Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Электронный каталог (10)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Мусаев, А. М.$<.>)

Общее количество найденных документов : 6
Показаны документы с 1 по 6

Мусаев, А. М.
Увеличение заселенности долгоживущих возбужденных примесных состояний кремния в электрическом поле [Текст] / А. М. Мусаев // Письма в Журнал технической физики. - 2007. - Т. 33, вып: вып. 22. - С. 87-94 . - ISSN 0320-0116

УДК

^a537

ББК 22.33
Рубрики: Физика
Электричество и магнетизм в целом
Кл.слова (ненормированные):
возбужденные уровни -- инверсная заселенность -- кремний -- электрическое поле -- горячие электроны
Аннотация: Исследована кинетика терагерцового излучения кремния n-типа в сильных электрических полях и при одноосной деформации кристалла при 4. 2 K. Обнаружено усиление интенсивности терагерцового излучения, связанное с увеличением заселенности долгоживущих возбужденных состояний примесных атомов в электрическом поле. Показано, что увеличение заселенности возбужденных состояний обусловлено комбинационным механизмом захвата горячих электронов.

Найти похожие

Мусаев, А. М.
Автосолитоны в бистабильной системе кремния с глубокими примесными уровнями [Текст] / А. М. Мусаев // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып: вып. 10. - С. 1168-1171

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
бистабильные системы -- кремний -- примесные уровни -- автосолитоны
Аннотация: Экспериментально обнаружены и исследованы автосолитоны в бистабильной системе кремния, связанные с термополевой ионизацией глубоких акцепторных уровней индия при температуре 77 K. Показано, что в рассмотренной модели автосолитонов положительная обратная связь по активатору связана с возрастающей зависимостью температуры решетки с ростом концентрации дырок, а демпфирующая роль ингибитора связана с уменьшением температуры носителей заряда при их рассеянии на фононах, что приводит к уменьшению мощности потерь и к ограничению температуры решетки в областях автосолитона.

Найти похожие

539.21:537
М 916

Мусаев, А. М.
Особенности изменения электрических параметров кремниевых p-n-структур, облученных электронами при высоких температурах [Текст] / А. М. Мусаев // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 19. - С. 75-82 : ил. - Библиогр.: с. 82 (7 назв.) . - ISSN 0320-0116

УДК

539.21:537

537.311.33

ББК 22.373 + 22.379
Рубрики: Физика
Электрические и магнитные свойства твердых тел
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
кремниевые структуры -- диффузионные структуры -- электрофизические характеристики -- основные характеристики -- электрические параметры -- изменение параметров -- особенности -- электроны -- электронное облучение -- высокие температуры -- температурные режимы -- кристаллы -- интегральная интенсивность -- радиационные дефекты -- образование дефектов -- параметры образования
Аннотация: Исследовано влияние температурного режима электронного облучения с энергией 4 MeV на изменение основных электрофизических характеристик диффузионных кремниевых p{+}-n-n{+}-структур. Показано, что температура кристалла и интегральная интенсивность при облучении существенно влияют на параметры образования радиационных дефектов и на характер их распределения в различных областях кремниевых p{+}-n-n{+}-структур.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/19/p75-82.pdf

Найти похожие

621.315.592
Э 455

Электрофизические свойства оксида цинка при всестороннем давлении до 25 ГПа [Текст] / М. И. Даунов [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 7. - С. 1053-1055. - Библиогр.: c. 1055 (14 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
гидростатистическое давление -- квазигидростатическое давление -- кинетические коэффициенты -- коэффициент Холла -- монокристаллы n-ZnO -- оксид цинка -- полиморфные переходы -- полупроводники -- Холла коэффициент -- электросопротивление -- энергия ионизации
Аннотация: Измерены зависимости коэффициента Холла R[H] (P) и электросопротивления ро (P) от гидростатистического давления до 8 ГПа и от квазигидростатического давления до 25 ГПа при Т=300 К в объемных кристаллах n-ZnO.

Доп.точки доступа:
Даунов, М. И.; Гаджиалиев, М. М.; Мусаев, А. М.; Хохлачев, П. П.

Найти похожие

539.2
О-110

О статистически распределенных неоднородностях по данным о поперечном магнетосопротивлении при атмосферном и всестороннем давлении в узкозонных полупроводниках n-InSb и n-CdSnAs[2] / М. М. Гаджиалиев [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 7. - С. 865-867 : ил. - Библиогр.: с. 867 (10 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

539.2

621.315.592

ББК 22.37 + 31.233
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
   Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
магнетосопротивление -- атмосферное давление -- всестороннее давление -- узкозонные полупроводники -- коэффициент Холла -- Холла коэффициент -- легирование -- магнитные поля
Аннотация: Проведен анализ экспериментальных барических при всестороннем давлении до 12 кбар и магнитополевых до 15 кЭ зависимостей удельного сопротивления, коэффициента Холла и поперечного магнетосопротивления при 77 K в макроскопически однородных объемных сильно легированных и сильно вырожденных кристаллах n-InSb и n-CdSnAs[2]. Установлено, что поперечное магнетосопротивление в исследованных полупроводниках как в области слабых, так и в области классически сильных магнитных полей определяется статистически распределенными неоднородностями.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/07/p865-867.pdf

Доп.точки доступа:
Гаджиалиев, М. М.; Даунов, М. И.; Камилов, И. К.; Мусаев, А. М.; Институт физики им. Х. И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН (Махачкала); Институт физики им. Х. И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН (Махачкала); Институт физики им. Х. И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН (Махачкала); Институт физики им. Х. И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН (Махачкала)

Найти похожие

539.21:537
М 916

Мусаев, А. М.
Термоэлектрический эффект в n-Ge, обусловленный термоупругодеформационным механизмом / А. М. Мусаев // Письма в "Журнал технической физики". - 2014. - Т. 40, вып. 20. - С. 69-75 : ил. - Библиогр.: с. 75 (10 назв.) . - ISSN 0320-0116

УДК

539.21:537

ББК 22.373
Рубрики: Физика
Электрические и магнитные свойства твердых тел
Кл.слова (ненормированные):
термоэлектрические эффекты -- термоупругодеформационные механизмы -- физические механизмы -- термоэдс -- термоэдс Зеебека -- Зеебека термоэдс -- носители заряда -- энергетические экстремумы -- термоупругая деформация -- кристаллы -- n-Ge
Аннотация: Рассмотрен новый физический механизм возникновения аномального термоэдс в n-Ge, который имеет знак, обратный знаку термоэдс Зеебека. Показано, что аномальный термоэлектрический эффект связан с перераспределением носителей заряда в энергетических экстремумах зон при термоупругой деформации кристалла.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2014/20/p69-75.pdf

Доп.точки доступа:
Институт физики им. Х. И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН (Махачкала)

Найти похожие

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)