Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=селенид галлия<.>)

Общее количество найденных документов : 19
Показаны документы с 1 по 19

+
Б 903

Будзуляк, И. М.
Получение, свойства и возможности применения в наноэлектронике лазерных интеркалатов [Текст] / И. М. Будзуляк, И. И. Григорчак, Б. К. Остафийчук, Л. С. Яблонь // Журнал технической физики. - 2002. - Т.72,N6. - Библиогр.: с. 43 (8 назв.) . - ISSN 0044-4642

ББК +
Рубрики: Радиоэлектроника--Физика твердого тела--Электроника
Кл.слова (ненормированные):
интеркаляция -- лазерные интеркалаты -- селенид галлия -- селенид цинка
Аннотация: Обсуждаются результаты экспериментальных исследований структуры и электрических свойств селенида галлия и селенида индия, имеющих слоистую кристаллическую структуру, интеркалированных медью и галлием с помощью лазера

Доп.точки доступа:
Григорчак, И.И.; Остафийчук, Б.К.; Яблонь, Л.С.

Найти похожие

539.2
Б 307

Бахтинов, А. П.
Самоорганизация наноструктур теллуридов свинца и олова на Ван-дер-Ваальсовой поверхности селенида галлия (0001 [Текст] / А. П. Бахтинов, А. П. Бахтинов [и др.] // Письма в журнал технической физики. - 2007. - Т. 33, N 2. - С. 80-88 . - ISSN 0320-0116

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
наноструктуры -- теллуриды свинца и олова -- селенид галлия -- Ван-дер-Ваальсова поверхность -- поверхность Ван-дер-Ваальсова -- наноразмерные дефекты -- полупроводниковые кристаллы -- слоистые полупроводниковые кристаллы
Аннотация: Исследованы процессы образования наноразмерных дефектов на Ван-дер-Ваальсовой поверхности слоистого кристалла селенида галлия (0001) и формирования на этой поверхности наноструктур теллуридов свинца и олова из паровой фазы в вакууме. Установлено, что в результате пластической деформации на Ван-дер-Ваальсовой поверхности селенида галлия образуются различные по форме линейные дефекты и наноразмсрныс полости. Зарождение и рост нанообразований теллуридов свинца и олова на плоской Ван-дер-Ваальсовой поверхности и в наноразмерных полостях происходят по различным механизмам. Показана возможность селективного роста наноструктур халькоге-нидов свинца и олова на Ван-дер-Ваальсовых поверхностях с наноразмерными полостями, которые сформировались путем самоорганизации в верхнем тонком (толщина менее 1 nm) слое слоистого кристалла селенида галлия.

Доп.точки доступа:
Слынько, Е. И.; Ковалюк, З. Д.; Литвин, О. С.

Найти похожие

621.315.592
А 233

Агапов, Б. Л.
Электронно-микроскопическое исследование наноразмерных структур GaAs (100) - (Ga[2]Se[3]) -GaAs [Текст] / Б. Л. Агапов, Н. Н. Безрядин [и др.] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2007. - N 12. - С. 62-65 . - ISSN 0207-3528

УДК

621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
электроннная микроскопия -- арсенид галлия -- селенид галлия -- наноразмерные структуры
Аннотация: Методами просвечивающей и растровой электронной микроскопии исследованы гетероструктуры GaAs (l00) -Ga[2]Se[3]. Установлена последовательность структурных превращений на поверхности GaAs (100) в процессе ее обработки в парах селена. Обнаружено усиление ориентирующего действия подложки GaAs (100) на рост пленки GaAs в результате предварительной обработки поверхности GaAs (100) в парах селена.

Доп.точки доступа:
Безрядин, Н. Н.; Сыноров, Ю. В.; Котов, Г. И.; Татохин, Е. А.; Стародубцев, А. А.; Кузубов, С. В.

Найти похожие

621.3
Д 726

Драпак, С. И.
Влияние буферного слоя собственного окисла селенида галлия нанометровых размеров на электрические, фотоэлектрические и излучательные свойства гетероструктур ITO-GaSe [Текст] / С. И. Драпак, авт. З. Д. Ковалюк // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 3. - С. 312-317 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.3

ББК 31.2
Рубрики: Энергетика--Электротехника
Кл.слова (ненормированные):
гетеропереходы -- селенид галлия -- оксиды -- буферный слой -- электрические свойства -- фотоэлектрические свойства -- излучательные свойства -- электролюминесценция
Аннотация: Исследовано влияние толщины буферного слоя собственного оксида селенида галлия на электрические, фотоэлектрические и излучательные свойства гетеропереходов ITO-GaSe. Установлено, что введение слоя Ga[2]O[3] толщиной до 5-6 нм в гетеропереход ITO-GaSe приводит к изменению механизмов токопрохождения в структуре, увеличению напряжения холостого хода V[oc] более чем в 2 раза (при этом реализуется ситуация, когда V[oc] значительно превышает величину контактной разности потенциалов), возрастанию интенсивности электролюминесценции более чем на порядок, а также к увеличению кпд фотопреобразования более чем в 2 раза по сравнению с образцами, в которых слой Ga[2]O[3] специально не выращивался.

Доп.точки доступа:
Ковалюк, З. Д.

Найти похожие

621.315.592
Г 917

Грыгорчак, И. И.
Лазерно-стимулированная модификация примесного энергетического спектра селенида галлия, интеркалированного кобальтом [Текст] / И. И. Грыгорчак, А. И. Пелехович, Н. В. Волынская // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 4. - С. 385-388 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
лазерное облучение -- примесный энергетический спектр -- селенид галлия -- диаграммы Найквиста -- Найквиста диаграммы -- интерактивные соединения
Аннотация: Исследовано влияние лазерного облучения на примесный энергетический спектр интеркалированных структур на примере (Co) [0. 015]GaSe. По изменениям частотных зависимостей удельного сопротивления, измеренного перпендикулярно слоям полученной структуры, и по трансформации диаграмм Найквиста, состоящих из двух последовательно соединенных параллельных R C-звеньев, сделан вывод о лазерно-стимулированной компенсации интеркалянта. Полученные величины действительной части диэлектрической проницаемости являются характерными для легированных полупроводников или их твердых растворов в радиочастотном диапазоне. Экспериментальные результаты показали, что импульсное лазерное облучение является эффективным способом влияния на энергетический примесный спектр интеркалированных соединений.

Доп.точки доступа:
Пелехович, А. И.; Волынская, Н. В.

Найти похожие

621.315.592
Д 726

Драпак, С. И.
Собственный окисел, возникающий на поверхности скола селенида галлия в результате длительного хранения [Текст] / С. И. Драпак, С. В. Гаврилюк, З. Д. Ковалюк, О. С. Литвин // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 4. - С. 423-430 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
селенид галлия -- поверхность скола -- собственные окислы -- токовая неустойчивость -- слоистые соединения
Аннотация: Исследована кристаллическая структура и морфология поверхности собственного окисла, возникающего на поверхности скола (0001) нелегированных и легированных Cd или Dy монокристаллов слоистого GaSe в результате длительного хранения в воздушной атмосфере. Проанализированы причины, которые приводят к различию внешнего вида окисных пленок на поверхности нелегированных (матовая поверхность) и легированных образцов (прозрачные пленки). Представлены результаты исследования электрических свойств систем (селенид галлия) - (собственный окисел). Показано, что для пленок собственного окисла на поверхности GaSe характерна токовая неустойчивость с N-образной вольт-амперной характеристикой. Рассмотрено влияние относительной влажности воздуха на емкость и удельное поверхностное сопротивление собственного окисла. Обращено внимание на низкие значения эффективной диэлектрической постоянной собственного окисла.

Доп.точки доступа:
Гаврилюк, С. В.; Ковалюк, З. Д.; Литвин, О. С.

Найти похожие

Пассивация поверхности арсенида галлия халькогенидом галлия [Текст] / Н. Н. Безрядин [и др. ] // Письма в журнал технической физики. - 2008. - Т. 34, вып: вып. 10. - С. 47-52

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
селенид галлия -- арсенид галлия -- тонкие пленки -- наноструктуры -- гетеровалентное замещение
Аннотация: Изучаются защитные свойства тонких пленок селенида галлия на GaAs, сформированных методом гетеровалентного замещения. Методами просвечивающей (Hitachi H-800) и растровой электронной микроскопии (JEOL JSM-638 OLV) установлено, что обработка в парах селена усиливает ориентирующее действие подложки GaAs на последующее осаждение пленок этого же соединения по сравнению с подложками, покрытыми естественным оксидом.

Доп.точки доступа:
Безрядин, Н. Н.; Котов, Г. И.; Кузубов, С. В.; Арсентьев, И. Н.; Тарасов, И. С.; Стародубцев, А. А.; Сысоев, А. Б.

Найти похожие

Старухин, А. Н.
Динамика магнитоиндуцированного оптического выстраивания триплетных связанных экситонов в селениде галлия в условиях резонансного возбуждения [Текст] / А. Н. Старухин, Д. К. Нельсон, Б. С. Разбирин // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 89, вып: вып. 3. - С. 158-164

УДК

^a538.9

ББК 22.3
Рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
триплетные связанные экситоны -- экситоны -- селенид галлия -- резонансное возбуждение -- магнитное поле -- поляризация излучения
Аннотация: Методом спектроскопии с временным разрешением исследована динамика индуцированной поперечным магнитным полем линейной поляризации излучения триплетных связанных экситонов в одноосных кристаллах (на примере GaSe) в условиях резонансного возбуждения линейно поляризованным светом. Появление линейной поляризации излучения обусловлено различным поведением в магнитном поле пи и сигма-компонент излучения.

Доп.точки доступа:
Нельсон, Д. К.; Разбирин, Б. С.

Найти похожие

Старухин, А. Н.
Временная зависимость эффекта Ханле в излучении триплетных связанных экситонов в селениде галлия [Текст] / А. Н. Старухин, Д. К. Нельсон, Б. С. Разбирин // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 138, вып: вып. 4. - С. 729-737. - Библиогр.: с. 736-737 . - ISSN 0044-4510

УДК

^a530.1

ББК 22.31
Рубрики: Физика
Теоретическая физика
Кл.слова (ненормированные):
селенид галлия -- галлий -- эффект Ханле -- Ханле эффект -- временная зависимость эффекта -- триплетные связанные экситоны -- экситоны
Аннотация: Исследована временная зависимость эффекта Ханле в излучении триплетных связанных экситонов в селениде галлия.

Доп.точки доступа:
Нельсон, Д. К.; Разбирин, Б. С.

Найти похожие

10.

Выращивание и оптические параметры кристаллов GaSe: Te [Текст] / С. Ю. Саркисов [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2010. - Т. 53, N 4. - С. 21-26. - Библиогр.: c. 26 (15 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a539.2

^a537.311.33

ББК 22.37 + 22.379
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
выращивание кристаллов -- монокристаллы -- селенид галлия -- электронная микроскопия -- эллипсометрия
Аннотация: Проведена серия технологических экспериментов по выращиванию монокристаллов GaSe: Te методом Бриджмена - Стокбаргера. Исследованы микроморфология поверхности и механические свойства кристаллов с различным уровнем легирования. Получены спектральные зависимости комплексного показателя преломления с помощью эллипсометрии. Экспериментальные данные аппроксимированы в рамках модели Лоренца - Друде.

Доп.точки доступа:
Саркисов, С. Ю.; Атучин, В. В.; Гаврилова, Т. А.; Кручинин, В. Н.; Березная, С. А.; Коротченко, З. В.; Толбанов, О. П.; Чернышов, А. И.

Найти похожие

11.

544.52
П 484

Покладок, Н. Т.
Влияние магнитного поля на термодинамические и кинетические параметры интеркаляции селенида галлия никелем [Текст] / Н. Т. Покладок, авт. И. И. Григорчак // Журнал физической химии. - 2009. - Т. 83, N 3. - С. 575-579. - Библиогр.: c. 579 (20 назв. ) . - ISSN 0044-4537

УДК

544.52

ББК 24.552
Рубрики: Химия
Фотохимия
Кл.слова (ненормированные):
гостевой компонент -- интеркаляция -- кинетические параметры -- магнитное поле -- наноструктуры -- никель -- селенид галлия -- супермагнитная фаза -- термодинамические параметры
Аннотация: Установлено, что влияние магнитного поля на термодинамические и кинетические параметры формирования интеркалятов Ni[x]GaSe становится актуальным при концентрациях внедренного никеля, которые обеспечивают взаимодействие между магнитными моментами "гостевого" компонента и образование зародышей супермагнитной фазы.

Доп.точки доступа:
Григорчак, И. И.

Найти похожие

12.

621.315.592
В 586

Влияние отжига на спектры ядерного квадрупольного резонанса селенидов галлия-индия и характеристики структур на их основе [Текст] / З. Д. Ковалюк [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 9. - С. 1168-1174 : ил. - Библиогр.: с. 1174 (26 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592

536.42

ББК 31.233 + 22.375
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
   Физика
   Термодинамика твердых тел
Кл.слова (ненормированные):
ядерный квадрупольный резонанс -- ЯКР -- метод ЯКР -- спектры ЯКР -- отжиг -- низкотемпературный отжиг -- монокристаллы -- электрические характеристики -- фотоэлектрические характеристики -- селенид галлия -- GaSe -- InSe -- селенид индия -- температура отжига -- дефекты кристаллов -- кристаллы -- термообработка -- термическая обработка -- гетеропереходы
Аннотация: Представлены результаты исследования влияния низкотемпературного отжига (до 250 °C) на спектры ядерного квадрупольного резонанса в слоистых монокристаллах GaSe и InSe, а также электрические и фотоэлектрические характеристики структуры p-GaSe-n-InSe. Показано, что с понижением температуры отжига вплоть до комнатной качество образцов улучшается за счет уменьшения дефектности кристаллов и упорядочения в системе политипов. Определены температурные режимы термообработки, при которых происходит улучшение основных параметров гетероперехода. Обсуждаются механизмы, оказывающие влияние на поведение структуры p-GaSe-n-InSe при отжиге.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/09/p1168-1174.pdf

Доп.точки доступа:
Ковалюк, З. Д.; Сидор, О. Н.; Ластивка, Г. И.; Хандожко, А. Г.

Найти похожие

13.

621.315.592
Ф 437

Ферромагнетизм слоистых полупроводников GaSe, интеркалированных кобальтом [Текст] / З. Д. Ковалюк [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 8. - С. 995-998 : ил. - Библиогр.: с. 997 (15 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592

539.21:537

ББК 31.233 + 22.373
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
   Физика
   Электрические и магнитные свойства твердых тел
Кл.слова (ненормированные):
магнитные свойства -- слоистые полупроводники -- монокристаллы -- GaSe -- селенид галлия -- интеркаляция кобальта -- кобальт -- кристаллические решетки -- магнитное поле -- ферромагнетизм -- магнитотвердые ферромагнетики -- ферромагнетики -- гистерезис -- Co -- моноселенид галлия
Аннотация: Исследовано влияние постоянного магнитного поля на процесс внедрения и магнитные свойства монокристаллов GaSe и их интеркалятов Co[0. 15]GaSe. Показано, что интеркаляция кобальта в моноселенид галлия не оказывает влияния на параметры кристаллической решетки GaSe. В интеркалятах Co[0. 15]GaSe, полученных внедрением в магнитном поле, обнаружено проявление ферромагнетизма; зависимость магнитного момента от напряженности магнитного поля имеет вид петли гистерезиса, характерной для магнитотвердых ферромагнетиков.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/08/p995-998.pdf

Доп.точки доступа:
Ковалюк, З. Д.; Боледзюк, В. Б.; Шевчик, В. В.; Каминский, В. М.; Шевченко, А. Д.

Найти похожие

14.

539.2
С 773

Старухин, А. Н.
Модификация зеемановских состояний в магнитном поле и переход выстраивание-ориентация в излучении триплетных экситонов в селениде галлия [Текст] / А. Н. Старухин, Д. К. Нельсон, Б. С. Разбирин // Физика твердого тела. - 2012. - Т. 54, вып. 2. - С. 319-326. - Библиогр.: с. 326 (20 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
зеемановские состояния -- магнитные поля -- переход выстраивание-ориентация -- триплетные экситоны -- излучение -- селенид галлия
Аннотация: Методом оптической спектроскопии исследован индуцируемый магнитным полем переход оптическое выстраивание-ориентация в системе триплетных связанных экситонов в кристалле GaSe при резонансном возбуждении. Показано, что эффект может быть объяснен изменением свойств зеемановских (спиновых) состояний триплетных экситонов в магнитном поле, которое приводит к изменению оптической активности этих состояний в циркулярно и линейно поляризованном свете. В рамках модели необходимым условием перехода является наличие спин-орбитального взаимодействия в электронной системе кристалла. Примененный подход позволяет адекватно описать экспериментальные данные, а также вычислить эволюцию эффекта в течение времени жизни связанных экситонов.

Доп.точки доступа:
Нельсон, Д. К.; Разбирин, Б. С.

Найти похожие

15.

537.311.33
К 888

Кудринский, З. Р.
Чувствительные элементы преобразователей давления на основе слоистых интеркалированных кристаллов InSe, GaSe и Bi[2]Te[3] / З. Р. Кудринский, авт. З. Д. Ковалюк // Журнал технической физики. - 2013. - Т. 83, № 12. - С. 137-140. - Библиогр.: c. 140 (8 назв. ) . - ISSN 0044-4642

УДК

537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
преобразователи давления -- давление газов -- слоистые интеркалированные кристаллы -- слоистые полупроводниковые кристаллы -- слоистые полупроводники -- интеркалаты -- селенид индия -- селенид галлия -- теллурид висмута -- ток интеркаляции -- электродвижущая сила -- интеркаляция
Аннотация: Показана принципиальная возможность использования слоистых полупроводниковых кристаллов InSe, GaSe и Bi[2]Te[3] в качестве чувствительных элементов для преобразователей давления. Предложены два способа измерения давления на основе слоистых кристаллов: по зависимости параметра (тока) интеркаляции от давления и по зависимости электродвижущей силы интеркалата от давления.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2013/12/p137-140.pdf

Доп.точки доступа:
Ковалюк, З. Д.; Институт проблем материаловедения им. И. Н. Францевича НАН УкраиныИнститут проблем материаловедения им. И. Н. Францевича НАН Украины

Найти похожие

16.

539.2
К 293

Катеринчук, В. Н.
Анизотропия спектров фотоотклика гетеропереходов на основе слоистых кристаллов GaSe и InSe / В. Н. Катеринчук, З. Р. Кудринский, З. Д. Ковалюк // Журнал технической физики. - 2014. - Т. 84, № 3. - С. 99-102. - Библиогр.: c. 102 (9 назв. ) . - ISSN 0044-4642

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
гетеропереходы -- слоистые кристаллы -- селенид галлия -- селенид индия -- фотоотклик гетеропереходов -- спектры фотоотклика -- анизотропные кристаллы -- выращивание кристаллов -- атомно-силовая микроскопия -- анизотропия спектров фотоотклика
Аннотация: На сформированных гетеропереходах в плоскости торца от поверхности скола анизотропных кристаллов GaSe и InSe исследованы их спектры фотоотклика. Проведено сравнение этих спектров на естественных и химически обработанных гранях кристаллов. Предложен модифицированный способ выращивания кристаллов GaSe с естественным торцом слоев и методом атомно-силовой микроскопии исследована их поверхность.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2014/03/p99-102.pdf

Доп.точки доступа:
Кудринский, З. Р.; Ковалюк, З. Д.; Институт проблем материаловедения им. И. Н. Францевича НАН Украины. Черновицкое отделение; Институт проблем материаловедения им. И. Н. Францевича НАН Украины. Черновицкое отделениеИнститут проблем материаловедения им. И. Н. Францевича НАН Украины. Черновицкое отделение

Найти похожие

17.

539.21:537
П 533

Полупроводниковые клатраты с периодически модулированной топологией гостевого сегнетоэлектрического жидкого кристалла в термическом, магнитном и световой волны полях / Т. Н. Бищанюк [и др.]. // Журнал технической физики. - 2014. - Т. 84, № 7. - С. 139-142. - Библиогр.: c. 141-142 (18 назв. ) . - ISSN 0044-4642

УДК

539.21:537

ББК 22.373
Рубрики: Физика
Электрические и магнитные свойства твердых тел
Кл.слова (ненормированные):
полупроводниковые клатраты -- селенид галлия -- сегнетоэлектрические жидкие кристаллы -- ахиральные смектики -- фенилбензоат -- удельный импеданс -- диэлектрическая проницаемость -- тангенс угла потерь
Аннотация: Представлены результаты исследования характеристик селенида галлия с внедренным между его слоями сегнетоэлектрическим жидким кристаллом (segnLC), состоящим из ахирального смектика (производная фенилбензоата) и хиральной компоненты. Установлен характер изменений частотного поведения удельного импеданса, диэлектрической проницаемости и тангенса угла потерь при различных температурах, в магнитном поле и при освещении.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2014/07/p139-142.pdf

Доп.точки доступа:
Бищанюк, Т. Н.; Григорчак, И. И.; Фечан, А. В.; Иващишин, Ф. О.; Национальный университет "Львовская политехника"; Национальный университет "Львовская политехника"; Национальный университет "Львовская политехника"; Национальный университет "Львовская политехника"

Найти похожие

18.

538.9
Х 211

Харламова, М. В.
Новый способ направленной модификации электронных свойств одностенных углеродных нанотрубок путем заполнения каналов тугоплавким селенидом галлия одностадийным методом из расплава / М. В. Харламова // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2013. - Т. 98, вып. 5. - С. 309-315

УДК

538.9

ББК 22.3
Рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
нанотрубки -- одностенные нанотрубки -- углеродные нанотрубки -- модификация электронных свойств -- селенид галлия
Аннотация: Был предложен и успешно реализован одностадийный способ заполнения каналов одностенных углеродных нанотрубок (ОСНТ) расплавом тугоплавкого селенида галлия. Исследование заполненных ОСНТ методами спектроскопии оптического поглощения, спектроскопии комбинационного рассеяния и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии показало, что в полученном нанокомпозите происходит перенос заряда со стенок нанотрубок на внедренный селенид галлия, сопровождающийся понижением уровня Ферми нанотрубок, т. е. наблюдается акцепторное легирование ОСНТ.

Доп.точки доступа:
МГУ им. Ломоносова; University of Vienna (Austria)

Найти похожие

19.

539.21:535
К 888

Кудринский, З. Р.
Фоточувствительные анизотипные гетеропереходы n-ZnSe/p-InSe и n-ZnSe/p-GaSe / З. Р. Кудринский, З. Д. Ковалюк // Журнал технической физики. - 2014. - Т. 84, № 8. - С. 102-105. - Библиогр.: c. 105 (26 назв. ) . - ISSN 0044-4642

УДК

539.21:535

ББК 22.374
Рубрики: Физика
Оптические свойства твердых тел
Кл.слова (ненормированные):
гетеропереходы -- фоточувствительные гетеропереходы -- анизотропные гетеропереходы -- селенид галлия -- селенид индия -- селенид цинка -- слоистые кристаллы -- отжиг слоистых кристаллов
Аннотация: Впервые получены анизотипные гетеропереходы n-ZnSe/p-GaSe и n-ZnSe/p-InSe. Гетеропереходы были изготовлены на подложках из слоистых кристаллов GaSe и InSe путем отжига в парах Zn. Установлено, что полученные гетеропереходы являются фоточувствительными в ближней инфракрасной и видимой областях спектра.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2014/08/p102-105.pdf

Доп.точки доступа:
Ковалюк, З. Д.; Институт проблем материаловедения им. И. Н. Францевича НАН УкраиныИнститут проблем материаловедения им. И. Н. Францевича НАН Украины

Найти похожие

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)