Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=рассеяние фононов<.>)

Общее количество найденных документов : 4
Показаны документы с 1 по 4

Вязовский, М. В.
Многофотонное внутризонное поглощение электромагнитной волны и вынужденное рассеяние на оптических фононах в сверхрешетке [Текст] / М. В. Вязовский, Г. А. Сыроедов // Журнал технической физики. - 2008. - Т. 78, N 2. - С. 108-112. - Библиогр.: c. 112 (16 назв. ) . - ISSN 0044-4642

УДК

^a537.311.33

^a535.2/.3

ББК 22.379 + 22.343
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Физическая оптика
Кл.слова (ненормированные):
поглощение электромагнитных волн -- рассеяние фононов -- многофотонное поглощение света -- многофотонное рассеяние света -- сверхрешетки -- фононы
Аннотация: Рассмотрены внутриминизонное многофотонное поглощение электромагнитной волны (ЭМВ) и вынужденное рассеяние на оптических фононах в полупроводниковой сверхрешетке. Найден коэффициент поглощения без привлечения квантового кинетического уравнения. Построен график поглощаемой энергии в зависимости от величины электрического поля ЭМВ, из которого видно, что поглощаемая энергия с ростом электрического поля, достигнув максимума, уменьшается и при этом осциллирует. Дано объяснение такой зависимости поглощаемой энергии от величины поля ЭМВ. Показано, что при выполнении условия eEd>= h*omega необходимо учитывать многофотонное поглощение. Показано, что при многофотонном вынужденном рассеянии на оптических фононах в сверхрешетках появляются гармоники рассеянного света с частотой как большей, так и меньшей частоты падающего света. Найдены парциальные сечения рассеяния и построены графики зависимостей от напряженности поля падающей ЭМВ.

Доп.точки доступа:
Сыроедов, Г. А.

Найти похожие

Эмиров, С. Н.
Температурная и барическая зависимости теплопроводности моно- и поликристаллического антимонида галлия [Текст] / С. Н. Эмиров, Н. М. Булаева, Э. Н. Рамазанова // Физика и химия обработки материалов. - 2009. - N 4. - С. 60-63 . - ISSN 0015-3214

УДК

^a53

ББК 22.3
Рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
антимонид галлия -- сжатие -- теплопроводность -- рассеяние фононов -- барические зависимости
Аннотация: В результате экспериментальных исследований теплопроводности моно- и поликристаллического антимонида галлия GaSd в условиях гидростатического сжатия при давлении до 350 МПа в интервале температур 273-523 К показано, что сжатие приводит к дополнительному рассеянию фононов в поликристаллах.

Доп.точки доступа:
Булаева, Н. М.; Рамазанова, Э. Н.

Найти похожие

Алиев, С. А.
Явления переноса тепла в сплавах Bi[1-x]Sb[x] [Текст] / С. А. Алиев, Р. И. Селим-заде, С. С. Рагимов // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 10. - С. 1318-1322 : ил. - Библиогр.: с. 1321-1322 (22 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
фононная теплопроводность -- теплопроводность -- твердые тела -- рассеяние фононов -- сплавы -- донорные примеси -- перенос тепла
Аннотация: Исследована фононная теплопроводность k[ph] в сплавах Bi[1-x]Sb[x] (x = 0. 02-0. 12) в области температур 6–60 K. Результаты сопоставлены с теорией для твердых тел при низких температурах, выявлены основные источники рассеяния фононов. Показано, что рассеяние фононов на локальных изменениях масс превалирует над другими источниками. При температурах 60 и 90K рассмотрены зависимости k[ph] от состава, выявлено, что в этих условиях нормальные N-процессы оказывают существенное влияние на рассеяние фононов. Рассмотрено влияние донорных примесей на теплопроводность Bi[0. 88]Sb[0. 12], выделено теплосопротивление, обусловленное рассеянием фононов примесными центрами.

Доп.точки доступа:
Селим-заде, Р. И.; Рагимов, С. С.

Найти похожие

536.42
А 500

Алиев, С. А.
Электрон-фононные процессы в полупроводниках при низких температурах / С. А. Алиев // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 2. - С. 179-184 : ил. - Библиогр.: с. 184 (19 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

536.42

621.315.592

ББК 22.375 + 31.233
Рубрики: Физика
   Термодинамика твердых тел
   Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
электрон-фононные процессы -- теплопроводность -- результаты исследований -- низкие температуры -- термоэдс -- электроны -- фононы -- дефекты -- рассеяние фононов -- кристаллы -- теория Каллавея -- Каллавея теория -- теория Герринга -- Герринга теория -- магнитные поля -- теория Аскерова -- Аскерова теория -- полупроводники
Аннотация: Проанализированы результаты совместного исследования теплопроводности и термоэдс в полупроводниках: HeSe, HgTe, InP, GaAs, Cd[x]H[1-x]Te и Ag[2]S, в которых при низких температурах T был обнаружен эффект увлечения электронов фононами. Получено, что в зависимостях K[ph] пропорционально T{-x}x=1-3. Установлено, что заниженные значения x обусловлены рассеянием фононов на определенных дефектах. Также обнаружено, что во всех исследованных кристаллах, кроме Ag[2]S, максимумы K[ph] (T) и alpha[ph] (T) совпадают. Впервые обнаружено, что в Ag[2]S наблюдается сильный эффект alpha[ph] пропорционально T{-3}, максимум alpha[ph] происходит при T=16 K, а максимум K[ph] при 27 K. Установлено, что полученные результаты находятся в согласии с теорией Каллавея и Герринга. Впервые рассмотрено влияние магнитного поля на термоэдс увлечения alpha[ph] (T) в n-Cd[x]Hg[1-x]Te, в котором обнаружен большой эффект alpha[ph] пропорционально T{-3} и сильное влияние на него магнитного поля. Результаты сопоставлены с теорией Аскерова. Определен параметр силы A[ph] (epsilon) эффекта увлечения и его зависимость от магнитного поля.
The temperature dependences of the thermal conductivity K and thermal power alpha in HgSe, HgTe, InP, Cd[x]Hg[1-x] and Ag[2]S have been investigated at 4. 2-100K. A big effect of drag of the charge carries by phonons alpha[ph] revealed. It was observed, that at T < 60-100K alpha increases with decreasing of T, at 16-18K passes through maximum. The thermal conductivity coefficient passes thorugh one at 30K. It is extablished, that the abruptly increasing of alpha is caused by drag effect of holes by long wave phonons. It was determined that the independcy of the elements is as follows: K[ph] / T{*}, x = 1, -3. It explainsr the scattering of phonons off certain defects lowers. It was also found that in all crystals, except AgS, the maximum values of K[ph] occurace at 27 and 16K at agreement with the theory of Kallavey and Herring. Influence of the magnetic field H on alpha[ph] has been considered. It is established that H influence basically on the phonons part. The recived data are interpreted within the framework of the theory which are taked into account influencec of H. Parameter A (e) is entered proportional to statistic force of the drag effect. On the basis date alpha (T, H) dependence as A (e) on T and H have been determined. It explains reductions of alpha[ph] in magnet field.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/02/p179-184.pdf

Доп.точки доступа:
Институт физики Национальной академии наук Азербайджана

Найти похожие

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)