Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Агапов, Б. Л.$<.>)

Общее количество найденных документов : 16
Показаны документы с 1 по 16

616.6
А 23

Агапов, Б. Л.
Особенности строения камней почек [Текст] / Б. Л. Агапов, Л. В. Антипова [и др.] // Известия вузов. Химия и химическая технология. - 2004. - Т. 47, N 1. - С. 96-102. - Библиогр.: с. 102 (11 назв.) . - ISSN 0579-2991

УДК

616.6

ББК 56.9
Рубрики: Здравоохранение. Медицинские науки--Урология
Кл.слова (ненормированные):
болезни почек; микроанализ; почечные камни; рентгеноспектральный микроанализ; урология
Аннотация: Исследование состава и строения камней почек пациентов Воронежского региона проведено методом рентгеноспектрального микроанализа (РСМА).

Доп.точки доступа:
Антипова, Л. В.; Безрядин, Н. Н.; Вахтель, В. М.; Кузьменко, А. В.; Кузьменко, В. В.; Нагибина, Н. А.

Найти похожие

621.315.592
А 233

Агапов, Б. Л.
Электронно-микроскопическое исследование наноразмерных структур GaAs (100) - (Ga[2]Se[3]) -GaAs [Текст] / Б. Л. Агапов, Н. Н. Безрядин [и др.] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2007. - N 12. - С. 62-65 . - ISSN 0207-3528

УДК

621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
электроннная микроскопия -- арсенид галлия -- селенид галлия -- наноразмерные структуры
Аннотация: Методами просвечивающей и растровой электронной микроскопии исследованы гетероструктуры GaAs (l00) -Ga[2]Se[3]. Установлена последовательность структурных превращений на поверхности GaAs (100) в процессе ее обработки в парах селена. Обнаружено усиление ориентирующего действия подложки GaAs (100) на рост пленки GaAs в результате предварительной обработки поверхности GaAs (100) в парах селена.

Доп.точки доступа:
Безрядин, Н. Н.; Сыноров, Ю. В.; Котов, Г. И.; Татохин, Е. А.; Стародубцев, А. А.; Кузубов, С. В.

Найти похожие

539.2
К 967

Кущев, С. Б.
Влияние гранулометрического и химического состава MgO на структурно-фазовый и элементный состав грунтового слоя электротехнической стали [Текст] / С. Б. Кущев, С. А. Солдатенко [и др.] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2008. - N 6. - С. 108-112 . - ISSN 0207-3528

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
анизотропная электротехническая сталь -- сталь -- грунтовое покрытие стали -- MgO -- высокотемпературный отжиг
Аннотация: Методами растровой электронной микроскопии, атомно-силовой микроскопии, просвечивающей электронной микроскопии, электронно-зондового микроанализа и рентгеновской дифрактометрии проведены исследования морфологии поверхности, фазового и элементного состава и субструктуры грунтового покрытия электротехнической анизотропной стали.

Доп.точки доступа:
Солдатенко, С. А.; Хрипушин, С. А.; Косилов, А. Т.; Агапов, Б. Л.; Лавров, В. И.; Ларин, Ю. И.

Найти похожие

Роль твердофазных и газофазных взаимодействий между активаторами в композициях MnO[2] + PbO и MnO[2] + V[2]O[5] при их совместном воздействии на термооксидировании GaAs [Текст] / В. Ф. Кострюков [и др. ] // Журнал неорганической химии. - 2007. - Т. 52, N 10. - С. 1600-1604 : граф. - Библиогр.: с. 1604 (8 назв. ) . - ISSN 0044-457X

УДК

^a546

ББК 24.1
Рубрики: Химия
Неорганическая химия
Кл.слова (ненормированные):
нелинейные эффекты -- активаторы -- твердая фаза -- ик-спектры -- масс-спектры -- оксиды марганца -- оксиды ванадия -- оксидные слои -- термическое окисление -- хемостимуляторы
Аннотация: Пространственным разделением оксидов-активаторов в бинарных композициях (MnO[2] + PbO и MnO[2] + V[2]O[5]) выделены области локализации взаимодействий между ними, приводящих к нелинейным эффектам их совместного воздействия на процесс термического окисления GaAs. Обнаружено, что в твердой фазе имеет место взаимное усиление хемостимулирующей активности (положительный нелинейный эффект), в то время как процессы в газовой фазе приводят к существенному отрицательному отклонению от аддитивного совместного хемостимулирующего действия.

Доп.точки доступа:
Кострюков, В. Ф.; Пшестанчик, В. Р.; Донкарева, И. А.; Агапов, Б. Л.; Лопатин, С. И.; Миттова, И. Я.

Найти похожие

Термическое окисление GaAs с участием оксидов-активаторов (MnO + PbO и MnO + V[2]O[5]) при их пространственном разделении [Текст] / В. Ф. Кострюков [и др. ] // Журнал неорганической химии. - 2008. - Т. 53, N 8. - С. 1273-1277 : ил. - Библиогр.: с. 1277 (8 назв. ) . - ISSN 0044-457X

УДК

^a543.62

^a546

ББК 24.44 + 24.12
Рубрики: Химия
Анализ неорганических веществ
Химические элементы и их соединения
Кл.слова (ненормированные):
термическое окисление -- оксиды-активаторы -- ик-спектры -- газовая фаза -- твердофазные взаимодействия -- оксидные слои
Аннотация: Исследовано воздействие композиций оксидов-активаторов (MnO + PbO и MnO + V[2]O[5]) при раздельном и совместном введении компонентов в газовую сферу.

Доп.точки доступа:
Кострюков, В. Ф.; Донкарева, И. А.; Пшестанчик, В. Р.; Агапов, Б. Л.; Лопатин, С. И.; Миттова, И. Я.

Найти похожие

Вклад твердофазных взаимодействий между оксидами-активаторами в нелинейный эффект их совместного воздействия на процесс термооксидирования CaAs [Текст] / И. Я. Миттова [и др. ] // Журнал неорганической химии. - 2008. - Т. 53, N 7. - С. 1099-11-04 : граф. - Библиогр.: с. 1104 (6 назв. ) . - ISSN 0044-457X

УДК

^a543.62

ББК 24.44
Рубрики: Химия
Анализ неорганических веществ
Кл.слова (ненормированные):
оксидные слои -- испарения -- нелинейные эффекты -- термооксидирование -- оксиды--активаторы
Аннотация: Установлены вклады твердофазных и газофазных взаимодействий между оксидами-активаторами композиций оксида свинца (II) +оксида сурьмы (III) и оксида свинца (II) +оксида висмута (III) в общий процесс термического окисления арсенида галия.

Доп.точки доступа:
Миттова, И. Я.; Кострюков, В. Ф.; Пшестанчик, В. Р.; Донкарева, И. А.; Агапов, Б. Л.

Найти похожие

Состав и параметры доменов, образующихся в результате спинодального распада четверных твердых растворов в эпитаксиальных гетероструктурах GaInP/Ga[x]In[1-x]As[y]P[1-y]/GaInP/GaAs (001) [Текст] / Э. П. Домашевская [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып: вып. 9. - С. 1086-1093 . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
домены -- эпитаксиальные гетероструктуры -- спинодальный распад -- наногетероструктуры -- закон Вегарта -- Вегарта закон -- уравнение Куфала -- Куфала уравнение
Аннотация: Исследованы структурные и оптические свойства двухслойных и трехслойных эпитаксиальных гетероструктур, содержащих слои четверного твердого раствора Ga[x]In[1-x]AsyP[1-y]. В трехслойных гетероструктурах обнаружено образование доменов в результате спинодального распада четверного твердого раствора. В результате в спектрах фотолюминесценции возникает дополнительная длинноволновая полоса, а на дифрактограммах линии (006) появляется дополнительный дублет CuK[aльфа1, 2]-линии. На основании закона Вегарда и уравнения Куфала определены составы доменов.

Доп.точки доступа:
Домашевская, Э. П.; Гордиенко, Н. Н.; Румянцева, Н. А.; Середин, П. В.; Агапов, Б. Л.; Битюцкая, Л. А.; Арсентьев, И. Н.; Вавилова, Л. С.; Тарасов, И. С.

Найти похожие

Эффекты перколяции при электроосождении меди в ионообменник [Текст] / М. Ю. Чайка [и др. ] // Электрохимия. - 2008. - Т. 44, N 7. - С. 857-864 : 7 рис., 2 табл. - Библиогр. в конце ст. . - ISSN 0424-8570

УДК

^a544.6

ББК 24.57
Рубрики: Химия
Электрохимия
Кл.слова (ненормированные):
ионообменники -- допирование -- электроосаждение -- медь -- перколяция
Аннотация: Предварительное допирование приводит к изменению механизма зародышеобразования и позволяет осуществить электрохимическое осаждение меди по всему объему зерна ионообменника, что подтверждается данными ЛРСМА и электронной микроскопией.

Доп.точки доступа:
Чайка, М. Ю.; Кравченко, Т. А.; Конев, Д. В.; Крысанов, В. А.; Агапов, Б. Л.

Найти похожие

Микроэмульсионный способ получения гидроксиапатита [Текст] / Н. И. Пономарева [и др. ] // Журнал общей химии. - 2010. - Т. 80, вып: вып. 5. - С. 735-738. - Библиогр.: с. 738 . - ISSN 0044-460X

УДК

^a544.77

ББК 24.66
Рубрики: Химия
Грубодисперсные системы
Кл.слова (ненормированные):
гидроксиапатит -- наночастицы гидроксиапатита -- микроэмульсионный способ получения -- способы получения -- микроэмульсионные системы
Аннотация: Получены наночастицы гидроксиапатита в процессе реакции, протекающей в микроэмульсионной системе.

Доп.точки доступа:
Пономарева, Н. И.; Попрыгина, Т. Д.; Карпов, С. И.; Лесовой, М. В.; Агапов, Б. Л.

Найти похожие

10.

543.62
К 825

Кристаллическая структура и состав биокомпозитов гидроксиапатита, полученных при избытке иона кальция [Текст] / Б. Л. Агапов [и др.] // Журнал общей химии. - 2009. - Т. 79, вып. 2. - С. 198-202. - Библиогр.: с. 202 . - ISSN 0044-460X

УДК

543.62

ББК 24.44
Рубрики: Химия
Анализ неорганических веществ
Кл.слова (ненормированные):
кальций -- кристаллическая структура -- ионы кальция -- биокомпозиты гидроксиапатита -- избыток иона кальция -- состав биокомпозитов гидроксиапатита
Аннотация: Исследованы кристаллическая структура и состав биокомпозитов гидроксиапатита, полученных при избытке иона кальция.

Доп.точки доступа:
Агапов, Б. Л.; Пономарева, Н. И.; Лесовой, М. В.; Попрыгина, Т. Д.; Соколов, Ю. В.

Найти похожие

11.

621.315.592
И 889

Исследования морфологических особенностей роста и оптических характеристик многослойных образцов пористого кремния, выращенных на подложках n-типа с эпитаксиально нанесенным p{+}-слоем [Текст] / А. С. Леньшин [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 8. - С. 1101-1107 : ил. - Библиогр.: с. 1107 (12 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592

535.37

ББК 31.233 + 22.345
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
   Физика
   Люминесценция
Кл.слова (ненормированные):
пористый кремний -- ПК -- морфологические особенности -- оптические характеристики -- подложки -- электрохимическое травление -- ЭХТ -- инфракрасные спектры -- ИК спектры -- фотолюминесценция
Аннотация: Исследованы особенности роста многослойного пористого кремния со слоями различной пористости, полученного электрохимическим травлением на пластине монокристаллического кремния n-типа (111) с эпитаксиально сформированным на поверхности p{+}-слоем. Установлена возможность получения многослойной системы упорядоченных пор различного размера в рамках одного технологического цикла и показаны различия в оптических характеристиках отдельных слоев полученной структуры.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/08/p1101-1107.pdf

Доп.точки доступа:
Леньшин, А. С.; Кашкаров, В. М.; Середин, П. В.; Минаков, Д. А.; Агапов, Б. Л.; Кузнецова, М. А.; Мошников, В. А.; Домашевская, Э. П.

Найти похожие

12.

538.915:621.318.1
С 667

Состав и строение слоев нанопористого кремния с гальванически осажденным Fe и Co [Текст] / В. М. Кашкаров [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 4. - С. 484-490 : Рис. - Библиогр.: c. 490 (27 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

538.915:621.318.1

ББК 22.3
Рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
железо -- кобальт -- пористый кремний -- фазовый состав -- экспериментальные исследования -- гальваническое осаждение -- методы исследования -- электрохимическое травление -- XANES
Аннотация: Методами USXES, XANES и SEM исследованы морфология и фазовый состав пористого кремния с гальванически осажденными частицами Fe и Co.

Доп.точки доступа:
Кашкаров, В. М.; Леньшин, А. С.; Попов, А. Е.; Агапов, Б. Л.; Турищев, С. Ю.

Найти похожие

13.

539.21:535
О-627

Оптические свойства пористого кремния, обработанного в тетраэтилортосиликате / A. C. Леньшин [и др.] // Журнал технической физики. - 2013. - Т. 83, № 2. - С. 136-140. - Библиогр.: c. 140 (12 назв. ) . - ISSN 0044-4642

УДК

539.21:535

ББК 22.374
Рубрики: Физика
Оптические свойства твердых тел
Кл.слова (ненормированные):
пористый кремний -- тетраэтилортосиликат -- высокотемпературный отжиг -- электрохимическое травление -- кремний -- фотолюминесценция -- защита поверхности от загрязнений
Аннотация: Исследовано изменение состава и оптических свойств пористого кремния (por-Si), полученного электрохимическим травлением пластины монокристаллического кремния n-типа (111), под воздействием высокотемпературного отжига и обработки в тетраэтилортосиликате (ТЭОС). Показано, что и обработка в ТЭОС, и отжиг препятствуют загрязнению образцов при длительном хранении на атмосфере. При этом обработка пористого кремния в ТЭОС оставляет неизменным положение пика фотолюминесценции (ФЛ) и меньше гасит ФЛ по сравнению с результатами отжига por-Si. Это обстоятельство повышает надежность оптоэлектронных устройств на пористом кремнии.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2013/02/p136-140.pdf

Доп.точки доступа:
Леньшин, A. C.; Кашкаров, B. M.; Ципенюк, B. H.; Середин, П. В.; Агапов, Б. Л.; Минаков, Д. А.; Домашевская, Э. П.

Найти похожие

14.

539.2
О-754

Особенности структурных и оптических свойств пористого кремния, полученного в p+-эпитаксиальном слое на n-Si(111) / А. С. Леньшин [и др.] // Журнал технической физики. - 2013. - Т. 83, № 3. - С. 96-100. - Библиогр.: c. 100 (9 назв. ) . - ISSN 0044-4642

УДК

539.2

537.311.33

ББК 22.37 + 22.379
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
пористый кремний -- растровая электронная микроскопия -- многокристальная рентгеновская дифракция -- анодное травление -- дрейф дифракционного пика -- фотолюминесценция
Аннотация: Методами растровой электронной микроскопии и многокристальной рентгеновской дифракции исследованы особенности структурных и оптических свойств пористого кремния, полученного анодным травлением пластины n-Si (111) с p+-гомоэпитаксиальным слоем на одной из сторон. Найдено существенное отличие микроструктуры с обеих сторон образца. При старении в течение 4. 5 месяцев наблюдался дрейф дифракционного пика por-Si от пика подложки на deltatheta=-42'' и -450'' для n-Si и p+-Si пористых слоев соответственно. Полоса фотолюминесценции, полученная от p+-слоя образца, в 2 раза уже полосы ФЛ от n-слоя при практически одинаковой интенсивности и сдвинута в сторону меньших длин волн (больших энергий) на 0. 4 eV.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2013/03/p96-100.pdf

Доп.точки доступа:
Леньшин, А. С.; Кашкаров, В. М.; Минаков, Д. А.; Агапов, Б. Л.; Домашевская, Э. П.; Ратников, В. В.; Сорокин, Л. М.

Найти похожие

15.

539.2
О-627

Оптические характеристики различных структур пористого кремния / А. С. Леньшин [и др.]. // Журнал технической физики. - 2014. - Т. 84, № 2. - С. 70-75. - Библиогр.: c. 74-75 (18 назв. ) . - ISSN 0044-4642

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
пористый кремний -- нанопористый кремний -- мезопористый кремний -- макропористый кремний -- многослойные пористые структуры -- фотолюминесценция -- ИК-спектры -- кремний
Аннотация: Исследованы особенности морфологии, состава и оптических свойств пористого кремния, полученного на подложках монокристаллического кремния, а также p-n-переходах. Для получения нано-, мезо- и макропористого кремния, а также многослойных пористых структур варьировались ориентация подложки, тип проводимости и состав травителя. Обнаружена корреляция между интенсивностью фотолюминесценции образцов и интенсивностью полосы поглощения их ИК-спектров (616 см{-1}), обусловленной наличием связей Si-Si.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2014/02/p70-75.pdf

Доп.точки доступа:
Леньшин, А. С.; Кашкаров, В. М.; Середин, П. В.; Агапов, Б. Л.; Минаков, Д. А.; Ципенюк, В. Н.; Домашевская, Э. П.; Воронежский государственный университет; Воронежский государственный университет; Воронежский государственный университет; Воронежский государственный университет; Воронежский государственный университет; Воронежский государственный университет; Воронежский государственный университет

Найти похожие

16.

539.2
О-754

Особенности формирования золь-гель методом композитов 3d-металл/пористый кремний и их оптические свойства / А. С. Леньшин [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 4. - С. 570-575 : ил. - Библиогр.: с. 574 (20 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

539.2

621.315.592

ББК 22.37 + 31.233
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
   Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
оптические свойства -- состав композитов -- композиты -- пористый кремний -- металлооксидные пленки -- поверхность кремния -- фотолюминесценция -- оже-спектроскопия -- золь-гель метод
Аннотация: Проведены исследования состава и оптических свойств композитов на основе пористого кремния с осажденными золь-гель методом железом, кобальтом и никелем. Показано, что осаждение металлооксидных пленок на поверхность пористого кремния способствует повышению интенсивности и стабилизации фотолюминесценции, а также сохранению водорода в пористом слое.
Investigations of composition and optical properties of porous silicon with iron, cobalt and nickel deposited by sol-gel method are presented. It was shown, that deposition of metaloxide films on porous silicon enhances photoluminescence intensity and stability and also retains hydrogen in the porous layer.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/04/p570-575.pdf

Доп.точки доступа:
Леньшин, А. С.; Середин, П. В.; Минаков, Д. А.; Кашкаров, В. М.; Агапов, Б. Л.; Домашевская, Э. П.; Кононова, И. Е.; Мошников, В. А.; Теребова, Н. С.; Шабанова, И. Н.; Воронежский государственный университет; Воронежский государственный университет; Воронежский государственный университет; Воронежский государственный университет; Воронежский государственный университет; Воронежский государственный университет; Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ"; Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ"; Физико-технический институт Уральского отделения Российской академии наук (Ижевск); Физико-технический институт Уральского отделения Российской академии наук (Ижевск)

Найти похожие

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)