Электронные ресурсы

Базы данных


Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска
Электронный каталог
Статьи из журналов: 2001-2014
Труды ОмГУ
История ОмГУ
Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска
Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Поисковый запрос: (<.>K=двуямная наноструктура<.>)
Общее количество найденных документов : 1
1.


    Ремнев, М. А.
    Влияние спейсерных слоев на вольт-амперные характеристики резонансно-туннельного диода [Текст] / М. А. Ремнев, И. Ю. Катеев, В. Ф. Елесин // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 8. - С. 1068-1073 : ил. - Библиогр.: с. 1072-1073 (21 назв. ) . - ISSN 0015-3222
УДК
^a621.315.592
ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
резонансно-туннельные диоды -- РТД -- спейсерные слои -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- спейсеры эмиттера -- уравнения Шредингера -- Шредингера уравнения -- отрицательная дифференциальная проводимость -- ОДП -- двуямная наноструктура -- ДНС
Аннотация: При помощи численного решения уравнения Шредингера получены вольт-амперные характеристики резонансно-туннельного диода со спейсерными слоями (спейсерами). Построены зависимости пикового тока резонансно-туннельного диода от ширины спейсера эмиттера. Показано, что пиковый ток зависит периодическим образом от ширины спейсера эмиттера. Построенные диаграммы плотности электронов показали, что увеличение пикового тока связано с резонансным уровнем в области спейсера эмиттера.


Доп.точки доступа:
Катеев, И. Ю.; Елесин, В. Ф.

Найти похожие
 
Стандартный
Расширенный
Профессиональный
Распределенный
По словарю
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)