Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=GaInAsSb<.>)

Общее количество найденных документов : 14
Показаны документы с 1 по 14

621.3
С 829

Стоянов, Н. Д.
Высокоэффективные светодиоды на основе тиристорной гетероструктуры II типа n-GaSb/p-GaSb/n-GaInAsSb/P-AlGaAsSb [Текст] / Н. Д. Стоянов, Б. Е. Журтанов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 7. - С. 878-882 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.3

ББК 31.2
Рубрики: Энергетика--Электротехника
Кл.слова (ненормированные):
светодиоды -- тиристорные гетероструктуры -- гетероструктуры -- электрические характеристики -- люминесцентные характеристики
Аннотация: Предложен новый тип светодиодов - высокоэффективный светодиод с максимумом излучения на длину волны ламбда=1. 95 мкм на основе тиристорной гетероструктуры n-GaSb/p-GaSb/n-GaInAsSb/P-AlGaAsSb и исследованы его электрические и люминесцентные характеристики. Показано, что в тиристорной структуре эффективная излучательная рекомбинация происходит в активной области GaInAsSb n-типа за счет двухсторонней инжекции дырок из соседних p-областей. В исследуемой структуре получен максимальный внутренний квантовый выход в импульсном режиме 77%. Средняя оптическая мощность достигала 2. 5 мВт, а пиковая мощность в импульсном режиме 71 мВт и превышала в 2. 9 раза величину мощности, полученную для стандартного светодиода n-GaSb/n-GaInAsSb/P-AlGaAsSb, излучающего в том же спектральном диапазоне. Предложенный подход позволит улучшить параметры светодиодов во всем среднем инфракрасном диапазоне (2-5 мкм).

Доп.точки доступа:
Журтанов, Б. Е.; Именков, А. Н.; Астахова, А. П.; Михайлова, М. П.; Яковлев, Ю. П.

Найти похожие

621.3
А 954

Ахметоглы (Афраилов, М. А.
Электрические свойства изотипных гетеропереходов N\{+\}-GaSb/n\{0\}-GaInAsSb/N\{+\}-GaAlAsSb II типа [Текст] / М. А. Ахметоглы (Афраилов, И. А. Андреев [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, N 2. - С. 154-159 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.3

ББК 31.2
Рубрики: Энергетика--Электротехника
Кл.слова (ненормированные):
полупроводники -- гетеропереходы -- изотипные гетероструктуры -- электрические свойства
Аннотация: Изучены зонные диаграммы, а также вольт-амперные и вольтъемкостные характеристики изотипных гетероструктур N\{+\}-GaSb/n\{0\}-GaInAsSb/N\{+\}-GaAlAsSb. Исследованы механизмы протекания темнового тока при различных температурах. Показано, что разъединенный гетеропереход демонстрирует свойства диода Шоттки, и вольт-амперные характеристики проявляют выпрямляющие свойства во всем температурном диапазоне 90-300 K. При высоких температурах и низких напряжениях преобладает термоэлектронная эмиссия. Этот ток обусловлен термической активацией и забросом электронов из GaInAsSb в GaSb через барьер на гетероинтерфейсе. Сравнение теоретических и экспериментальных данных показало, что при низких температурах туннельный механизм протекания тока является определяющим как для прямого, так и для обратного газа.

Доп.точки доступа:
Андреев, И. А.; Куницына, Е. В.; Михайлова, М. П.; Яковлев, Ю. П.

Найти похожие

621.3
М 690

Михайлова, М. П.
Переход от разъединенного гетероперехода II типа к ступенчатому в системе GaInAsSb/InAs (GaSb [Текст] / М. П. Михайлова, К. Д. Моисеев [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, N 2. - С. 166-171 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.3

ББК 31.2
Рубрики: Энергетика--Электротехника
Кл.слова (ненормированные):
гетеропереходы -- твердые растворы -- разъединенные гетеропереходы -- ступенчатые гетеропереходы
Аннотация: Рассмотрены условия перехода от ступенчатого к разъединенному гетеропереходу II типа для одиночных гетероструктур Ga[1-x]In[x]As[y]Sb[1-y]/InAs (GaSb) в зависимости от состава четверного твердого раствора. Оценены зонные диаграммы таких гетеропереходов и определены величины энергетического разрыва зон Дельта на гетерогранице.

Доп.точки доступа:
Моисеев, К. Д.; Воронина, Т. И.; Лагунова, Т. С.; Яковлев, Ю. П.

Найти похожие

621.3
К 212

Карандашев, С. А.
Свойства "иммерсионных" фотодиодов на основе GaInAsSb/GaSb (ламбда=1. 8-2. 3 мкм) в интервале температур 20-140\{o\}C [Текст] / С. А. Карандашев, Б. А. Матвеев [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, вып. 11. - С. 1389-1394 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.3

ББК 31.2
Рубрики: Энергетика
Электротехника
Кл.слова (ненормированные):
фотодиоды -- иммерсионные фотодиоды -- твердые растворы -- фоточувствительность
Аннотация: Представлены результаты работы по созданию иммерсионных фотодиодов на основе твердых растворов GaInAsSb с длинноволновыми границами фоточувствительности при 2. 05 и 2. 25 мкм (20\{o\}C). Обсуждаются спектральные и вольт-амперные характеристики, а также влияние конструкции фотодиода на его обнаружительную способность в диапазоне температур 20-140\{o\}C.

Доп.точки доступа:
Матвеев, Б. А.; Ременный, М. А.; Шленский, А. А.; Лунин, Л. С.; Ратушный, В. И.; Корюк, А. В.; Тараканова, Н. Г.

Найти похожие

621.315.592
Ж 925

Журтанов, Б. Е.
Малошумящие фотодиоды на основе двойной гетероструктуры GaSb/GaInAsSb/AlGaAsSb для спектрального диапазона 1-4. 8 мкм [Текст] / Б. Е. Журтанов, Н. Д. Ильинская [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 4. - С. 468-472 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
фотодиоды -- малошумящие фотодиоды -- гетероструктуры -- электронно-дырочные пары -- ударная генерация
Аннотация: Исследованы фотодиодные гетероструктуры n-GaSb/n-GaInAsSb/p-AlGaAsSb с красной границей фоточувствительности 4. 8 мкм. Показано, что большое содержание In в узкозонном слое и Al в широкозонном слое приводит к улучшению фотоэлектрических параметров за счет устранения туннельной утечки перехода n-GaInAsSb/p-AlGaAsSb. Получена обнаружительная способность D*[ламбда]=1. 1 10\{9\} смГц\{1/2\}Вт\{-1\} при комнатной температуре.

Доп.точки доступа:
Ильинская, Н. Д.; Именков, А. Н.; Михайлова, М. П.; Калинина, К. В.; Сиповская, М. А.; Стоянов, Н. Д.; Яковлев, Ю. П.

Найти похожие

Электрические свойства фотодиодов на основе p-GaSb/p-GaInAsSb/N-GaAlAsSb гетеропереходов [Текст] / M. A. Afrailov [и др. ] // Письма в журнал технической физики. - 2008. - Т. 34, вып: вып. 21. - С. 67-75 . - ISSN 0320-0116

УДК

^a537

ББК 22.33
Рубрики: Физика
Электричество и магнетизм в целом
Кл.слова (ненормированные):
фотодиоды -- твердые растворы -- электрический ток
Аннотация: Проведено исследование электрических характеристик фотодиодов на основе p-GaSb/p-GaInAsSb/N-GaAlAsSb гетеропереходов. Изучены механизмы протекания тока в гетероструктурах при различных температурах. Сравнение экспериментальных и теоретических результатов показало, что при низких температурах (T<150 K) как для прямого, так и для обратного тока преобладает туннельный механизм протекания.

Доп.точки доступа:
Afrailov, M. A.; Kaynak, G.; Андреев, И. А.; Куницына, Е. В.; Михайлова, М. П.; Яковлев, Ю. П.

Найти похожие

Улучшение параметров фотодиодных структур GaSb/GaInAsSb/AlGaAsSb с тонкой активной областью для спектрального диапазона 1. 0-2. 5 mum [Текст] / А. П. Астахова [и др. ] // Письма в Журнал технической физики. - 2007. - Т. 33, вып: вып. 19. - С. 8-15 . - ISSN 0320-0116

УДК

^a621.383

ББК 32.854
Рубрики: Радиоэлектроника
Фотоэлектрические приборы
Кл.слова (ненормированные):
фотодиодные структуры -- гетероструктуры -- системы газового анализа -- фотовольтаические преобразователи
Аннотация: Исследованы фотодиодные гетероструктуры с красной границей фоточувствительности 2. 5 mum на основе GaSb/GaInAsSb/AlGaAsSb с активной областью Ga[0. 76]In[0. 24]As[0. 22]Sb[0. 78] различной толщины и отражающим излучение контактом на тыльной стороне структуры. Показано, что уменьшение толщины активной области и отражение излучения на тыльной стороне позволяют улучшить параметры фотодиодов и термофотовольтаических преобразователей в спектральном диапазоне 1. 0-2. 5 mum. Получена обнаружительная способность D\{*\}[lambda]= (3-6) 10\{10\} cm Hz\{1/2\}/W и фотоэдс разомкнутой цепи V[oc]=0. 2 V.

Доп.точки доступа:
Астахова, А. П.; Журтанов, Б. Е.; Именков, А. Н.; Михайлова, М. П.; Сиповская, М. А.; Стоянов, Н. Д.; Яковлев, Ю. П.

Найти похожие

Магнитофотолюминесценция в разъединенном гетеропереходе II типа n-GaInAsSb/p-InAs [Текст] / К. Д. Моисеев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып: вып. 9. - С. 1126-1130 . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
магнитофотолюминесценция -- двумерные гетероструктуры -- уровни Ландау -- Ландау уровни -- уровень Ферми -- Ферми уровень
Аннотация: Исследована магнитофотолюминесценция в спектральном диапазоне 0. 3-0. 8 эВ в одиночной разъединенной гетероструктуре II типа n-Ga[0. 94]In[0. 06]As[0. 13]Sb[0. 87]/p-InAs с двумерным электронным каналом на гетерогранице, содержащим две заполненные электронные подзоны, в сильных магнитных полях до 10 T при низких температурах (T=7 K). Оценено значение эффективной массы электронов в заполненной подзоне E2 (m2=0. 027m0), которая близка к значению эффективной массы на дне зоны проводимости InAs.

Доп.точки доступа:
Моисеев, К. Д.; Михайлова, М. П.; Яковлев, Ю. П.; Королев, К.; Meinning, C.; McCombe, B.

Найти похожие

Фотодиоды для спектрального диапазона 1. 1-2. 4 мюm на основе двойной гетероструктуры n-GaSb/n-GaInAsSb/p-AlGaAsSb, выращенной с использованием редкоземельных элементов [Текст] / А. Н. Именков [и др. ] // Письма в журнал технической физики. - 2009. - Т. 35, вып: вып. 2. - С. 29-35 . - ISSN 0320-0116

УДК

^a53.07

ББК 22.3с
Рубрики: Физика
Физические приборы и методы физического эксперимента
Кл.слова (ненормированные):
фотодиоды -- двойные гетероструктуры -- редкоземельные элементы
Аннотация: Созданы и исследованы фотодиоды для спектрального диапазона 1. 1-2. 4 мюm на основе гетероструктуры n-GaSb/n-GaInAsSb/p-AlGaAsSb с узкозонным слоем n-GaInAsSb.

Доп.точки доступа:
Именков, А. Н.; Журтанов, Б. Е.; Астахова, А. П.; Калинина, К. В.; Михайлова, М. П.; Сиповская, М. А.; Стоянов, Н. Д.

Найти похожие

10.

Молекулярно-пучковая эпитаксия термодинамически метастабильных твердых растворов GaInAsSb для фотодетекторов среднего ИК-диапазона [Текст] / А. Н. Семенов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 5. - С. 699-705 : ил. - Библиогр.: с. 704 (21 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
молекулярно-пучковая эпитаксия -- МПЭ -- метод молекулярно-пучковой эпитаксии -- твердые растворы -- GaInAsSb -- кристаллические решетки -- фотодетекторы -- жидкофазная эпитаксия -- ЖФЭ -- метод жидкофазной эпитаксии -- инфракрасный диапазон -- ИК-диапазон -- рентгеновская дифрактометрия -- РД -- метод рентгеновской дифрактометрии -- растровая электронная микроскопия -- РЭМ -- метод растровой электронной микроскопии -- фотолюминесценция -- ФЛ -- кривая дифракционного отражения -- КДО -- дифракция быстрых электронов -- ДБЭ -- оптические свойства -- спинодальный распад -- термодинамические расчеты
Аннотация: Изучены особенности роста методом молекулярно-пучковой эпитаксии твердых растворов GaInAsSb с содержанием индия до 25 мол%, согласованных по периоду кристаллической решетки с GaSb. Данные растворы являются перспективными для использования в качестве активной области фотодетекторных структур среднего инфракрасного диапазона. Представлены результаты исследования этих твердых растворов методами двухкристальной рентгеновской дифрактометрии, растровой электронной микроскопии и фотолюминесценции. Показано, что твердые растворы Ga[x]In[1-x]As[y]Sb[1-y] с x<0. 8, выращенные при температуре 500{o}C, демонстрируют деградацию структурных и оптических свойств по мере увеличения толщины слоя. В слоях с толщинами выше критической наблюдается спинодальный распад в полном соответствии с термодинамическими расчетами положения границ областей несмешиваемости. Обсуждаются возможности оптимизации молекулярно-пучкового роста твердых растворов Ga[x]In[1-x]As[y]Sb[1-y] (x<0. 75) с высоким оптическим и структурным совершенством, а также характеристики фотодетекторов на основе гетероструктур GaInAsSb/AlGaAsSb.

Доп.точки доступа:
Семенов, А. Н.; Терентьев, Я. В.; Мельцер, Б. Я.; Соловьев, В. А.; Попова, Т. В.; Нащекин, А. В.; Андреев, И. А.; Куницына, Е. В.; Усикова, А. А.; Яковлев, Ю. П.; Иванов, С. В.

Найти похожие

11.

537.311.33
П 194

Пассивация фотодиодов для инфракрасной области спектра спиртовым сульфидным раствором [Текст] / М. В. Лебедев [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 4. - С. 535-539 : ил. - Библиогр.: с. 538 (24 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

537.311.33^V3

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
пассивация фотодиодов -- фотодиоды -- сульфид натрия -- спиртовые сульфидные растворы -- комнатная температура -- изопропиловый спирт -- сульфидная пассивация -- GaInAsSb/GaAlAsSb -- InAs/InAsSbP
Аннотация: Исследуется влияние обработки раствором сульфида натрия (Na[2]S) в изопропиловом спирте на характеристики фотодиодов GaInAsSb/GaAlAsSb и InAs/InAsSbP, измеряемые при комнатной температуре. В результате обработки спиртовым сульфидным раствором плотность темнового тока фотодиодов GaInAsSb/GaAlAsSb при обратном смещении 0. 1 В уменьшилась более чем в 25 раз, а фотодиодов InAs/InAsSbP - в 1. 7 раза. При этом произведение сопротивления при нулевом смещении и площади устройства (R0A) увеличивалось для фотодиодов GaInAsSb/GaAlAsSb от 1. 0 до 25. 6 Ом x см{2}, а для фотодиодов InAs/InAsSbP от 4. 4 x 10{-2} до 7. 3 x 10{-2} Ом x см{2}. Данный метод пассивации обеспечивает долговременную стабильность характеристик фотодиодов.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/04/p535-539.pdf

Доп.точки доступа:
Лебедев, М. В.; Шерстнев, В. В.; Куницына, Е. В.; Андреев, И. А.; Яковлев, Ю. П.

Найти похожие

12.

621.315.592
О-754

Особенности получения разбавленных магнитных полупроводников в системе узкозонных твердых растворов GaInAsSb [Текст] / К. Д. Моисеев [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 6. - С. 788-793 : ил. - Библиогр.: с. 792 (23 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592^V3

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
магнитные полупроводники -- твердые растворы -- GaInAsSb -- лазерное осаждение -- метод лазерного осаждения -- атомы марганца -- марганец -- эпитаксиальные слои -- гетероструктуры -- рентгеновская дифракция -- метод рентгеновской дифракции -- вторичные ионы масс-спектроскопии -- ВИМС -- метод вторичных ионов масс-спектроскопии -- жидкофазная эпитаксия -- метод жидкофазной эпитаксии -- масс-спектроскопия вторичных ионов -- магнитные примеси -- магнитные свойства -- кристаллы -- напыление марганца -- решетки
Аннотация: Разработана нанотехнология получения разбавленных магнитных полупроводников на основе соединений GaInAsSb с помощью метода лазерного осаждения атомов марганца на эпитаксиальный слой четверного твердого раствора, полученный методом жидкофазной эпитаксии. Изготовленные гетероструктуры исследовались методом рентгеновской дифракции с высоким разрешением для брэгговской и скользящей геометрии дифракции, а также проведен послойный анализ методом масс-спектрометрии вторичных ионов. Было установлено, что приграничная область слоя Ga[0. 96]In[0. 04]As[0. 11]Sb[0. 89] вблизи поверхности напыления атомарного марганца демонстрирует наличие пятикомпонентного соединения с атомами марганца в решетке и бинарных включений типа Mn[3]As[2]. Насыщение многокомпонентного разбавленного полупроводника GaIn (Mn) AsSb соединениями марганца позволит задавать концентрацию магнитной примеси в кристалле и управлять магнитными свойствами гетероструктуры.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/06/p788-793.pdf

Доп.точки доступа:
Моисеев, К. Д.; Лесников, В. П.; Подольский, В. В.; Kudriavtsev, Yu.; Koudriavtseva, O.; Escobosa, A.; Sanchez-Resendiz, V.

Найти похожие

13.

535.2/.3
У 184

Увеличение мощности излучения светодиодов (lambda равно 1.7-2.4 mu m) за счет изменения направления световых потоков в гетероструктуре GaSb/GaInAsSb/GaAlAsSb / А. В. Золотухин [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2013. - Т. 39, вып. 4. - С. 39-45 : ил. - Библиогр.: с. 45 (8 назв.) . - ISSN 0320-0116

УДК

535.2/.3

ББК 22.343
Рубрики: Физика
Физическая оптика
Кл.слова (ненормированные):
полусферы -- мощность излучения -- светодиоды -- световые потоки -- гетероструктуры -- криволинейные поверхности -- излучение -- омические контакты -- кристаллы
Аннотация: На примере светодиодной гетероструктуры n-GaSb-n-GaInAsSb-p-GaAlAsSb было показано, что при создании на тыльной стороне светодиодного чипа криволинейной отражающей поверхности в виде полусферических ямок травления наблюдается увеличение мощности излучения светодиодов в 1. 9-2 раза во всем исследованном интервале длин волн 1. 7-2. 4 mum по сравнению с конструкцией светодиодного чипа, содержащего сплошной поглощающий омический контакт. Такое повышение эффективности светодиода происходит за счет изменения направления световых потоков в кристалле при отражении их от полусферических ямок травления кристалла.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2013/04/p39-45.pdf

Доп.точки доступа:
Золотухин, А. В.; Шерстнев, В. В.; Савельева, К. А.; Гребенщикова, Е. А.; Серебренникова, О. Ю.; Ильинская, Н. Д.; Слобожанюк, С. И.; Иванов, Э. В.; Яковлев, Ю. П.

Найти похожие

14.

621.315.592
Б 955

Быстродействующие фотодиоды для средней инфракрасной области спектра 1.2 -2.4 мкм на основе гетероструктур GaSb/GaInAsSb/GaAlAsSb с полосой пропускания 2-5 ГГц / И. А. Андреев [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 8. - С. 1109-1115 : ил. - Библиогр.: с. 1114-1115 (15 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
фотодиоды -- ФД -- гетероструктуры -- монохроматическая чувствительность -- длина волны -- спектральный диапазон -- фотоотклик -- токи -- металлические контакты -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- вольт-фарадные характеристики -- ВФХ
Аннотация: Впервые созданы быстродействующие p-i-n-фотодиоды для спектрального диапазона 1. 2- 2. 4 мкм на основе гетероструктуры GaSb/GaInAsSb/GaAlAsSb с разделенными чувствительной (диаметр 50 мкм) и контактной мезами, соединенными мостиковым фронтальным контактом. Использование оригинальной конструкции контактной мезы с диэлектрическим подслоем Si[3]N[4] толщиной 0. 3 мкм под металлическим контактом позволило снизить как собственную емкость фотодиода, так и значения обратных темновых токов. Фотодиоды имеют низкую собственную емкость: 3-5 пФ при нулевом смещении и 0. 8-1. 5 пФ при обратном смещении - 3. 0 В. Быстродействие фотодиода, определяемое по времени нарастания импульса фотоотклика на уровне 0. 1-0. 9, составляет величину 50-100 пс. Полоса пропускания фотодиодов достигает 2-5 ГГц. Фотодиоды характеризуются низкой величиной обратных темновых токов, Id=200-1500 нА при обратном смещении U=- (0. 5-3. 0) В, высокими значениями токовой монохроматической чувствительности, Ri=1. 10-1. 15 A/Вт, и обнаружительной способности, D{*} (lambda[max], 1000, 1) = 0. 9 x 1011 Вт-1 x см x Гц1/2, на длинах волн 2. 0-2. 2 мкм.
High-efficiency, broad bandwidth (2-5GHz) GaSb/GaInAsSb/GaAlAsSb p-i-n photodiodes with air-brigde frontal contact operating in the 1. 2 -2. 4 mum spectral range at room temperature have been developed for the first time. The distinguishing feature of photodiodes with air-brigde frontal contact is separation of photosensitive (50 mum diameter) and contact areas. Air-bridge contact was isolated from contact area by 0. 3 mum thick Si[3]N[4] dielectric layer. The best results on value capacity and reverse dark current were obtained for photodiodes with dielectric layers under frontal contact at the contact mesa. The photodiodes demonstrate the capacitance as low as3. 0-5. 0 pF at reverse bias 0V and 0. 8-1. 5 pF at -3V, respectively. The response time of the p-i-n photodiode is estimated as50-100 ps, a FWHM is about 220 ps. The photodiode bandwidth of 2? 5GHz was reached. The photodiodes are characterized by low level of the reverse dark current (200? 1500 nA at reverse bias U = - (0. 5-3. 0) V), high monochromatic current sensitivity (1. 10-1. 15 A/W at lambda[max] =2. 0-2. 2 mum) and high directivity{*} (lambda[max] 1000, 1) = 0. 9 x 10{11}W{-1} x cm x Hz{1/2}).

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/08/p1109-1115.pdf

Доп.точки доступа:
Андреев, И. А.; Серебренникова, О. Ю.; Соколовский, Г. С.; Дюделев, В. В.; Ильинская, Н. Д.; Коновалов, Г. Г.; Куницына, Е. В.; Яковлев, Ю. П.; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург)

Найти похожие

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)