Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Электронный каталог (8)

Труды ОмГУ (1)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Емельянов, А. М.$<.>)

Общее количество найденных документов : 23
Показаны документы с 1 по 20

1-10 11-20 21-23

338.46
Е 601

Емельянов, А. М.
Структурные сдвиги в продовольственной сфере и качество жизни населения [Текст] / А. М. Емельянов // Вестник Московского университета. Сер. 6, Экономика. - 2004. - N 4. - 7 табл. . - ISSN 0201-7385

УДК

338.46

ББК 65.49
Рубрики: Экономика--Экономика непроизводственной сферы
Кл.слова (ненормированные):
21 в. нач. -- качество жизни -- продовольствие -- потребление продуктов -- продукты питания -- покупательная способность -- подсобные хозяйства -- уровень жизни
Аннотация: Необходима коренная периориентация экономической и аграрной политики, которая поможет качественно улучшить продовольственное обеспечение населения, особенно его малоимущих слоев.

Найти похожие

539.2
С 54

Соболев, Н. А.
Светоизлучающие структуры Si: Er, полученные методом молекулярно-лучевой эпитаксии: влияние условий эпитаксиального роста на концентрацию примесей и фотолюминесценцию [] / Н. А. Соболев, Д. В. Денисов [и др.] // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 1. - С. 108-111. - Библиогр.: с. 111 (9 назв. ). - Влияние условий эпитаксиального роста на концентрацию примесей и фотолюминесценцию . - ISSN 0367-3294

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
имплантация; ионная имплантация; концетрации; кремний; легирование; молекулярно-лучевая эпитаксия; нанофотоника; примеси; светоизлучающие структуры; структуры; фотолюминесценция; эпитаксиальный рост; эпитаксия; эрбий
Аннотация: Исследована технология и свойства светоизлучающих структур на основе легированных эрбием в процессе молекулярно-лучевого эпитаксиального роста слоев кремния.

Доп.точки доступа:
Денисов, Д. В.; Емельянов, А. М.; Шек, Е. И.; Бер, Б. Я.; Коварский, А. П.; Сахаров, В. И.; Серенков, И. Т.; Устинов, В. М.; Цырлин, Г. Э.; Котерева, Т. В.

Найти похожие

539.2
С 54

Соболев, Н. А.
Светоизлучающие структуры Si: Er, полученные методом молекулярно-лучевой эпитаксии: влияние имплантации и отжига на люминесцентные свойства [] / Н. А. Соболев, Д. В. Денисов [и др.] // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 1. - С. 112-115. - Библиогр.: с. 114-115 (8 назв. ). - Влияние имплантации и отжига на люминесцентные свойства . - ISSN 0367-3294

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
имплантация; кремний; люминесцентные свойства; молекулярно-лучевая эпитаксия; монокристаллические слои; нанофотоника; отжиг; светоизлучающие структуры; слои; структуры; фотолюминесценция; электролюминесценция; эпитаксия; эрбий
Аннотация: Исследованы некоторые особенности, возникающие в спектрах фото- и электролюминесценции светоизлучающих структур на основе выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии слоев Si: Er.

Доп.точки доступа:
Денисов, Д. В.; Емельянов, А. М.; Шек, Е. И.; Паршин, Е. О.

Найти похожие

338(470)
А 87

Архипов, В. М. (канд. экон. наук).
Оценка социальной ставки дисконтирования [Текст] / В. М. Архипов, авт. А. М. Емельянов // Финансы и кредит. - 2006. - N 17. - С. 49-55. - Библиогр.: с. 55 (14 назв. ) . - ISSN XXXX-XXXX

УДК

338(470)

ББК 65.9(2Рос)-56
Рубрики: Экономика--Экономика России--Россия--Российская Федерация
Кл.слова (ненормированные):
инвестиции; оценка инвестиций; государственный сектор экономики; дисконтирование; методы оценки инвестиций; социальная ставка; предельная полезность; прирост потребления
Аннотация: Оценка инвестиций в государственный сектор экономики.

Доп.точки доступа:
Емельянов, А. М.

Найти похожие

657.6
А 87

Архипов, В. М. (канд. физ.-мат. наук, доц.).
Оценка социальной ставки дисконтирования [Текст] / В. М. Архипов, авт. А. М. Емельянов // Экономический анализ: теория и практика. - 2006. - N 16. - С. 49-54 . - ISSN ХХХХ-ХХХХ

УДК

657.6

ББК 65.053
Рубрики: Экономика--Экономический анализ--РФ--Россия--Российская Федерация
Кл.слова (ненормированные):
социальная ставка дисконтирования; альтернативная норма доходности; социальная ставка межвременных предпочтений; чистая ставка межвременных предпочтений; темп роста потребления
Аннотация: Для расчета социальной ставки дисконтирования используется наиболее распространенный подход, основа которого заключается в нахождении трендов параметров, определяющих ставку.

Доп.точки доступа:
Емельянов, А. М.

Найти похожие

539.2
Б 24

Баранов, Е. Е.
Корреляция люминесцентных свойств с изменением характера структурной организации в сверхрешетках AlGaN/GaN после имплантации ионов эрбия и отжига [Текст] / Е. Е. Баранов, А. М. Емельянов [и др.] // Журнал технической физики. - 2006. - Т. 76, N 12. - С. 61-64. - Библиогр.: c. 64 (11 назв. ) . - ISSN 0044-4642

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
атомно-силовая микроскопия; ионная имплантация; нитрид галлия; отжиг; сверхрешетки; структурная организация; фотолюминесценция; эрбий
Аннотация: Проведены сравнительные исследования эволюции характера структурной организации (ХСО) сверхрешеток (СР) AlGaN/GaN, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений, и их фотолюминесцентных (ФЛ) свойств после имплантации ионов эрбия с энергией 1 MeV, дозой 3ъ10{15} cm{-2} и отжига. Характер структурной организации оценивался количественно с помощью параметра Delta (степень нарушения локальной симметрии) , который определялся путем обработки с помощью мультифрактального анализа данных исследования морфологии поверхности структур методами атомно-силовой микроскопии. Показано, что имплантация сопровождается не только выделением Ga на поверхности, но и изменением ХСО, проявляющимся в появлении более мелкой по сравнению с исходной зернистой структуры и в разупорядочении, а также в росте Delta. С ростом температуры отжига от 700 до 800{o}C наблюдаются снижение Delta, свидетельствующее об улучшении ХСО, и увеличение интенсивности доминирующего пика (1. 542 mum) ФЛ ионов Er{3+}. Дальнейшее увеличение температуры отжига до 1050{o}C сопровождается ухудшением ХСО, укрупнением доменов, формированием пустот глубиной до 100-200 nm и падением интенсивности ФЛ. На образование пустот в процессе высокотемпературного отжига также указывают данные метода рассеяния протонов с энергией 230 keV. Таким образом, установлено, что улучшение характера структурной организации СР способствует активации эрбия и росту интенсивности люминесценции ионов эрбия.

Перейти: http://www.ioffe.rssi.ru/journals/jtf/2006/12/p61-64.pdf

Доп.точки доступа:
Емельянов, А. М.; Лундин, В. В.; Петров, В. Н.; Сахаров, В. И.; Серенков, И. Т.; Соболев, Н. А.; Титков, А. Н.; Шек, Е. И.; Шмидт, Н. М.

Найти похожие

342.9
Е 601

Емельянов, А. М. (старший преподаватель).
Некоторые подходы к правовому регулированию муниципальных отношений в зарубежных государствах [Текст] / А. М. Емельянов // Международное публичное и частное право. - 2006. - N 6. - С. 21-23. - Библиогр.: с. 23 (3 назв. ) . - ISSN ХХХХ-ХХХХ

УДК

342.9

341

ББК 67.412 + 67.401
Рубрики: Право--Международное право--Административное право--Соединенные Штаты Америки--США--Великобритания
Кл.слова (ненормированные):
муниципальные отношения; местное самоуправление; правовое регулирование; англосаксонская модель; континентальная модель; смешанная модель; система органов; местные бюджеты; финансовая политика; муниципалитеты; хартии
Аннотация: Рассматриваются модели местного самоуправления в зарубежных странах.

Доп.точки доступа:
Европейская, хартия

Найти похожие

621.3
С 544

Соболев, Н. А.
Дислокационная люминесценция в кремнии, обусловленная имплантацией ионов кислорода и последующим отжигом [Текст] / Н. А. Соболев, Б. Я. Бер [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 3. - С. 295-297 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.3

ББК 31.2
Рубрики: Энергетика--Электротехника
Кл.слова (ненормированные):
кремний -- люминесценция -- дислокационная люминесценция -- имплантация ионов кислорода -- отжиг
Аннотация: Обнаружено, что множественная имплантация ионов кислорода с энергиями 0. 1-1. 5 МэВ и дозами 7 10\{13\} - 2 10\{14\} см\{-2\} и последующий отжиг в хлорсодержащей атмосфере при температуре 900 C в течение 4 ч приводят к появлению дислокационной люминесценции в Si p-типа проводимости. При этом в приповерхностном слое Si также наблюдается p- > n-конверсия типа проводимости, свидетельствующая об образовании электрически активных донорных центров. Предварительная термообработка покрытых легированной эрбием пленкой тетраэтоксисилана пластин при температуре 1250 C в течение 1 ч в аргоне не предотвращает появление дислокационной люминесценции, но влияет на параметры дислокационных линий (положение их максимумов и интенсивность).

Доп.точки доступа:
Бер, Б. Я.; Емельянов, А. М.; Коварский, А. П.; Шек, Е. И.

Найти похожие

621.3
С 544

Соболев, Н. А.
Дислокационная люминесценция, возникающая в монокристаллическом кремнии после имплантации ионов кремния и последующего отжига [Текст] / Н. А. Соболев, А. М. Емельянов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 5. - С. 555-557 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.3

ББК 31.2
Рубрики: Энергетика--Электротехника
Кл.слова (ненормированные):
монокристаллический кремний -- кремний -- люминесценция -- дислокационная люминесценция -- имплантация ионов
Аннотация: Установлено, что имплантация ионов кремния с энергией 100 кэВ и дозой 1 10\{17\} см\{-2\} в выращенный методом бестигельной зонной плавки Si n-типа проводимости не приводит к формированию аморфного слоя. Последующий отжиг в хлорсодержащей атмосфере при температуре 1100 C сопровождается появлением дислокационной люминесценции. Интенсивность доминирующей линии D1 с максимумом на длине волны ~ 1. 54 мкм возрастает с увеличением времени отжига от 15 до 60 мин.

Доп.точки доступа:
Емельянов, А. М.; Сахаров, В. И.; Серенков, И. Т.; Шек, Е. И.; Тетельбаум, Д. И.

Найти похожие

10.

621.3
С 544

Соболев, Н. А.
Кремниевые светодиоды с дислокационной люминесценцией при комнатной температуре, изготовленные имплантацией ионов эрбия и газофазного осаждения поликристаллических слоев кремния, сильно легированных бором и фосфором [Текст] / Н. А. Соболев, А. М. Емельянов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 5. - С. 635-638 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.3

ББК 31.2
Рубрики: Энергетика--Электротехника
Кл.слова (ненормированные):
светодиоды -- кремниевые светодиоды -- дислокационная люминесценция -- люминесценция -- имплантация ионов -- эрбий -- газофазное осаждение -- поликристаллические слои -- легирование
Аннотация: Изготовлены светодиоды, в которых оптически активные центры образуются при имплантации в кремний ионов эрбия и последующем высокотемпературном отжиге в окисляющей атмосфере, а p-n-переход и омический контакт формируются путем газофазного осаждения поликристаллических слоев кремния, легированных бором и фосфором соответственно. Исследованы люминесцентные свойства светодиодов. Применение поликристаллических слоев позволяет избежать потерь в толще светоизлучающего слоя Si : Er, которые неизбежны при использовании традиционых методов ионной имплантации и диффузии. При 80 K трансформация спектров электролюминесценции в области дислокационной люминесценции в зависимости от тока хорошо описывается при разложении спектра на три гауссовы кривые, положения максимумов которых и их ширины не зависят от тока, а амплитуды линейно возрастают с током. При 300 K в области дислокационной люминесценции наблюдается один максимум с длиной волны ~1. 6 мкм.

Доп.точки доступа:
Емельянов, А. М.; Забродский, В. В.; Забродская, Н. В.; Суханов, В. Л.; Шек, Е. И.

Найти похожие

11.

621.315.592
Е 601

Емельянов, А. М.
Кремниевые светодиоды с большой мощностью излучения краевой люминесценции [Текст] / А. М. Емельянов, авт. Н. А. Соболев // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 3. - С. 331-335 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
кремниевые светодиоды -- краевая люминесценция -- люминесценция -- межзонные переходы
Аннотация: При комнатной температуре исследована электролюминесценция в области межзонных переходов кремниевых светодиодов, полученных путем резки солнечного элемента площадью 21 см\{2\} и имевшего внешнюю квантовую эффективность электролюминесценции эта[ext] до 0. 85%. Несмотря на значительное уменьшение эта[ext] вследствие резки и оже-рекомбинации, при импульсных токах до 10 А и площадях структур из диапазона S=0. 1-0. 9 см2 достигнуты рекордные значения общей излучаемой диодом мощности до W=8 мВт, а также мощности, излучаемой с единицы площади, до P[0]=65 мВт/см[2]. Для светодиодов различной площади измерена кинетика спада электролюминесценции. Определены диаграмма направленности излучения в Si-светодиоде с текстурированной поверхностью и распределение интенсивности по различным направлениям излучающей площади светодиода.

Доп.точки доступа:
Соболев, Н. А.

Найти похожие

12.

Емельянов, А. М.
Мощные кремниевые светодиоды с краевой люминесценцией [Текст] / А. М. Емельянов, Н. А. Соболев // Письма в журнал технической физики. - 2008. - Т. 34, вып: вып. 4. - С. 64-70

УДК

^a53.07

ББК 22.3с
Рубрики: Физика
Физические приборы и методы физического эксперимента
Кл.слова (ненормированные):
кремниевые светодиоды -- солнечные элементы -- краевая электролюминесценция
Аннотация: Из кремниевого солнечного элемента с текстурированной поверхностью площадью 21 cm\{2\} путем резки изготовлены светодиоды с максимальной внешней квантовой эффективностью краевой электролюминесценции при комнатной температуре ~ 0. 8%, в которых при импульсном токе 18 A и площади излучающей поверхности около 3 cm\{2\} достигнута рекордная мощноcть краевой электролюминесценции ~ 46 mW при внешней квантовой эффективности ~ 0. 18%. Исследованы зависимости параметров светодиодов от величины тока и распределение излучения по площади структуры.

Доп.точки доступа:
Соболев, Н. А.

Найти похожие

13.

Емельянов, А. М.
Краевая электролюминесценция эффективного точечного кремниевого светодиода в области температур 80-300 K [Текст] / А. М. Емельянов // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып: вып. 11. - С. 1375-1379

УДК

^a621.315.592

^a535.37

ББК 31.233 + 22.345
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
   Физика
   Люминесценция
Кл.слова (ненормированные):
светодиоды -- точечные кремниевые светодиоды -- краевая электролюминесценция -- электролюминесценция
Аннотация: В области температур 80-300 K измерены спектры краевой электролюминесценции точечных кремниевых светодиодов с площадью p-n-перехода 0. 008 мм\{2\}. Обнаружена рекордная стабильность положения максимума спектра при температурах 130-300 K. При 80 K проведены исследования спектральных характеристик светодиодов при различных плотностях тока до 25 кА/см\{2\}. В отличие от ранее описанных результатов исследования при 300 K, при температуре 80 K не наблюдалось значительного уменьшения квантовой эффективности, обусловленного проявлением оже-рекомбинации. Анализ спектров электролюминесценции при 80 K в широком диапазоне токов указывает на то, что механизм излучательной рекомбинации свободных экситонов не является определяющим при всех исследованных токах во всей излучающей области базы точечного светодиода.

Найти похожие

14.

Емельянов, А. М.
Определение изменений ширины запрещенной зоны непрямозонных полупроводников по спектрам краевой люминесценции [Текст] / А. М. Емельянов // Письма в журнал технической физики. - 2009. - Т. 35, вып: вып. 6. - С. 9-16

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
запрещенная зона -- непрямозонные полупроводники -- спектр краевой люминесценции -- ширина запрещенной зоны
Аннотация: Для определения температурных зависимостей ширины запрещенной зоны (E[g]) монокристаллического Si и кубического карбида кремния использован метод, основанный на аппроксимации прямыми линиями роста основного максимума на длинноволновом участке спектра краевой люминесценции и зависимости интенсивности электролюминесценции от энергии квантов, предшествующей появлению этого максимума. Показано хорошее совпадение полученной этим методом зависимости изменения E[g] кремния от температуры в области температур 80-300 K с результатами ее определения на основе измерений поглощения света. Найденный по этой методике температурный коэффициент линейного изменения E[g] для 3C-SiC в области температур 285-765 K составил -3. 5 x 10\{-4\} eV/K и находится в хорошем согласии с ранее опубликованными данными W. J. Choyke.

Найти похожие

15.

Емельянов, А. М.
Модуляция мощности краевой фотолюминесценции монокристаллического кремния изменением напряжения на p-n-переходе [Текст] / А. М. Емельянов // Письма в "Журнал технической физики". - 2009. - Т. 35, вып: вып. 18. - С. 80-86 : ил. - Библиогр.: с. 86 (12 назв. ) . - ISSN 0320-0116

УДК

^a539.21:535

^a535.37

ББК 22.374 + 22.345
Рубрики: Физика
Оптические свойства твердых тел
Люминесценция
Кл.слова (ненормированные):
кремниевые структуры -- фотолюминесценция -- краевая фотолюминесценция -- квазистационарная фотолюминесценция -- краевая квазистационарная фотолюминесценция -- модуляция мощности -- кремний -- Si -- монокристаллический кремний -- изменение напряжения -- p-n-переходы -- электронно-дырочные переходы -- солнечные элементы -- комнатная температура -- мощность -- квантовая эффективность -- лазеры -- импульсные излучения -- длины волн -- постоянный прямой ток -- пороговая мощность -- возбуждение фотолюминесценции -- обратное напряжение
Аннотация: Для кремниевой структуры, полученной из высокоэффективного солнечного элемента, при комнатной температуре исследованы зависимости мощности и квантовой эффективности краевой квазистационарной фотолюминесценции (ФЛ) от мощности импульсного излучения лазера на длине волны 658 nm. Варьировались величины постоянного прямого тока или обратного напряжения на p-n-переходе. При пропускании постоянного прямого тока обнаружено значительное увеличение мощности и квантовой эффективности квазистационарной ФЛ, а также уменьшение пороговой мощности возбуждения ФЛ. Приложение обратного напряжения вызывало противоположные эффекты. Рассмотрены возможные физические причины наблюдаемых явлений.

Найти похожие

16.

Емельянов, А. М.
Краевая электролюминесценция монокристаллического кремния при температуре 80 K: структуры на основе высокоэффективного солнечного элемента [Текст] / А. М. Емельянов // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып: вып. 2. - С. 231-236. - Библиогр.: с. 236 (20 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
краевая электролюминесценция -- электролюминесценция -- монокристаллический кремний -- кремниевые светодиоды -- высокоэффективные солнечные элементы -- внешняя квантовая эффективность -- свободные экситоны -- люминесценция электронно-дырочная плазма
Аннотация: В широком диапазоне импульсных токов при температуре 80 K исследованы спектральные, кинетические и мощностные характеристики краевой электролюминесценции кремниевых светодиодов с излучающей площадью 0. 055 cm{2}, полученных путем резки высокоэффективного солнечного элемента. В отличие от ряда исследованных ранее и менее эффективных кремниевых светодиодов внешняя квантовая эффективность при фиксированном токе была выше при 80 K, чем при 300 K, и достигала максимальной величины около 0. 4%. Несмотря на проявление механизма Оже-рекомбинации при импульсном токе 12 A достигнута рекордная мощность излучения с единицы площади P = 0. 2 W/cm{2}. Показано, что достижение этой рекордной величины в значительной мере связано с изменением механизма излучательной рекомбинации при больших токах. Анализируются условия перехода от люминесценции свободных экситонов к люминесценции электронно-дырочной плазмы.

Найти похожие

17.

Емельянов, А. М.
Связанные с водой ловушки носителей заряда в термических пленках диоксида кремния, полученных в сухом кислороде [Текст] / А. М. Емельянов // Физика твердого тела. - 2010. - Т. 52, вып: вып. 6. - С. 1060-1066. - Библиогр.: с. 1065-1066 (27 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
сухой кислород -- ловушки носителей заряда -- термические пленки -- ловушки электронов -- движения молекул воды
Аннотация: Методом лавинной инжекции электронов и дырок из кремния в сочетании с измерениями вольт-фарадных и вольт-амперных характеристик тока фотоинжекции электронов из контактов исследованы параметры ловушек электронов и дырок в термических пленках SiO[2], полученных в сухом кислороде. Варьировались условия окисления, отжига и хранения структур. Получены подтверждения предложенных автором модельных представлений о связанных с водой ловушках в таких пленках. Обнаружена зависимость транспортных характеристик ловушек от времени контакта Si-SiO[2]-структур с атмосферным воздухом естественной влажности. Результаты могут быть применены для уменьшения деградационных процессов в приборах на основе Si-SiO[2]-структур, при разработке технологий электролюминесцентных приборов на основе Si-SiO[2]-структур, изучении транспортных характеристик некоторых молекул (например, воды), атомов и ионов в порах (структурных каналах), размеры которых сопоставимы с размерами молекул воды.

Найти похожие

18.

Емельянов, А. М.
Дифференциальный метод анализа спектров люминесценции полупроводников [Текст] / А. М. Емельянов // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 9. - С. 1170-1175 : ил. - Библиогр.: с. 1174-1175 (16 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
люминесценция полупроводников -- спектры люминесценции -- дифференциация спектров -- поглощение монокристаллов -- монокристаллы кремния -- твердые растворы -- запрещенные зоны -- методы анализа люминесценции
Аннотация: Предложен метод анализа спектров люминесценции полупроводников, основанный на дифференцировании спектров. Возможности метода продемонстрированы в области края поглощения монокристаллов кремния и твердого раствора SiGe. Метод превосходит по точности ранее известные люминесцентные методы определения ширины запрещенной зоны для непрямозонных полупроводников и практически нечувствителен к различным условиям вывода излучения из образца.

Найти похожие

19.

544.33
С 764

Стандартные энтальпии образования глицилглицина в водном растворе [Текст] / Л. А. Кочергина [и др.] // Известия вузов. Химия и химическая технология. - 2011. - Т. 54, вып. 1. - С. 78-81 : 2 рис., 3 табл. - Библиогр.: с. 80-81 (11 назв. ) . - ISSN 0579-2991

УДК

544.33

ББК 24.532
Рубрики: Химия
Термохимия
Кл.слова (ненормированные):
водные растворы -- глицилглицины -- калориметрические методы -- тепловые эффекты растворения -- термодинамика растворения -- дипептиды -- стандартные энтальпии образования -- биологически активные соединения -- кристаллические глицилглицины -- растворы гидроксида калия
Аннотация: Прямым калориметрическим методом определены тепловые эффекты растворения кристаллического глицилглицина в воде и растворах гидроксида калия при 298, 15 К. Рассчитаны стандартные энтальпии образования пептида и продуктов его диссоциации в водном растворе.

Доп.точки доступа:
Кочергина, Л. А.; Емельянов, А. М.; Горболетова, Г. Г.; Крутова, О. Н.

Найти похожие

20.

535.37
Е 601

Емельянов, А. М.
Краевая фотолюминесценция монокристаллического кремния с p-n-переходом: структуры, изготовленные с использованием технологии высокоэффективных солнечных элементов [Текст] / А. М. Емельянов // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 6. - С. 823-828 : ил. - Библиогр.: с. 828 (20 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

535.37^V3

ББК 22.345
Рубрики: Физика
Люминесценция
Кл.слова (ненормированные):
фотолюминесценция -- краевая фотолюминесценция -- монокристаллический кремний -- p-n переходы -- солнечные элементы -- СЭ -- ФЛ -- лазерное излучение -- длина волны -- кремниевые структуры -- носители заряда -- время жизни заряда -- рекомбинации Шокли - Рида - Холла -- Шокли - Рида - Холла рекомбинации
Аннотация: При различных напряжениях, прикладываемых к p-n-переходу, исследованы кинетика и закономерности краевой фотолюминесценции кремниевой структуры, полученной с использованием технологии высокоэффективных солнечных элементов. Впервые показано, что проявление эффекта модуляции мощности краевой фотолюминесценции путем приложения постоянного напряжения к p-n-переходу качественно аналогично при возбуждении фотолюминесценции лазерным излучением с длинами волн 658 нм и 0. 98 мкм. Показана возможность модуляции мощности краевой фотолюминесценции путем изменения величины сопротивления, шунтирующего p-n-переход. В отсутствие напряжения наблюдалось значительное превышение постоянной времени роста интенсивности фотолюминесценции над постоянной времени ее спада. Но по мере увеличения постоянного прямого тока величина постоянной времени спада приближалась к величине постоянной времени роста. Для объяснения результатов развиты представления о наличии в структуре, кроме обычной рекомбинации Шокли-Рида-Холла, второго, более эффективного и способного насыщаться канала рекомбинации. Результаты работы расширяют функциональные возможности люминесцентного метода для определения эффективных времен жизни носителей заряда.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/06/p823-828.pdf

Найти похожие

1-10 11-20 21-23

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)