Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=экспериментальные зависимости<.>)

Общее количество найденных документов : 5
Показаны документы с 1 по 5

Влияние влажности на захват NO[3] поверхностями солей MgCl[2] · 6H[2]O, MgBr[2] · 6H[2]O и их смесей с NaCl [Текст] / В. В. Зеленов [и др. ] // Химическая физика. - 2010. - Т. 29, N 5. - С. 39-47 : ил. - Библиогр.: с. 47 (24 назв. ) . - ISSN 0207-401X

УДК

^a544.1

ББК 24.51
Рубрики: Химия
Химическая связь и строение молекул
Кл.слова (ненормированные):
влияние влажности -- захват солей -- NO[3] -- MgCl[2] -- 6H[2]O -- MgBr[2] -- NaCl -- проточные реакторы -- бинарные смеси -- подвижные вставки -- солевые покрытия -- масс-спектрометрические методы -- газ-реагент -- газофазные продукты -- экспериментальные зависимости -- поверхностное обогащение -- допирующие соли -- поверхность солей -- увлажненные соли -- реакционный захват радикалов -- захват радикалов -- соли -- поверхностная плотность -- молярная доля -- тропосферные концентрации
Аннотация: С использованием проточного реактора с подвижной вставкой с солевым покрытием и масс-спектрометрического метода регистрации газа-реагента и газофазных продуктов исследован реакционный захват радикалов NO[3] поверхностями увлажненных индивидуальных солей X и увлажненных бинарных смесей солей X–NaCl (X = MgCl[2] · 6H[2]O, MgBr[2] · 6H[2]O) в диапазоне [H[2]O] = 2 · 10{12-2 · 10{15} см{–3} при постоянной концентрации NO[3] (4. 8 · 10{12} см{–3}). Получены зависимости вероятности захвата гамма поверхностями бинарных солей X–NaCl от содержания примесной соли в бинарной смеси. Предложено параметризованное описание экспериментальных зависимостей, позволяющее количественно установить степень поверхностного обогащения увлажненного бинарного солевого покрытия допирующей солью и его зависимость от влажности и от содержания этой соли в бинарной смеси. Из результатов работы следует, что относительная поверхностная плотность сигма[X] допирующей соли X зависит от ее мольной доли мю[X] в бинарной соли X–NaCl как сигма[X] = альфамю[X] (альфа = 2. 2 для MgBr[2] и 13. 1 для MgCl[2]) во всем указанном диапазоне влажности. Сделаны оценки вкладов солей Х в общий захват NO[3] для тропосферных концентраций NO[3] ~ 10{7} см{–3} и относительной влажности RH < = 20%.

Доп.точки доступа:
Зеленов, Филиал Института энергетических проблем химической физики Российской академии наук, Черноголовка; Апарина, Филиал Института энергетических проблем химической физики Российской академии наук, Черноголовка; Чудинов, Филиал Института энергетических проблем химической физики Российской академии наук, Черноголовка; Каштанов, Институт проблем химической физики Российской академии наук, Черноголовка

Найти похожие

Влияние динамического режима адсорбции на импеданс композитных структур с пористым кремнием [Текст] / А. Ю. Карлаш [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 10. - С. 1387-1393 : ил. - Библиогр.: с. 1393 (19 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
импедансные свойства -- оптические свойства -- композитные структуры -- композиты -- прессованные композиты -- пористый кремний -- кремний -- кристаллиты -- порошки кремния -- химическое травление -- метод химического травления -- кремниевые порошки -- импеданс -- экспериментальные зависимости
Аннотация: Исследованы импедансные и оптические свойства прессованных композитов на основе порошков микрокристаллического и нанопористого кремния. Кристаллиты пористого кремния получены методом химического травления исходного микрокристаллического кремниевого порошка. Кислородная пассивация поверхности в процессе формирования пористого порошка обеспечивает стабильность характеристик композита. Анализ экспериментальных зависимостей импеданса в частотном диапазоне 1-10{6} Гц позволяет разделить вклады в общую проводимость композита объема зерен и межкристаллитных границ. По результатам исследования временных зависимостей импеданса определены скорости изменения электрофизических параметров композитных структур в условиях динамического адсорбционно-десорбционного воздействия внешних реагентов (H[2]O и C[2]H[5]OH).

Доп.точки доступа:
Карлаш, А. Ю.; Кузнецов, Г. В.; Литвиненко, С. В.; Милованов, Ю. С.; Скрышевский, В. А.

Найти похожие

Исследование туннельного транспорта носителей в структурах с активной областью InGaN/GaN [Текст] / В. С. Сизов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 12. - С. 1615-1623 : ил. - Библиогр.: с. 1622-1623 (25 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a537.533/.534

ББК 22.338
Рубрики: Физика
Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях
Кл.слова (ненормированные):
туннельный транспорт -- транспорт носителей -- InGaN/GaN -- светодиодные структуры -- фотолюминесценция структур -- внешние смещения -- обратные смещения -- туннельные утечки -- активные области -- больцмановское распределение -- расчетные зависимости -- экспериментальные зависимости -- характеристики структур
Аннотация: Исследованы свойства светодиодных структур с активной областью InGaN/GaN, излучающие в диапазоне 500-550 нм. Исследована фотолюминесценция структур при различном значении внешнего смещения и температуре, а также с временным разрешением. При обратном смещении обнаружено уменьшение времени жизни носителей, связанное с туннельной утечкой носителей из активной области. Проведено моделирование механизма туннельной утечки с учетом больцмановского распределения носителей по энергиям и показано хорошее согласие расчетных и экспериментальных зависимостей. Показано, что туннельный транспорт оказывает значительное влияние на характеристики структур с активной областью InGaN/GaN.

Доп.точки доступа:
Сизов, В. С.; Неплох, В. В.; Цацульников, А. Ф.; Сахаров, А. В.; Лундин, В. В.; Заварин, Е. Е.; Николаев, А. Е.; Минтаиров, А. М.; Merz, J. L.

Найти похожие

536.7
С 354

Сиклицкая, А. В.
Статистический анализ межатомных связей и межслоевых расстояний в спиральной углеродной луковичной структуре с переменным шагом [Текст] / А. В. Сиклицкая, С. Г. Ястребов, R. Smith // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 19. - С. 44-52 : ил. - Библиогр.: с. 52 (8 назв.) . - ISSN 0320-0116

УДК

536.7

ББК 22.317
Рубрики: Физика
Термодинамика и статистическая физика
Кл.слова (ненормированные):
межатомные связи -- межслоевые расстояния -- статистический анализ -- метод молекулярной динамики -- метод функционала плотности -- функционал плотности -- молекулярная динамика -- атомная конфигурация -- модель атомной конфигурации -- оптимизация модели -- нанокластеры -- луковичные нанокластеры -- углеродные нанокластеры -- луковичные структуры -- углеродные структуры -- спиральные структуры -- кластеры -- оптимизированные структуры -- валентные углы -- межвитковые расстояния -- функции распределения -- экспериментальные зависимости
Аннотация: Используя сочетание методов классической молекулярной динамики и функционала плотности, проведена оптимизация модели атомной конфигурации спирально закрученного углеродного луковичного нанокластера. Показано, что в результате оптимизации образуется слоистая спиральная структура с переменным расстоянием между слоями, которое увеличивается при движении от центра кластера к его периферии. Оптимизированная структура использовалась для расчета функций распределения валентных углов и межвитковых расстояний. Также показано, что модель спиральной структуры с переменным шагом хорошо описывает экспериментальные зависимости межслоевых расстояний от радиуса луковичных структур, известных из литературы и полученных с использованием обработки изображений углеродных луковичных структур, сформированных и исследованных с помощью электронного микроскопа высокого разрешения.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/19/p44-52.pdf

Доп.точки доступа:
Ястребов, С. Г.; Smith, R.

Найти похожие

621.315.592
Т 327

Температурная зависимость контактного сопротивления омических контактов на основе соединений A{III}B{V} с высокой плотностью дислокаций [Текст] / А. В. Саченко [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 3. - С. 348-355 : ил. - Библиогр.: с. 355 (14 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592^V3

539.2^V3

ББК 31.233 + 22.37
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
   Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
температурная зависимость -- омические контакты -- контактное сопротивление -- структуры -- дислокация -- экспериментальные зависимости -- теоретические зависимости -- теоретический анализ -- высокая плотность -- металлические шунты
Аннотация: На основе теоретического анализа температурной зависимости контактного сопротивления rho[c] омических контактов к структурам n-n{+}-n{++}-GaAs (аналогично к GaP-, GaN-, InP-структурам) предложен новый механизм роста rho[c] с повышением температуры измерения T, наблюдаемый экспериментально в диапазоне 100-400 K. Получено хорошее соответствие экспериментальных и теоретических зависимостей rho[c] (T), объясненное для случая высокой плотности дислокаций в приконтактной области полупроводника, на которых локализованы металлические шунты.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/03/p348-355.pdf

Доп.точки доступа:
Саченко, А. В.; Беляев, А. Е.; Бобыль, А. В.; Болтовец, Н. В.; Иванов, В. Н.; Капитанчук, Л. М.; Конакова, Р. В.; Кудрик, Я. Я.; Миленин, В. В.; Новицкий, С. В.; Саксеев, Д. А.; Тарасов, И. С.; Шеремет, В. Н.; Яговкина, М. А.

Найти похожие

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)