Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Соболев, М. М.$<.>)

Общее количество найденных документов : 11
Показаны документы с 1 по 11

53
Д 13

Давыдов, Д. В.
Локализованные состояния в активной области голубых светодиодов, связанные с системой протяженных дефектов [Текст] / Д. В. Давыдов, А. Л. Закгейм [и др.] // Письма в журнал технической физики. - 2007. - Т. 33, N 4. - С. 11-18 . - ISSN 0320-0116

УДК

ББК 22.3
Рубрики: Физика--Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
светодиоды -- система протяженных дефектов -- локализованные состояния
Аннотация: Представлены результаты сравнительных исследований C-V- и DLTS-методами в диапазоне температур 100-450 K и при освещении белым светом синих и голубых светодиодов (СД) на основе InGaN/GaN с разным характером организации системы протяженных дефектов (СПД) , пронизывающих активную область СД. Выявлены широкие пики E1 и E2, амплитуды которых зависели от оптической подсветки. Поведение этих пиков может быть объяснено присутствием локализованных состояний в активной области СД, связанных с СПД. Обнаруженная более высокая концентрация донорных ловушек в СД с более развитой СПД, приводящая к росту концентрации свободных носителей в квантовых ямах, экранирующих электронно-дырочное взаимодействие, может быть одной из причин в несколько раз меньших значений квантовой эффективности таких СД.

Доп.точки доступа:
Закгейм, А. Л.; Снегов, Ф. М.; Соболев, М. М.; Черняков, А. Е.; Усиков, А. С.; Шмидт, Н. М.

Найти похожие

53
Д 138

Давыдов, Д. В.
Локализованные состояния в активной области голубых светодиодов, связанные с системой протяженных дефектов [Текст] / Д. В. Давыдов, А. Л. Закгейм [и др.] // Письма в журнал технической физики. - 2007. - Т. 33, N 4. - С. 11-18 . - ISSN 0320-0116

УДК

53
С 544

Соболев, М. М.
Эффект Штарка в многослойной системе связанных квантовых точек InAs/GaAs [Текст] / М. М. Соболев, А. Е. Жуков [и др.] // Письма в журнал технической физики. - 2007. - Т. 33, N 12. - С. 68-75 . - ISSN 0320-0116

УДК

ББК 22.3
Рубрики: Физика--Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
нестационарная спектроскопия глубоких уровней -- спектроскопия -- вертикально коррелированные квантовые точки -- полупроводниковые квантовые точки -- квантовые точки -- эмиссия электронов -- эффект Штарка -- Штарка эффект -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- гетероструктуры InAs/GaAs
Аннотация: Методом нестационарной спектроскопии глубоких уровней (DLTS) исследована эмиссия электронов из состояний в системе вертикально коррелированных квантовых точек (ВККТ) InAs в p-n-гетероструктурах InAs/GaAs, полученных методами молекулярно-пучковой эпитаксии, в зависимости от числа рядов квантовых точек (КТ) и от величины обратного смещения. Установлено, что при толщине прослойки d[GaAS]=40 Angstrem между двумя рядами КТ система находится в фазе молекулы независимо от числа рядов КТ в этой системе. Увеличение числа рядов КТ приводит к уменьшению величины смещения Штарка, что обусловлено, по-видимому, уменьшением деформационного потенциала в окрестностях с ВККТ.

Доп.точки доступа:
Жуков, А. Е.; Васильев, А. П.; Семенова, Е. С.; Михрин, В. С.

Найти похожие

621.315.592
С 544

Соболев, М. М.
Эффект Ваннье-Штарка в сверхрешетке квантовых точек Ge/Si [Текст] / М. М. Соболев, Г. Э. Цырлин, А. А. Тонких, Н. Д. Захаров // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 3. - С. 311-315 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
эффект Ваннье-Штарка -- Ваннье-Штарка эффект -- нестандартная спектроскопия глубоких уровней -- эмиссия электронов -- нерезонасное туннелирование Зинера -- Зинера нерезонасное туннелирование
Аннотация: Методом нестационарной спектроскопии глубоких уровней (DLTS) исследована эмиссия электронов из квантовых состояний в 20-слойной сверхрешетке квантовых точек Ge в p-n-гетероструктуре Ge/Si. Установлено, что DLTS-спектры находятся в сильной зависимости от величины приложенного к структуре напряжения обратного смещения U[r]. Определены три диапазона напряжения смещения U[r], которые характеризовались проявлением трех режимов эффекта Ваннье-Штарка: лестницы и локализации Ваннье-Штарка, а также нерезонансного туннелирования Зинера. Кроме того, установлено, что появление DLTS-пиков для всех трех режимов связывается с эмиссией электронов с глубоких уровней дефектов, идущей через локализованные состояния Ваннье-Штарка, образующиеся в результате расщепления мини-зоны электронов в сверхрешетке квантовых точек Ge/Si.

Доп.точки доступа:
Цырлин, Г. Э.; Тонких, А. А.; Захаров, Н. Д.

Найти похожие

Поляризационная зависимость сдвига Штарка в поглощении в InGaAs/GaAs лазерных структурах с квантовыми точками [Текст] / Е. Л. Портной [и др. ] // Письма в Журнал технической физики. - 2007. - Т. 33, вып: вып. 16. - С. 28-33 . - ISSN 0320-0116

УДК

^a535.2/.3

ББК 22.343
Рубрики: Физика
Физическая оптика
Кл.слова (ненормированные):
Поляризационная зависимость -- сдвиг Штарка -- Штарка сдвиг -- квантовые точки -- многослойные лазерные структуры
Аннотация: В многослойных лазерных структурах InGaAs/GaAs с самоорганизующимися квантовыми точками исследован эффект Штарка. Проведены измерения смещения края поглощения в зависимости от обратного напряжения в двухсекционном лазерном диоде. Край поглощения сдвигается в длинноволновую область спектра при увеличении напряженности электрического поля. Обнаружена поляризационная зависимость поглощения. В исследуемых структурах интенсивность люминесценции TE-поляризации более чем на порядок больше, чем ТМ, что обусловлено большим усилением ТЕ-моды.

Доп.точки доступа:
Портной, Е. Л.; Гаджиев, И. М.; Губенко, А. Е.; Соболев, М. М.; Ковш, А. Р.; Бакшаев, И. О.

Найти похожие

Поглощение в лазерных структурах со связанными и несвязанными квантовыми точками в электрическом поле при комнатной температуре [Текст] / М. М. Соболев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 4. - С. 512-516

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
квантовые точки -- эффект Штарка -- Штарка Эффект -- экситоны -- квантовые точки -- лазерные структуры
Аннотация: Представлены результаты экспериментального сравнения поглощения несвязанных и туннельно-связанных вертикально-коррелированных квантовых точек, измеренного при комнатной температуре. Выявлено, что в лазерных структурах с туннельно-связанными квантовыми точками при настройке длины волны излучения лазера и смещения Штарка происходит резонансное поглощение с образованием связанных и антисвязанных состояний экситонов в молекулах квантовых точек с энергией расщепления между ними ~62 мэВ. Для этих состояний наблюдалось сильное линейное смещение Штарка под действием внешнего поля, достигающее 68 мэВ. Для несвязанных квантовых точек наблюдался один пик резонансного поглощения с образованием экситона, для которого величина смещения Штарка не превышала 13 мэВ.

Доп.точки доступа:
Соболев, М. М.; Гаджиев, И. М.; Бакшаев, И. О.; Михрин, В. С.; Неведомский, В. Н.; Буяло, М. С.; Задиранов, Ю. М.; Портной, Е. Л.

Найти похожие

Соболев, М. М.
Состояния Ваннье-Штарка в сверхрешетке квантовых точек InAs/GaAs [Текст] / М. М. Соболев, А. П. Васильев, В. Н. Неведомский // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 6. - С. 790-794 : ил. - Библиогр.: с. 794 (20 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
квантовые точки -- КТ -- вертикально-коррелированные КТ -- ВККТ -- сверхрешетки -- СР -- InAs/GaAs -- гетероструктуры -- состояния Ваннье - Штарка -- Ваннье - Штарка состояния -- вольт-фарадные характеристики -- просвечивающая электронная микроскопия -- электроны -- нестационарная емкостная спектроскопия -- DLTS -- волновые функции -- экспериментальные исследования
Аннотация: Представлены результаты экспериментальных исследований эмиссии электронов и дырок из состояний 10-слойной системы туннельно-связанных вертикально-коррелированных квантовых точек InAs/GaAs, проведенные с помощью методов вольт-фарадных характеристик и нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней (DLTS). Толщина прослойки GaAs между слоями квантовых точек InAs, определенная с помощью просвечивающей электронной микроскопии, была ~3 нм. Установлено, что изменение мультимодального периодического DLTS-спектра этой структуры находится в сильной линейной зависимости от величины приложенного к структуре напряжения обратного смещения Ur. Выявлено, что исследуемая структура характеризуется проявлением эффекта Ваннье-Штарка в сверхрешетке InAs/GaAs, в которой наличие внешнего электрического поля приводит к подавлению связывания волновых функций состояний электронов мини-зон и к образованию серии дискретных уровней, называемых состояниями лестницы Ваннье-Штарка.

Доп.точки доступа:
Васильев, А. П.; Неведомский, В. Н.

Найти похожие

621.375
П 194

Пассивная синхронизация мод в лазерах на сверхрешетке из квантовых точек [Текст] / М. С. Буяло [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2011. - Т. 37, вып. 18. - С. 31-36 : ил. - Библиогр.: с. 36 (9 назв. ) . - ISSN 0320-0116

УДК

621.375^V3

535.2/.3^V3

ББК 32.86 + 22.343
Рубрики: Радиоэлектроника
   Квантовая электроника
   Физика
   Физическая оптика
Кл.слова (ненормированные):
лазеры -- двухсекционные лазеры -- квантовые точки -- сверхрешетки (физика) -- синхронизация мод -- пассивная синхронизация -- режим пассивной синхронизации -- связывание слоев -- туннельное связывание -- поляризационные свойства -- коэффициенты поглощения -- TM-поляризация -- TE-поляризация -- электролюминесценция
Аннотация: В двухсекционных лазерах с активной областью из сверхрешетки на 10 слоях квантовых точек реализован режим пассивной синхронизации мод. Туннельное связывание 10 слоев квантовых точек изменяет поляризационные свойства структуры и приводит к тому, что отношение между коэффициентами поглощения для TE- и TM-поляризации не превышает 1. 8 раза во всем спектре электролюминесценции для сверхрешетки.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2011/18/p31-36.pdf

Доп.точки доступа:
Буяло, М. С.; Соболев, М. М.; Гаджиев, И. М.; Бакшаев, И. О.; Задиранов, Ю. М.; Ильинская, Н. Д.; Портной, Е. Л.

Найти похожие

621.315.592
П 546

Поляризационные зависимости электролюминесценции и поглощения вертикально-коррелированных InAs/GaAs-квантовых точек [Текст] / М. М. Соболев [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 1. - С. 96-102 : ил. - Библиогр.: с. 101 (31 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592^V3

539.2^V3

ББК 31.233 + 22.37
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
   Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
экспериментальные исследования -- электролюминесценция -- ЭЛ -- квантовые точки -- КТ -- спектры электролюминесценции -- квантовые проволоки -- КП -- оптическая поляризационная анизотропия -- поляризационная анизотропия -- анизотропия -- спектры поглощения -- вертикально-коррелированные квантовые точки -- ВККТ -- сверхрешетки квантовых точек -- СРКТ -- эффект Ваннье - Штарка -- Ваннье - Штарка эффект -- поляризационные зависимости -- волновые функции -- дырки (физика)
Аннотация: Представлены результаты экспериментальных исследований оптической поляризационной анизотропии спектров электролюминесценции и поглощения систем с различным числом туннельно-связанных вертикально-коррелированных квантовых точек In (Ga) As/GaAs, встроенных в двухсекционный лазер с секциями одинаковой длины. Одной из этих систем являлась сверхрешетка квантовых точек, проявляющая эффект Ваннье-Штарка. Был обнаружен эффект вовлечения основных состояний тяжелых дырок в оптические переходы света, поляризованного как в плоскости перпендикулярной оси роста (X-Y), так и вдоль направления роста структуры Z. Степень поляризационной анизотропии находится в зависимости от высоты вертикально-коррелированных квантовых точек и сверхрешетки квантовых точек: суммарной толщины всех слоев In (Ga) As квантовых точек и прослойки GaAs между квантовыми точками, которая связывается с Z-компонентой волновой функции основных состояний тяжелых дырок для вертикально-коррелированных точек и сверхрешетки квантовых точек.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/01/p96-102.pdf

Доп.точки доступа:
Соболев, М. М.; Гаджиев, И. М.; Бакшаев, И. О.; Неведомский, В. Н.; Буяло, М. С.; Задиранов, Ю. М.; Золотарева, Р. В.; Портной, Е. Л.

Найти похожие

10.

535.2/.3
О-627

Оптическое поглощение в сверхрешетках квантовых точек InAs/GaAs в электрическом поле при комнатной температуре [Текст] / М. М. Соболев [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 8. - С. 1095-1101 : ил. - Библиогр.: с. 1100 (24 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

535.2/.3^V3

ББК 31.233 + 22.343
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
   Физика
   Физическая оптика
Кл.слова (ненормированные):
оптическое поглощение -- сверхрешетки -- СК -- квантовые точки -- КТ -- InAs/GaAs -- комнатная температура -- электрическое поле -- электролюминесценция -- спектры электролюминесценции -- экспериментальные исследования -- двухсекционные лазеры -- прослойки -- просвечивающая электронная микроскопия -- ПЭМ -- оптическая поляризация -- волноводное поглощение -- моды (физика) -- дифференциальное поглощение -- линейная зависимость -- эффект Ваннье - Штарка -- Ваннье - Штарка эффект -- волновые функции -- электроны -- дискретные уровни
Аннотация: Мы сообщаем о результатах экспериментальных исследований при комнатной температуре спектров электролюминесценции и поглощения 10-слойной сверхрешетки квантовых точек InAs/GaAs, встроенной в двухсекционный лазер с секциями одинаковой длины. Толщина прослойки GaAs между слоями КТ InAs, определенная с помощью просвечивающей электронной микроскопии, была около 6 нм. В отличие от туннельно-связанных КТ, сверхрешетки КТ демонстрируют усиление оптической поляризации интенсивности излучения и волноводного поглощения ТМ-моды по сравнению с TE-модой. Было установлено, что изменения мультимодального периодического спектра дифференциального поглощения структуры со сверхрешеткой квантовых точек находятся в сильной линейной зависимости от величины приложенного к структуре электрического поля. Наблюдаемое поведение спектров дифференциального поглощения является демонстрацией эффекта Ваннье-Штарка в сверхрешетке квантовых точек InAs/GaAs, в которой наличие внешнего электрического поля приводит к подавлению связывания волновых функций состояний электронов мини-зон и к образованию серии дискретных уровней, называемых состояниями лестницы Ваннье-Штарка.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/08/p1095-1101.pdf

Доп.точки доступа:
Соболев, М. М.; Гаджиев, И. М.; Бакшаев, И. О.; Неведомский, В. Н.; Буяло, М. С.; Задиранов, Ю. М.; Портной, Е. Л.

Найти похожие

11.

539.2
В 586

Влияние толщины прослойки GaAs на квантовое связывание и оптическую поляризацию вертикально-коррелированной 10-слойной системы квантовых точек InAs/GaAs / М. М. Соболев [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 8. - С. 1059-1064 : ил. - Библиогр.: с. 1063-1064 (20 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

539.2

621.315.592

ББК 22.37 + 31.233
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
   Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
арсенид галлия -- GaAs -- поляризация -- квантовые точки -- InAs -- арсенид индия -- оптическая анизотрипия -- электролюминесценция -- дифференциальное поглощение -- электрические поля -- оптические переходы
Аннотация: Представлены результаты экспериментальных исследований поляризационной оптической анизотропии электролюминесценции и поглощения 10-слойной системы вертикально-коррелированных квантовых точек (ВККТ) InAs/GaAs, встроенной в двухсекционный лазер с секциями одинаковой длины и с толщиной прослойки GaAs между квантовыми точками InAs 8. 6 нм. Установлено, что поляризационная анизотропия электролюминесценции и поглощения для такой системы меньше по сравнению с аналогичными величинами для систем с одним рядом квантовых точек и молекул квантовых точек, но больше, чем для сверхрешетки квантовых точек. Кроме того, представлены результаты исследований дифференциального поглощения в зависимости от приложенного к исследуемой структуре электрического поля. Измерена зависимость темпа изменения смещения Штарка от внешнего электрического поля, что позволило экспериментально выявить наличие контролируемого квантового связывания двух соседних квантовых точек в 10-слойных системах ВККТ InAs/GaAs с толщиной прослойки GaAs 8. 6 и 30 нм. Измеренные поляризационные зависимости показали, что они определяются эффектом вовлечения основных состояний тяжелых дырок в оптические переходы и природа этого эффекта определяется двумерностью исследуемой системы.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/08/p1059-1064.pdf

Доп.точки доступа:
Соболев, М. М.; Гаджиев, И. М.; Буяло, М. С.; Неведомский, В. Н.; Задиранов, Ю. М.; Золотарева, Р. В.; Васильев, А. П.; Устинов, В. М.; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург)

Найти похожие

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)