Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Олих, О. Я.$<.>)

Общее количество найденных документов : 4
Показаны документы с 1 по 4

621.382.2
К 64

Конакова, Р. В.
Влияние микроволновой обработки на уровень остаточной деформации и параметры глубоких уровней в монокристаллах карбида кремния [] / Р. В. Конакова, П. М. Литвин, О. Я. Олих // Физика и химия обработки материалов. - 2005. - N 2. - С. 19-22 . - ISSN 0015-3214

УДК

621.382.2

ББК 32.85
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника
Кл.слова (ненормированные):
микроволновая обработка сплавов; остаточная деформация сплавов; карбид кремния; монокристаллы карбида кремния; структурно-примесные дефекты сплавов; полупроводниковые материалы; сверхвысокочастотное излучение; диодные структуры
Аннотация: Исследовано влияние микроволнового излучения частотой 2, 45 ГГц с удельной мощностью 1, 5 Вт/см{2} на радиус кривизны, деформацию и параметры глубоких центров в приповерхностных слоях монокристаллических пластин n-SiC*6H. Наблюдаемые изменения параметров глубоких центров связаны с индуцированным СВЧ излучением перераспределением ансамбля структурно-примесных дефектов в поверхностном слое карбида кремния.

Доп.точки доступа:
Литвин, П. М.; Олих, О. Я.

Найти похожие

Олих, О. Я.
Изменение активности рекомбинационных центров в кремниевых p-n-структурах в условиях акустического нагружения [Текст] / О. Я. Олих // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 6. - С. 774-779 : ил. - Библиогр.: с. 779 (21 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
p-n структуры -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- кремниевые структуры -- ультразвук -- УЗ -- акустические нагружения -- ультразвуковые нагружения
Аннотация: Используя метод дифференциальных коэффициентов вольт-амперных характеристик, исследованы глубокие уровни в Cz-Si p-n-структурах в условиях ультразвукового нагружения (продольные волны частотой 4-26 МГц и интенсивностью до 0. 6 Вт/см{2}). Выявлены уровни с термической энергией активации 0. 44, 0. 40, 0. 37, 0. 48 и 0. 46 эВ. Предполагается, что эти уровни связаны с E-центром, бистабильным комплексом B[s]O[2i], а также межузельными атомами, захваченными дислокационными петлями, соответственно. Установлено, что ультразвук индуцирует увеличение вклада в рекомбинационные процессы более мелких уровней и уменьшение энергии активации дефектов. Проанализирована возможность акустоиндуцированной обратимой перестройки конфигурации комплекса B[s]O[2i].

Найти похожие

535.2/.3
О-546

Олих, О. Я.
Особенности динамических акустоиндуцированных изменений фотоэлектрических параметров кремниевых солнечных элементов [Текст] / О. Я. Олих // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 6. - С. 816-822 : ил. - Библиогр.: с. 822 (21 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

535.2/.3^V3

621.315.592^V3

ББК 22.343 + 31.233
Рубрики: Физика
   Физическая оптика
   Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
кремниевые солнечные элементы -- солнечные элементы -- СЭ -- ультразвуковое нагружение -- УЗН -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- фотоэлектрические параметры -- акустоиндуцированные измерения -- АИ измерения -- токоперенос -- акустические волны -- рекомбинационные центры -- дефекты -- p-n переходы
Аннотация: Представлены результаты экспериментального изучения работы кремниевых солнечных элементов в условиях динамического ультразвукового нагружения. На основе анализа вольт-амперных характеристик исследованы зависимости тока короткого замыкания, напряжения холостого хода, максимальной выходной мощности, шунтирующего сопротивления, обратного тока и напряжения пробоя от деформации, связанной с акустическими волнами различных частот. Проанализированы возможные механизмы акустического влияния, в частности рассмотрены акустоиндуцированные перестройка рекомбинационных центров (например, комплексов B[S]O[2i]) и ионизация уровней, связанных с протяженными дефектами в области p-n-перехода.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/06/p816-822.pdf

Найти похожие

539.21:537
О-546

Олих, О. Я.
Влияние ультразвукового нагружения на протекание тока в структурах Mo/n-n[+]-Si с барьером Шоттки / О. Я. Олих // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 7. - С. 979-984 : ил. - Библиогр.: с. 983-984 (35 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

539.21:537

ББК 22.373
Рубрики: Физика
Электрические и магнитные свойства твердых тел
Кл.слова (ненормированные):
кремниевые диоды -- барьеры Шоттки -- экспериментальные исследования -- ультразвуковое упрочение -- ультразвуковое нагружение -- высота -- обратные токи -- токи насыщения -- ультразвук -- электроны -- модели -- ионизация дефектов -- границы раздела -- Шоттки барьеры -- металл-полупроводник
Аннотация: Представлены результаты экспериментального исследования работы кремниевых диодов Шоттки в условиях ультразвукового нагружения (частота колебаний 9. 6 МГц, интенсивность продольных волн до 0. 7 Вт/см{2}). Обнаружены обратимое акустоиндуцированное уменьшение высоты барьера Шоттки (до 0. 13 В) и увеличение обратного тока и тока насыщения (до 60%). Показано, что ультразвук не влияет на фактор неидеальности диодов и туннельную составляющую обратного тока. Рассмотрен процесс электронного транспорта в рамках модели неоднородного барьера Шоттки, и показано, что наблюдаемые эффекты могут быть связаны с акустоиндуцированной ионизацией дефектов, находящихся на границе металл-полупроводник.
The results of the experimental research of the silicon Schottky diodes, operating under dynamic ultrasound loading (the vibration frequency is 9. 6MHz, the intensity of the longitudinal wave is up to 0. 7W/cm{2}) are presented. The reversible acoustically induced reduction of Schottky barrier height (up to 0. 13) and increase of reverse current and saturation current (up to 60%) were detected. It was revealed that ultrasound does not affect to the diode ideality factor and tunneling component of the reverse current. The electron transport process has been reviewed within the inhomogeneous Schottky barrier model; and it was shown that the observed effects could be related to the acoustically induced ionization of defects at the metal-semiconductor interface.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/07/p979-984.pdf

Найти похожие

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)