Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Горай, Л. И.$<.>)

Общее количество найденных документов : 6
Показаны документы с 1 по 6

539.2
Г 670

Горай, Л. И.
Внеплоскостная скользящего падения решетка с блеском и радиальными штрихами как эффективный спектральный фильтр для КУФ-литографии [Текст] / Л. И. Горай // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2007. - N 6. - С. 73-78 . - ISSN 0207-3528

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
КУФ-литография -- спектральные фильтры -- дифракционная решетка -- внеплоскостная решетка -- решетка скользящего падения
Аннотация: Установлено, что применение отражающей дифракционной решетки с большим углом блеска, работающей во внеплоскостной скользящей конфигурации, позволяет отделить и сфокусировать полосу в 2% окрестности длины волны 13. 5 нм. Модель охлаждаемой составной решетки, имеющей веерную геометрию штрихов, используется для отделения требуемого спектрального диапазона и получения рекордной эффективности и стигматической фокусировки изображения при высокой дисперсии соседних порядков.

Найти похожие

Горай, Л. И.
Внеплоскостная ламельная решетка скользящего падения в качестве делителя пучка 1 Ангстрем-лазера на свободных электронах [Текст] / Л. И. Горай // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2008. - N 10. - С. 38-42 . - ISSN 0207-3528

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
ламельная решетка -- рентгеновский лазер на свободных электронах -- делитель пучка (физика) -- свободные электроны -- рентгеновское излучение -- коническая дифракция
Аннотация: Для экспериментов с когерентным пучком в области физики плазмы и атомной физики с использованием рентгеновского лазера на свободных электронах (РЛСЭ) предложен делитель пучка на основе дифракционной решетки, работающей в скользящей конической дифракции. Подобный делитель пучка может обеспечить неискаженные волновые фронты, рассеивание мощного излучения и разделение пучками, которые с задержкой распространяются по различным траекториям до камеры с объектом концевой станции РЛСЭ. С помощью разработанного для коротковолнового диапазона кода PCGrate®, основанного на строгой электромагнитной теории, показано, что плоская решетка с ламельным профилем штрихов определенной глубины, работающая в скользящей конической установке (штрихи параллельны падающему пучку), разделяет три пучка в –1, 0 и +1 порядки с близкой дифракционной эффективностью. Предложенная решетка, помимо дифракционных, технологических и конструктивных преимуществ перед делителем пучка на основе набора совершенных кристаллов, может быть изготовлена и протестирована с помощью разработанных в настоящее время методов.

Найти похожие

Горай, Л. И.
Определение углов наклона и высот граней квантовых точек из анализа диффузного и зеркального рентгеновского рассеяния [Текст] / Л. И. Горай, Н. И. Чхало, Г. Э. Цырлин // Журнал технической физики. - 2009. - Т. 79, N 4. - С. 117-124. - Библиогр.: c. 124 (19 назв. ) . - ISSN 0044-4642

УДК

^a539.21:535

ББК 22.374
Рубрики: Физика
Оптические свойства твердых тел
Кл.слова (ненормированные):
квантовые точки -- рентгеновское рассеяние -- рентгеновская рефлектометрия -- многослойные ансамбли квантовых точек
Аннотация: С помощью высокоразрешающей скользящей рентгеновской рефлектометрии (ВСРР) проведен анализ рентгеновского рассеяния на образцах с многослойными ансамблями квантовых точек (КТ), выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии в системе In (Ga) As/GaAs. Впервые экспериментально обнаружены пики интенсивности диффузного рассеяния для структур как с коррелированными по вертикали, так и некоррелированными КТ. Показано, что положение пика полностью определяется углом наклона alpha пирамидальных граней КТ (так называемое "условие блеска дифракционных решеток"), что ранее было предсказано теоретически. Сравнение с результатами моделирования рассеяния на основе метода граничных интегральных уравнений показывает, что простое геометрическое условие позволяет точно определять значение alpha по положению пика интенсивности, форма которого определяется многими параметрами. Как следует из теории и эксперимента, ширина и высота пиков, полученных для образца с коррелированными по вертикали КТ, больше, чем в противоположном случае. По положению и амплитуде брэгговских пиков определены величины шероховатости/взаимодиффузии интерфейсов и высота КТ. Таким образом, традиционное использование ВСРР для определения параметров сверхрешетки и несовершенства границ расширено в предложенном методе до определения геометрии КТ.

Доп.точки доступа:
Чхало, Н. И.; Цырлин, Г. Э.

Найти похожие

Горай, Л. И.
Обнаружение квазипериодических граней {11n}, n=7-11 в образцах с Ge/Si квантовыми точками с помощью рентгеновской рефлектометрии скользящего падения [Текст] / Л. И. Горай, Н. И. Чхало, Ю. А. Вайнер // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 3. - С. 31-38 : ил. - Библиогр.: с. 38 (11 назв. ) . - ISSN 0320-0116

УДК

^a621.371.8

ББК 32.86-5
Рубрики: Радиоэлектроника
Квантовые приборы
Кл.слова (ненормированные):
квазипериодические грани -- квантовые точки -- рефлектометрия -- рентгеновские кванты -- рентгеновское излучение -- дифрактометрия -- зеркальное рассеяние -- диффузное рассеяние -- скользящее падение -- самоорганизующиеся структуры -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- квантовые точки -- In (Ga) As/GaAs -- Ge/Si
Аннотация: С помощью высокоразрешающей рентгеновской рефлектометрии скользящего падения получены экспериментальные и теоретические данные интенсивности зеркального и диффузного отражения самоорганизующихся структур, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии с однослойными незарощенными и многослойными зарощенными Ge/Si квантовыми точками (КТ). Из положения пиков диффузного рассеяния в прямом пространстве с помощью методики, ранее примененной для исследования In (Ga) As/GaAs KT, были измерены с точностью ± 0, 1 градус углы наклона квазипериодических граней. Обнаруженные в образцах с неупорядоченными Ge/Si KT грани {11n}, n=7-11, характерные для ямок роста упорядоченных КТ, свидетельствуют об общности моделей образования КТ.

Доп.точки доступа:
Чхало, Н. И.; Вайнер, Ю. А.

Найти похожие

519.6
Г 670

Горай, Л. И.
Скалярные и электромагнитные свойства дифракционных решеток для рентгеновского излучения [Текст] / Л. И. Горай, авт. // Известия РАН. Серия физическая. - 2005. - Т. 69, N 2. - С. 211-215. - Библиогр.: с. 215 (14 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

519.6

ББК 22.19
Рубрики: Математика
Вычислительная математика
Кл.слова (ненормированные):
рентгеновская оптика -- волны -- свойства решеток -- решетки -- рентгеновские решетки -- электромагнитные свойства решеток -- рентгеновские излучения -- излучения -- скалярная теория дифракции -- векторные электромагнитные подходы
Аннотация: Определены ограничения скалярной теории дифракции при анализе эффективности рентгеновских решеток и показана необходимость использования векторных электромагнитных подходов.

Найти похожие

539.2
В 586

Влияние наномостиков на спектр излучения туннельной пары квантовая точка-квантовая яма / В. Г. Талалаев [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 9. - С. 1209-1216 : ил. - Библиогр.: с. 1215 (18 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

539.2

621.315.592

ББК 22.37 + 31.233
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
   Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
спектральный диапазон -- оптические переходы -- квантовые точки -- квантовые ямы -- наномостики -- осцилляторы -- электрические поля -- электролюминесценция -- люминесценция -- токи -- спектры излучений -- плотность тока -- барьеры -- арсенидгаллиевые структуры
Аннотация: В узком спектральном диапазоне 950-1000 нм получено излучение на оптическом переходе NB с участием экспериментально и теоретически наблюдаемых гибридных состояний в системе на основе InGaAs: квантовая точка-наномостик-квантовая яма. Экспериментально показано, что сила осциллятора нового перехода резко возрастает во встроенном электрическом поле pin-перехода. В режиме слабых токов в изучаемой системе переход NB является доминирующим каналом электролюминесценции. При плотности тока > 10 A x см{-2} обнаружено "выгорание" наномостиков, после чего система становится "квазиклассической" туннельной парой из квантовой точки и квантовой ямы, разделенных барьером.
The emission in narrow spectral range of 950-1000 nm has been produced by the optical transition NB between experimentally and theoretically observed hybrid states of the InGaAs system: quantum dot-nanobridge-quantum well. Luminescent experiments show that the oscillator strength of the new transition significantly grows in the electric built-in field of pin-junction. In the weak current regime in the system the NB transition is the main channel of electroluminescence. At the current density > 10 A x cm{-}2 the nanobridge "burning" is observed, after that the system transforms into a "quasiclassical" tunnel pair of quantum dot and quantum well separated by barrier.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/09/p1209-1216.pdf

Доп.точки доступа:
Талалаев, В. Г.; Цырлин, Э. Г.; Горай, Л. И.; Новиков, Б. В.; Лабзовская, М. Э.; Tomm, J. W.; Werner, P.; Fuhrmann, B.; Schilling, J.; Racec, P. N.; Max Planck Institute of Microstructure Physics (Germany); Институт физики им. В. А. Фока (Санкт-Петербург); Санкт-Петербургский академический университет Российской академии наук; Санкт-Петербургский государственный университет; Институт физики им. В. А. Фока (Санкт-Петербург); Санкт-Петербургский государственный университет; Институт физики им. В. А. Фока (Санкт-Петербург); Санкт-Петербургский государственный университет; Max Born Institute for Nonlinear Optics and Short Pulse Spectroscopy (Germany); Max Planck Institute of Microstructure Physics (Germany)Martin Luther University, Interdisciplinary Center of Materials Science (Germany); Martin Luther University Halle-Wittenberg, ZIK SiLi-nano (Germany); Институт физики им. В. А. Фока (Санкт-Петербург); Санкт-Петербургский государственный университет; Martin Luther University Halle-Wittenberg, ZIK SiLi-nano (Germany); Max Born Institute for Nonlinear Optics and Short Pulse Spectroscopy (Germany); Санкт-Петербургский академический университет Российской академии наук; Институт аналитического приборостроения Российской академии наук (Санкт-Петербург); Санкт-Петербургский государственный политехнический университет; Санкт-Петербургский академический университет Российской академии наук; Институт аналитического приборостроения Российской академии наук (Санкт-Петербург); Max Planck Institute of Microstructure Physics (Germany)

Найти похожие

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)