Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

Найдено в других БД:

Электронный каталог (2)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Елесин, В. Ф.$<.>)

Общее количество найденных документов : 13
Показаны документы с 1 по 13

530.1
Е 508

Елесин, В. Ф.
Высокочастотный отклик двухъямных наноструктур [Текст] / В. Ф. Елесин // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2005. - Т. 127, N 1. - Библиогр.: с. 140 . - ISSN 0044-4510

УДК

530.1

ББК 22.31
Рубрики: Физика--Теоретическая физика
Кл.слова (ненормированные):
наноструктуры -- двухъямные наноструктуры -- электроны -- туннелирование -- когерентное туннелирование -- электромагнитное поле -- высокочастотные отклики
Аннотация: Развита последовательная аналитическая теория когерентного резонансного туннелирования электронов в двухъямной наноструктуре в присутствии слабого электромагнитного поля. Деляется вывод о перспективности двухъямной наноструктуры для создания генераторов в терагерцовом диапазоне.

Найти похожие

539.2
Е 50

Елесин, В. Ф.
Явления абсолютной отрицательной проводимости в неравновесных трехмерных полупроводниках [Текст] / В. Ф. Елесин // Успехи физических наук. - 2005. - Т. 175, N 2. - С. 197-201. - Библиогр.: с. 201 (22 назв. ). - ил.: 5 рис. . - ISSN 0042-1294

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
сессии -- отрицательные проводимости -- трехмерные полупроводники -- двумерные гетероструктуры -- двумерные структуры
Аннотация: Представлены: эффект абсолютной отрицательной проводимости на неравновесных электронах, взаимодействующих с оптическими фононами и эффект абсолютной отрицательной проводимости в поперечном квантующем магнитном поле.

Найти похожие

537.611.45
Е 50

Елесин, В. Ф.
Сосуществование ферромагнетизма и неоднородной сверхпроводимости [Текст] / В. Ф. Елесин, В. В. Капаев, Ю. В. Копаев // Успехи физических наук. - 2004. - Т. 174, N 9. - С. 1017-1022. - Библиогр.: с. 1022 (14 назв. ). - ил.: 8 рис. . - ISSN 0042-1294

УДК

537.611.45

ББК 22.33
Рубрики: Физика--Физика твердого тела--Электричество и магнетизм
Кл.слова (ненормированные):
сессии -- ферромагнетизм -- сверхпроводимость -- неоднородная сверхпроводимость -- антиферромагнетики -- магнитные поля -- магнетизм -- купраты -- третья сфера
Аннотация: Показано, что неучтенные процессы перескока на центры третьей сферы, превосходящие в купратах процессы перескока на центры второй сферы, существенно меняют ситуацию по существованию. Сверхпроводящее состояние с большим суммарным импульсом пар может сосуществовать с ферромагнитным при достаточно большой величине намагниченности.

Доп.точки доступа:
Капаев, В. В.; Копаев, Ю. В.

Найти похожие

530.1
Е 508

Елесин, В. Ф.
Эффект Мейсснера в сверхпроводниках с конечным импульсом пар [Текст] / В. Ф. Елесин // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 131, N 5. - С. 938-948. - Библиогр.: с. 948 . - ISSN 0044-4510

УДК

530.1

ББК 22.31
Рубрики: Физика--Теоретическая физика
Кл.слова (ненормированные):
спаривание; конечный импульс спаривания; конечный импульс пар; сверхпроводники; эффект Мейсснера; Мейсснера эффект
Аннотация: Расчет отклика на внешнее слабое магнитное поле и анализ особенностей эффекта Мейсснера сверхпроводников, у которых спаривание идет с конечным значением импульса.

Найти похожие

621.315.592
Е 508

Елесин, В. Ф.
Высокочастотные свойства двухъямных наноструктур [Текст] / В. Ф. Елесин, авт. И. Ю. Катеев // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, Вып. 5. - С. 586-590 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
двухъямные наноструктуры -- наноструктуры -- генерация -- терагерцевый диапазон -- коэффициенты отражения -- эффективность излучения -- уравнение Шредингера -- Шредингера уравнение
Аннотация: На основе аналитического и численного решения уравнения Шредингера рассчитаны активный ток поляризации и эффективность излучения двухъямной наноструктуры в широком интервале амплитуд переменных электромагнитных полей. Показано, что возможна генерация в актуальном терагерцовом диапазоне с плавной перестройкой частоты и эффективностью, близкой к максимальной. Изучено поведение коэффициента отражения электронов от структуры, который обращается в нуль при максимальной эффективности.

Доп.точки доступа:
Катеев, И. Ю.

Найти похожие

Метастабильный кластер гелия He{*}[4] [Текст] / В. Ф. Елесин [и др. ] // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2005. - Т. 128, N 1. - С. 54-66. - Библиогр.: с. 66 . - ISSN 0044-4510

УДК

^a530.1

ББК 22.31
Рубрики: Физика
Теоретическая физика
Кл.слова (ненормированные):
кластер гелия -- гелий -- метастабильный кластер -- спин-поляризованные триплетные молекулы -- молекулы
Аннотация: Предсказано существование метастабильного кластера He{*}[4] с полным спином S = 2, состоящего из двух ковалентно-связанных возбужденных спин-поляризованных триплетных молекул He{*}[4] и имеющего прямоугольную форму.

Доп.точки доступа:
Елесин, В. Ф.; Дегтяренко, Н. Н.; Матвеев, Н. В.; Подливаев, А. И.; Опенов, Л. А.

Найти похожие

Елесин, В. Ф.
Перестраиваемый терагерцовый генератор на двухъямной наноструктуре с когерентной электронной подсистемой [Текст] / В. Ф. Елесин // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2005. - Т. 128, N 5. - С. 922-937. - Библиогр.: с. 937 . - ISSN 0044-4510

УДК

^a530.1

ББК 22.31
Рубрики: Физика
Теоретическая физика
Кл.слова (ненормированные):
терагерцовый генератор -- двухъямная наноструктура -- когерентная электронная подсистема -- электроны -- когерентное резонансное туннелирование электронов -- электромагнитное поле -- генерация электромагнитного поля -- генераторы -- резонансное туннелирование электронов -- электронная подсистема
Аннотация: Изучена двухъямная наноструктура (ДНС), состоящая из двух туннельно связанных одинаковых ям, к которым приложено постоянное электрическое напряжение V[dc]. Такая структура дает возможность генерации электромагнитного поля в актуальном терагерцовом диапазоне (труднодостижимом для каскадных лазеров) с плавной перестройкой частоты и облегчает выполнение условий когерентности (поскольку частота генерации меньше частоты оптического фонона), сохраняя присущие когерентному лазеру преимущества.

Найти похожие

Елесин, В. Ф.
Нелинейный отклик двухъямной наноструктуры с учетом межэлектронного взаимодействия [Текст] / В. Ф. Елесин, И. Ю. Катеев, М. А. Ремнев // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 2. - С. 269-273

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
наноструктуры -- двухъямные наноструктуры -- межэлектронное взаимодействие -- уравнения Шредингера -- Шредингера уравнения -- приближение Хартри-Фока -- Хартри-Фока приближение
Аннотация: С помощью самосогласованного решения уравнений Шредингера в приближении Хартри-Фока исследовано влияние межэлектронного взаимодействия на высокочастотные характеристики двухъямной наноструктуры. Рассчитаны отклик и эффективность излучения в структуре в сильном и слабом переменном электромагнитном поле. Показано, что межэлектронное взаимодействие не приводит к заметному снижению эффективности излучения и изменению резонансной частоты.

Доп.точки доступа:
Катеев, И. Ю.; Ремнев, М. А.

Найти похожие

Ремнев, М. А.
Влияние спейсерных слоев на вольт-амперные характеристики резонансно-туннельного диода [Текст] / М. А. Ремнев, И. Ю. Катеев, В. Ф. Елесин // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 8. - С. 1068-1073 : ил. - Библиогр.: с. 1072-1073 (21 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
резонансно-туннельные диоды -- РТД -- спейсерные слои -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- спейсеры эмиттера -- уравнения Шредингера -- Шредингера уравнения -- отрицательная дифференциальная проводимость -- ОДП -- двуямная наноструктура -- ДНС
Аннотация: При помощи численного решения уравнения Шредингера получены вольт-амперные характеристики резонансно-туннельного диода со спейсерными слоями (спейсерами). Построены зависимости пикового тока резонансно-туннельного диода от ширины спейсера эмиттера. Показано, что пиковый ток зависит периодическим образом от ширины спейсера эмиттера. Построенные диаграммы плотности электронов показали, что увеличение пикового тока связано с резонансным уровнем в области спейсера эмиттера.

Доп.точки доступа:
Катеев, И. Ю.; Елесин, В. Ф.

Найти похожие

10.

620.1/.2
Е 508

Елесин, В. Ф.
Моделирование влияния межэлектронного взаимодействия на стационарные характеристики резонансно-туннельного диода со спейсерными слоями [Текст] / В. Ф. Елесин, М. А. Ремнев, И. Ю. Катеев // Известия вузов. Физика. - 2009. - Т. 52, N 11. - С. 67-72. - Библиогр.: c. 72 (15 назв. ) . - ISSN 0201-7385

УДК

620.1/.2

ББК 30.3
Рубрики: Техника
Материаловедение
Кл.слова (ненормированные):
квантовые приборы -- межэлектронное взаимодействие -- Пуассона уравнения -- резонансно-туннельные диоды -- РТД -- спейсеры -- уравнения Пуассона -- уравнения Шредингера -- Шредингера уравнения
Аннотация: При помощи самосогласованного решения уравнений Шредингера и Пуассона исследовано влияние межэлектронного взаимодействия на стационарные характеристики резонансно-туннельного диода (РТД) со спейсерными слоями. Было показано, что межэлектронное взаимодействие существенно влияет на вольт-амперные характеристики РТД, в частности уменьшает плотность пикового тока и смещает положение максимумов на зависимости пикового тока от размера спейсера эмиттера. Также было показано, что гистерезис на вольт-амперных характеристиках РТД при определенных размерах спейсеров пропадает.

Доп.точки доступа:
Ремнев, М. А.; Катеев, И. Ю.

Найти похожие

11.

53:51
М 744

Моделирование сверхпроводников на основе временных уравнений Гинзбурга-Ландау [Текст] / К. С. Гришаков [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2009. - Т. 52, N 11. - С. 92-102. - Библиогр.: c. 101-102 (10 назв. ) . - ISSN 0201-7385

УДК

53:51

ББК 22.311
Рубрики: Физика
Математическая физика
Кл.слова (ненормированные):
Гинзбурга-Ландау уравнения -- метод конечных элементов -- метод сеточной аппроксимации -- намагниченность -- сверхпроводники -- сверхток -- транспортный ток -- уравнения Гинзбурга-Ландау
Аннотация: Представлены результаты моделирования намагничивания сверхпроводников на основе численного решения временных уравнений Гинзбурга-Ландау. Использовались методы сеточной аппроксимации уравнений и метод конечных элементов. Рассчитаны и визуализированы двумерные картины изменения параметра порядка и распределения сверхтока в сверхпроводниках различной конфигурации.

Доп.точки доступа:
Гришаков, К. С.; Дегтяренко, П. Н.; Дегтяренко, Н. Н.; Елесин, В. Ф.; Круглов, В. С.

Найти похожие

12.

546
М 744

Моделирование синтеза и диссоциации азотного кластера N[4] с симметрией D[2H] [Текст] / В. Ф. Елесин [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2009. - Т. 52, N 11. - С. 103-112. - Библиогр.: c. 112 (14 назв. ) . - ISSN 0201-7385

УДК

546

ББК 24.1
Рубрики: Химия
Общая и неорганическая химия в целом
Кл.слова (ненормированные):
азот -- возбужденное состояние (физика) -- квантовое многоконфигурационное приближение -- кластеры -- наноструктуры -- плотность энергии -- химическое возбуждение -- электронные спектры
Аннотация: В рамках квантового многоконфигурационного приближения проведено моделирование синтеза основного и возбужденных состояний кластера N[4] из молекул N[2], находящихся в различных начальных состояниях. Найдены потенциальные барьеры, препятствующие образованию и распаду кластера. Исследование электронного спектра N[4] показало, что теоретически наиболее перспективным путем создания азотных наноструктур является сжатие возбужденных молекул N[2].

Доп.точки доступа:
Елесин, В. Ф.; Дегтяренко, Н. Н.; Пажитных, К. С.; Матвеев, Н. В.

Найти похожие

13.

539.2
Г 340

Генерация низкочастотных высших гармоник в резонансно-туннельном диоде / В. Ф. Елесин [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 7. - С. 983-988 : ил. - Библиогр.: с. 988 (12 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

539.2

621.315.592

ББК 22.37 + 31.233
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
   Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
низкочастотные гармоники -- резонансно-туннельные диоды -- адиабатические пределы -- уравнения Шредингера -- Шредингера уравнения -- токи -- электромагнитные поля -- наноструктуры -- квантовые структуры
Аннотация: Экспериментально и теоретически исследовано поведение высших гармоник резонансно-туннельного диода в адиабатическом пределе. В рамках численного решения временного уравнения Шредингера с открытыми граничными условиями рассчитаны токи первых трех гармоник. Показано, что поведение токов качественно согласуется с экспериментальными данными и с результатами простой модели, используемой нами ранее. Показана возможность генерации электромагнитного поля на частотах, кратных номеру гармоники.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/07/p983-988.pdf

Доп.точки доступа:
Елесин, В. Ф.; Катеев, И. Ю.; Сукочев, А. Ю.; Безотосный, И. Ю.; Бежко, М. П.; Национально исследовательский ядерный университет "МИФИ" (Москва); Физико-технологический институт РАН (Москва); Национально исследовательский ядерный университет "МИФИ" (Москва); Национально исследовательский ядерный университет "МИФИ" (Москва); Национально исследовательский ядерный университет "МИФИ" (Москва)

Найти похожие

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)