SiGe-структуры -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- метод молекулярно-пучковой эпитаксии -- МПЭ -- сурьма -- Sb -- упругие напряжения -- селективное легирование -- метод селективного легирования -- кремниевые структуры -- компонентный состав -- сегрегация сурьмы
Аннотация: Для напряженных SiGe-структур, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии, экспериментально исследовано влияние на сегрегацию сурьмы температуры роста, компонентного состава и упругих напряжений отдельных слоев. Установлено, что условия роста и параметры структуры оказывают взаимосвязанное воздействие на сегрегацию Sb: степень влияния состава и упругих напряжений SiGe-слоев на сегрегацию Sb зависит от температуры роста. Показано, что использование ранее предложенного авторами метода селективного легирования кремниевых структур с учетом полученных зависимостей сегрегации Sb от условий роста и параметров SiGe-слоев позволяет формировать селективно-легированные сурьмой SiGe-структуры.
Dependences of antimony segregation in strained SiGe structures grown by molecular beam epitaxy on temperature, composition and elastic strains are investigated. It is shown that impacts of growth conditions and parameters of the structure are interrelated: degree of influence of composition and strain on Sb segregation depends on growth temperature. It is demonstrated that application of the selective doping technique of Si that was proposed by authors earlier taking into account obtained dependences of Sb segregation on growth conditions and parameters of SiGe layers allows formation of selectively doped SiGe structures.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/11/p1493-1496.pdf

Доп.точки доступа:
Новиков, А. В.; Юрасов, Д. В.; Институт физики микроструктур Российской академии наук (Нижний Новгород); Институт физики микроструктур Российской академии наук (Нижний Новгород)Институт физики микроструктур Российской академии наук (Нижний Новгород); Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского (Нижний Новгород); Нанофизика и Наноэлектроника, симпозиум (2013 ; Нижний Новгород)

Найти похожие

1-10 11-20 21-24

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)