Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Кюрегян, А. С.$<.>)

Общее количество найденных документов : 13
Показаны документы с 1 по 13

621.38
К 995

Кюрегян, А. С.
Теория дрейфовых диодов с резким восстановлением [Текст] / А. С. Кюрегян // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 6. - Библиогр.: c. 64 (18 назв. ) . - ISSN 0044-4642

УДК

621.38

ББК 32.85
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника
Кл.слова (ненормированные):
дрейфовые диоды -- дрейфовые диоды с резким восстановлением -- обрыв тока -- прерыватели тока
Аннотация: Построена аналитическая теория работы дрейфовых диодов с резким восстановлением (ДДРВ) в качестве прерывателя тока в генераторах с индуктивным накопителем энергии. Теория учитывает нелинейность зависимостей сопротивления базовых областей и барьерных емкостей диодов от прошедшего через них заряда. Получены простые соотношения для параметров ДДРВ (толщины и легирования базы, заряда неравновесных дырок, извлекаемого из базы за время TB фазы высокой обратной проводимости, площади и количества m последовательно соединенных диодов) , контура (индуктивности и емкости накопителя, начального напряжения UC0 на емкости) , которые обеспечат формирование импульса напряжения с требуемыми длительностью переднего фронта t[B] и амплитудой U[m] на нагрузке. Показано, что предельные значения коэффициентов перенапряжения U[m]/U[C0] и обострения T[B]/t[B], которые могут быть достигнуты при заданном коэффициенте полезного действия k, ограничены фактором, пропорциональным k{omega}* (1-k) E[B]/E[s], где omega=0. 27 (для U[m]/U[C0]) , или omega=-0. 3 (для T[B]/t[B]) , E[B] - пробивная напряженность поля, E[s]=v[s]/mu, v[s] и mu- насыщенная дрейфовая скорость и подвижность дырок в слабых полях соответственно. Максимальное значение скорости нарастания напряжения, которое может быть получено с помощью одноэлементного (m=1) ДДРВ, равно 0. 3vsEB. Проведен сравнительный анализ характеристик ДДРВ на основе Si и 4H-SiC. Результаты аналитической теории подтверждены путем численного моделирования процесса восстановления.

Перейти: http://www.ioffe.rssi.ru/journals/jtf/2004/06/page-57.html.ru

Найти похожие

621.38
Г 80

Грехов, И. В.
Формирование области пространственного заряда в диффузионных p-n-переходах при обрыве тока высокой плотности [Текст] / И. В. Грехов, авт. А. С. Кюрегян // Журнал технической физики. - 2005. - Т. 75, N 7. - С. 88-96. - Библиогр.: c. 96 (20 назв. ) . - ISSN 0044-4642

УДК

621.38

ББК 32.85
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника
Кл.слова (ненормированные):
p-n-переходы; область пространственного заряда; обратное восстановление диодов; обрыв тока; пространственные разряды
Аннотация: Проведен анализ процесса обратного восстановления диодов с диффузионными p-n-переходами при высокой плотности обратного тока j. Получено условие нарушения квазинейтральности в диффузионных слоях, учитывающее зависимость подвижностей носителей заряда mu от напряженности поля E и пригодное для широкого диапазона j. Задача о формировании области пространственного заряда (ОПЗ) в контуре с индуктивностью L и активной нагрузкой R сведена к системе двух обыкновенных дифференциальных уравнений. Аппроксимация результатов численного решения этой системы позволила получить приближенные аналитические соотношения между плотностью обрываемого тока j, параметрами контура, диода и формирующегося импульса напряжения (амлитудой V[m] и фронтом t[p]) . Изучен вопрос о предельно достижимых параметрах импульса генераторов с индуктивным накопителем энергии и прерывателем тока на основе диффузионных диодов. Определена критическая плотность обрываемого тока j[B], при которой поле в ОПЗ вблизи анода достигает пробивного значения E[B] и начинается интенсивная ударная ионизация дырками, приводящая к замедлению скоростей спада тока и роста напряжения на ОПЗ, вследствие чего при j>j[B] начинает увеличиваться tp и уменьшаться коэффициент перенапряжения генератора. Величина V[m], соответствующая значению j=j[B], равна V[B]~ m (epsilon*v[h]*l[p]/ j[B]) {1/2}E[B]{3/2}, где m - число диодов в прерывателе, epsilon - диэлектрическая проницаемость полупроводника, v[h] - насыщенная дрейфовая скорость дырок, l[p] - глубина залегания p-n-перехода. Выводы теории подтверждены точным численным моделированием процесса восстановления и качественно согласуются с известными экспериментальными данными.

Перейти: http://www.ioffe.rssi.ru/journals/jtf/2005/07/page-88.html.ru

Доп.точки доступа:
Кюрегян, А. С.

Найти похожие

621.3
К 995

Кюрегян, А. С.
К теории стационарных плоских волн ударной ионизации в полупроводниках [Текст] / А. С. Кюрегян // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 6. - С. 761-767 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.3

ББК 31.2
Рубрики: Энергетика--Электротехника
Кл.слова (ненормированные):
волны ударной ионизации -- стационарные плоские волны ударной ионизации -- полупроводниковые приборы
Аннотация: Построена общая аналитическая теория стационарных плоских волн ударной ионизации в полупроводниковых приборах при произвольных зависимостях скоростей дрейфа и коэффициентов ударной ионизации электронов и дырок от напряженности электрического поля. Получены формулы, описывающие структуру фронта волн и позволяющие вычислить его основные параметры - скорость, толщину, максимальную напряженность поля, концентрации носителей заряда и напряженность поля за фронтом - при заданных плотности тока и уровне легирования полупроводника. Указаны ограничения теории, обусловленные пренебрежением диффузионными потоками и использованием континуального приближения.

Найти похожие

538.9
К 995

Кюрегян, А. С.
Влияние диффузии на скорость распространения стационарных волн ударной ионизации в полупроводниках [Текст] / А. С. Кюрегян // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 86, вып. 5. - С. 360-364 . - ISSN 0370-274X

УДК

538.9

ББК 22.3
Рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
стационарные волны ударной ионизации -- полупроводники -- диффузия -- скорость распространения стационарных волн -- ударная ионизация
Аннотация: Предложено обобщение известной теории стационарных плоских волн ударной ионизации в газах на биполярный случай, характерный для полупроводников, где среду ионизуют горячие носители заряда обоих знаков. Вследствие этого скорость u биполярных волн (в отличие от монополярных) определяется процессами в лидирующей области фронта при любых отличных от нуля скоростях ударной ионизации вне зависимости от направления распространения. Это свойство позволило получить аналитические формулы для u как функции параметров материала, начального возмущения и напряженности внешнего поля путем анализа краевой задачи, линеаризованной вблизи неустойчивого состояния. В максимально достижимых полях (например, в стримерах) диффузия должна приводить к увеличению u примерно в три раза по сравнению со средней скоростью дрейфа при типичных значениях параметров полупроводников.

Найти похожие

621.315.592
К 995

Кюрегян, А. С.
Линейная стадия эволюции электронно-дырочных лавин в полупроводниках [Текст] / А. С. Кюрегян // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 1. - С. 23-30

УДК

621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
электронно-дырочные лавины -- линейная стадия эволюции -- электрическое поле
Аннотация: Получено полное аналитическое решение задачи о линейной стадии эволюции электронно-дырочных лавин в однородном и постоянном внешнем электрическом поле E[ext]. Теория учитывает дрейф, диффузию и ударную ионизацию электронов и дырок и позволяет вычислить пространственно-временные распределения полей и зарядов, а также все основные параметры лавин вплоть до начала проявления нелинейных эффектов в момент времени t[a]. Выведены формулы для групповой скорости лавины и скорости распространения ее лидирующих фронтов.

Найти похожие

Кюрегян, А. С.
Электронно-дырочные лавины в полупроводниках [Текст] / А. С. Кюрегян // Письма в Журнал технической физики. - 2007. - Т. 33, вып: вып. 14. - С. 48-57 . - ISSN 0320-0116

УДК

^a537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
полупроводники -- электронно-дырочные лавины -- лавинно-стримерный переход
Аннотация: Предложена аналитическая теория развития электронно-дырочных лавин в полупроводниках, качественно отличающихся от электронных лавин в газах. Определены пространственно-временные распределения полей и зарядов лавины. Началом лавинно-стримерного перехода предложено считать момент времени t[a], когда коэффициенты ударной ионизации alpha в центре лавины уменьшаются на 20%. Получено трансцендентное уравнение, позволяющее рассчитывать t[a] как функцию невозмущенного значения alpha (E[ext]), заданного внешним полем E[ext]. Обнаружено, что при увеличении alpha (E[ext]) от 10\{3\} до 10\{5\} cm\{-1\} полное число рожденных к моменту t[a] пар уменьшается почти на 3 порядка.

Найти похожие

Кюрегян, А. С.
Экспоненциально-автомодельные волны ударной ионизации [Текст] / А. С. Кюрегян // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 137, вып: вып. 4. - С. 721-739. - Библиогр.: с. 738-739 . - ISSN 0044-4510

УДК

^a530.1

ББК 22.31
Рубрики: Физика
Теоретическая физика
Кл.слова (ненормированные):
экспоненциально-автомодельные волны -- волны -- волны ударной ионизации -- ударная ионизация -- ионизация
Аннотация: Рассматриваются экспоненциально-автомодельные волны ударной ионизации.

Найти похожие

537.311.33
К 995

Кюрегян, А. С.
Эволюция электронно-дырочных лавин и стримеров в непрямозонных полупроводниках [Текст] / А. С. Кюрегян // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 136, вып. 5. - С. 962-983. - Библиогр.: с. 982-983 . - ISSN 0044-4510

УДК

537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
полупроводники -- стримеры -- эволюция -- электронно-дырочные лавины -- непрямозонные полупроводники -- численное моделирование эволюции
Аннотация: Проведено численное моделирование зарождения и эволюции стримеров в полупроводниках.

Найти похожие

530.1
К 995

Кюрегян, А. С.
Поперечная неустойчивость плоского фронта быстрых волн ударной ионизации [Текст] / А. С. Кюрегян // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2012. - Т. 141, вып. 5. - С. 983-993 : рис. - Библиогр.: с. 993 . - ISSN 0044-4510

УДК

530.1

ББК 22.31
Рубрики: Физика
Теоретическая физика
Кл.слова (ненормированные):
ударная ионизация -- плоский фронт быстрых волн -- быстрые волны -- поперечная неустойчивость -- ВУИ -- волны ударной ионизации -- полупроводниковые структуры -- n-слой -- конечная концентрация -- p{+}-n-n{+} -- доноры
Аннотация: Проведен теоретический анализ поперечной неустойчивости плоского фронта быстрых волн ударной ионизации (ВУИ) в полупроводниковых структурах p{+}-n-n{+} с конечной концентрацией N доноров в n-слое.

Найти похожие

10.

539.2
К 995

Кюрегян, А. С.
О максимальной толщине области пространственного заряда обратносмещенных p{+}-n-переходов с положительной фаской [Текст] / А. С. Кюрегян // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 1. - С. 67-69 : ил. - Библиогр.: с. 69 (8 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

539.2^V3

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
область пространственного заряда -- ОПЗ -- p+-n переходы -- численное моделирование -- фаска -- положительная фаска -- напряженность электрического поля -- электрические поля -- поверхность заряда -- диэлектрическая проницаемость
Аннотация: Проведено численное моделирование двумерных распределений потенциала и напряженности электрического поля в краевых областях резко асимметричных обратносмещенных p{+}-n-переходов с положительной фаской. Показано, что максимальная толщина области пространственного заряда WnM немонотонно зависит от угла theta между поверхностью фаски и плоскостью перехода: функция WnM (theta) достигает максимума при значениях theta, которые уменьшаются от 60{o} до 35{o} при увеличении параметра Q[s]/varepsilon[s]varepsilon[0]E[v]M от 0 до 0. 02 (здесь Q[s] - плотность поверхностного заряда, varepsilonsvarepsilon[0] - абсолютная диэлектрическая проницаемость полупроводника, E[v]M - максимальная напряженность поля в области пространственного заряда p{+}-n-перехода вдали от фаски). Полученные результаты могут быть полезными при проектировании высоковольтных тиристоров на основе Si, SiC и других материалов.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/01/p67-69.pdf

Найти похожие

11.

621.315.592
К 995

Кюрегян, А. С.
Краевые инверсионные каналы и поверхностные токи утечки в высоковольтных полупроводниковых приборах [Текст] / А. С. Кюрегян // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 3. - С. 372-378 : ил. - Библиогр.: с. 377-378 (9 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592^V3

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
краевые каналы -- поверхностные токи -- высоковольтные полупроводниковые приборы -- электрические поля -- напряженность поля -- поверхность фаски -- заряды -- МДП транзистор -- p-n-p структуры -- пороговое напряжение -- поверхностные утечки (физика) -- область пространственного заряда -- ОПЗ
Аннотация: Показано, что электрическое поле над поверхностью полупроводниковых приборов может оказаться достаточным для того, чтобы индуцировать краевые инверсионные каналы, если напряжение смещения велико, а плотность поверхностного заряда Q[s] мала. В этом случае краевая область приборов, содержащих p-n-p-структуру (например, тиристоров), функционирует как планарный p-канальный МДП транзистор, у которого затвор совмещен со стоком, а функцию подзатворного диэлектрика выполняет вся среда над поверхностью. Ток между истоком и стоком этого "краевого МДП транзистора" является током поверхностной утечки всего прибора. Построена аналитическая теория, описывающая вольт-амперную характеристику в подпороговом режиме. Показано, что этот новый механизм определяет полный ток утечки высоковольтных приборов, если |Q[s]| и температура T достаточно малы (|Q[s]|<4 нКл/см{2}, T<270 K для кремниевых и |Q[s]|<58 нКл/см{2}, T<600 K для карбид-кремниевых приборов).

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/03/p372-378.pdf

Найти похожие

12.

537.533/.534
К 995

Кюрегян, А. С.
Теория стационарных плоских волн туннельно-ударной ионизации / А. С. Кюрегян // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 7. - С. 970-978 : ил. - Библиогр.: с. 977-978 (22 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

537.533/.534

ББК 22.338
Рубрики: Физика
Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях
Кл.слова (ненормированные):
ударная ионизация -- плоские волны -- теоретический анализ -- туннелирование -- лавинный пробой -- затравочные электроны -- скорость -- волны -- туннельная ионизация -- напряженность -- теория волн
Аннотация: Проведен теоретический анализ влияния межзонного и примесного туннелирования на свойства стационарных плоских волн ионизации в p[+]-n-n[+]-структурах. Показано, что в качественном отношении такие волны туннельно-ударной ионизации не отличаются от обычных волн ударной ионизации, распространяющихся за счет лавинного размножения однородно распределенных затравочных электронов и дырок. Количественные отличия волн туннельно-ударной ионизации от волн ударной ионизации сводятся к несколько иному соотношению между скоростью волны u и максимальной напряженностью поля E[M] на фронте. Показано, что пренебрежение ударной ионизацией не исключает возможность существования волн туннельной ионизации, однако их структура радикально изменяется, а скорость сильно уменьшается при том же значении E[M]. Сравнение зависимостей u (E[M]) для различных типов волн ионизации позволило определить условия, при которых один из них является преобладающим. В заключение обсуждены еще нерешенные вопросы теории волн туннельно-ударной ионизации и намечены направления дальнейших исследований.
The effect of band-to-band and trap-assisted tunneling on the properties of stationary plane ionization waves in p[+]-n-n[+]-structures has been theoretically analyzed. It is shown that in qualitative terms, such tunnel-impact ionization waves (TIIW) do not differ from the usual impact ionization waves (IIW), spreading due to the avalanche multiplication of uniformly distributed seed electrons and holes. Quantitative differences of TIIW from IIW are reduced to a somewhat different relationship between the wave velocity u and maximum field strength E[M] at the front. It is shown that neglecting the impact ionization does not exclude the possibility of existence of tunneling ionization waves, but their structure is radically changed, and the speed is greatly reduced at the same value E[M]. Comparison of the dependences u (E[M]) for various types of ionization waves makes it possible to determine conditions under which one of them is predominant. In conclusion, the still unresolved problems in the theory of TIIW are discussed and lines of further investigations are outlined.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/07/p970-978.pdf

Найти похожие

13.

539.2
К 995

Кюрегян, А. С.
Пикосекундное переключение высоковольтных обратносмещенных p{+}-n-n{+}-структур в проводящее состояние при импульсном освещении / А. С. Кюрегян // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 12. - С. 1686-1692 : ил. - Библиогр.: с. 1692 (18 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

539.2

621.315.592

ББК 22.37 + 31.233
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
   Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
аналитические модели -- импульсное освещение -- численное моделирование -- высоковольтные структуры -- световой импульс -- обратносмещенные структуры -- пикосекундное переключение
Аннотация: Построена аналитическая теория пикосекундного переключения высоковольтных обратносмещенных p{+}-n-n{+}-структур в проводящее состояние при воздействии импульсного освещения и проведено численное моделирование этого процесса. Объединение результатов теории и моделирования позволило получить простые соотношения между параметрами структуры, светового импульса, внешней цепи и основными характеристиками процесса - амплитудой импульса тока активной нагрузки и длительностью процесса коммутации.
An analytical theory of high-voltage reverse biased p{+}? n? n{+}-structures picosecond switching into conducting state by pulsed lighting has been developed and a numerical simulation of this process has been performed. Combining the results of theory and simulation allowed us to obtain a simple relation between the parameters of structure, light pulse, external circuit and main characteristics of the process - the load current pulse amplitude and duration of switching process.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/12/p1686-1692.pdf

Доп.точки доступа:
Всероссийский электротехнический институт им. В. И. Ленина (Москва)

Найти похожие

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)