Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

в найденном

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=границы раздела<.>)

Общее количество найденных документов : 67
Показаны документы с 1 по 20

1-20 21-40 41-60 61-67

539.2
Л 278

Латышев, А. В.
Термоэлектрические явления на границе раздела кристаллитов [Текст] / А. В. Латышев, А. А. Юшканов // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 11. - Библиогр.: c. 7 (7 назв. ) . - ISSN 0044-4642

УДК

539.2

530.1

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела--Теоретическая физика
Кл.слова (ненормированные):
границы раздела -- кристаллиты -- термоэлектрические явления
Аннотация: Получены аналитические выражения для скачка температуры и разности потенциалов электрического поля при прохождении электрического поля через границу раздела кристаллитов. Считаются заданными величина потока электронов (тока) и величина потока тепла, индуцированная первым потоком. Используются кинетическое уравнение в tau-приближении для электронов и уравнение Максвелла для электрического поля. Исследована зависимость коэффициентов скачка температуры и разности потенциалов как функций химического потенциала.

Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2004/11/page-1.html.ru

Доп.точки доступа:
Юшканов, А. А.

Найти похожие

533.922
А 19

Аверков, Ю. О.
Генерация переходного излучения поверхностных электромагнитных волн электронными сгустками [Текст] / Ю. О. Аверков, авт. В. М. Яковенко // Физика плазмы. - 2004. - Т. 30, N 6. - С. 563-570. - Библиогр.: с. 570 (14 назв. ). - ил.: 7 рис. . - ISSN 0367-2921

УДК

533.922

ББК 22.38
Рубрики: Физика--Ядерная физика
Кл.слова (ненормированные):
генерация -- электромагнитные волны -- электромагнитные сгустки -- вакуум -- границы раздела -- излучение
Аннотация: Исследована генерация переходного излучения поверхностных электромагнитных волн нерелятивистским электронным сгустком, пересекающим границу вакуум-полупроводник, а также тонкую полупроводниковую пластинку в вакууме. Сгусток имеет вид эллипсоида вращения с равномерным распределением заряда по объему и движется вдоль нормали к границе разделе сред.

Доп.точки доступа:
Яковенко, В. М.

Найти похожие

530.1
М 860

Мохнатова, О. А.
Нелинейное отражение фемтосекундного спектрального суперконтинуума [Текст] / О. А. Мохнатова, авт. С. А. Козлов // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2008. - Т. 133, вып. 2. - С. 260-270. - Библиогр.: с. 270 . - ISSN 0044-4510

УДК

530.1

ББК 22.31
Рубрики: Физика
Теоретическая физика
Кл.слова (ненормированные):
суперконтинуумы -- нелинейное отражение -- границы раздела -- кварцевое стекло -- отражение -- фемтосекундные спектральные суперконтинуумы -- спектральные суперконтинуумы -- воздух-кварцевое стекло
Аннотация: Промоделировано нелинейное отражение различных типов фемтосекундных спектральных суперконтинуумов от границы раздела воздух-кварцевое стекло.

Доп.точки доступа:
Козлов, С. А.

Найти похожие

Якупов, В. С.
Дистанционное определение границ раздела, образованных в толщах льда инверсиями геомагнитного поля [Текст] / В. С. Якупов, М. В. Якупов, С. В. Якупов // Доклады Академии наук. - 2003. - Т. 393, N 2. - С. 256-259 . - ISSN 0869-5652

УДК

^a550.3

ББК 26.2
Рубрики: Геофизика
Общие вопросы геофизики --Антарктида--Гренландия
Кл.слова (ненормированные):
геомагнитные поля -- границы раздела -- магнитовосприимчивость льдов -- полярные ледники -- разделообразующие инверсии
Аннотация: Рассматривается возможность дистанционного обнаружения, выделения и определения глубины залегания границ раздела по намагниченности, образованных в толщах льда полярных ледников инверсиями геомагнитного поля.

Доп.точки доступа:
Якупов, М. В.; Якупов, С. В.

Найти похожие

Григорьев, А. И.
Нелинейный анализ закономерностей реализации неустойчивости Рэлея-Тейлора на заряженной границе раздела сред [Текст] / А. И. Григорьев, Д. М. Пожарицкий // Журнал технической физики. - 2008. - Т. 78, N 4. - С. 35-42. - Библиогр.: c. 42 (12 назв. ) . - ISSN 0044-4642

УДК

^a536.22/.23

ББК 22.365
Рубрики: Физика
Газы и жидкости
Кл.слова (ненормированные):
неустойчивость Рэлея-Тейлора -- Рэлея-Тейлора неустойчивость -- границы раздела -- жидкости
Аннотация: В третьем порядке малости по произведению амплитуды волны на волновое число найдено аналитическое асимптотическое решение задачи о расчете нелинейной стадии неустойчивости Рэлея-Тейлора на однородно заряженной границе раздела двух несмешивающихся идеальных несжимаемых жидкостей, одна из которых проводящая, а другая - диэлектрическая. Выяснилось, что наличие заряда на границе раздела сред приводит к расширению диапазона длин волн, претерпевающих неустойчивость, за счет смещения в область коротких длин волн и к уменьшению длины волны, обладающей максимальным инкрементом. В итоге характерный линейный масштаб деформации поверхности раздела сред, связанный с протеканием тяжелой жидкости в легкую, уменьшается с возрастанием поверхностной плотности электрического заряда пропорционально корню квадратному из параметра Тонкса-Френкеля, характеризующего устойчивость поверхности раздела по отношению к распределенному по ней заряду.

Доп.точки доступа:
Пожарицкий, Д. М.

Найти похожие

Тепловые параметры слоев и границ раздела в структурах кремний на алмазе [Текст] / А. Ю. Клоков и [др. ] // Физика твердого тела. - 2008. - Т. 50, вып: вып. 12. - С. 2167-2173. - Библиогр.: с. 2172-2173 (21 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
границы раздела -- тепловые параметры -- кремний -- кремниевая подложка -- алмаз -- алмазная пленка -- поликристаллические алмазные пленки
Аннотация: Исследованно распространение тепла при комнатной температуре в гетероструктуре, состоящий из поликристаллической алмазной пленки, осажденной из углеродной плазмы на ориентированную кремниевую подложку. Измерена динамика остывания тонкопленочного индиевого термометра, нанесенного на алмазную пленку, после нагрева наносекундными импульсами азотного лазера. Экстремальные данные сравниваются с величинами, рассчитанными в рамках теории теплопроводности для многослойных систем. Проведенный анализ позволил определить одновременно теплопроводность алмазной пленки и тепловое сопротивление границы алмаз/Si и In/алмаз.

Доп.точки доступа:
Клоков, А. Ю.; Аминев, Д. Ф.; Шарков, А. И.; Ральченко, В. Г.; Галкина, Т. И.

Найти похожие

Красников, Г. Я.
Влияние границы раздела кремний-диэлектрик на электрофизические свойства мдп-транзисторов нанометровых размеров [Текст] / Г. Я. Красников, Н. А. Зайцев, И. В. Матюшкин // Доклады Академии наук высшей школы России. - 2009. - N 2 (13). - С. 6-15 : рис. - Библиогр.: с. 14 (11 назв. ) . - ISSN 1727-2769

ГРНТИ	30.03.19
УДК	^a53:51

ББК 22.2
Рубрики: Механика
Математическая теория механики
Кл.слова (ненормированные):
альтернативные диэлектрики -- диэлектрики -- электрофизические свойства -- эквивалентная толщина оксида -- субоксидный слой -- границы раздела -- МДП-нанотранзисторы -- поляризация
Аннотация: Рассмотрено более точное выражение для определения эквивалентной толщины оксида, которое учитывает особенности поляризации переходного субоксидного слоя на границе Si/диэлектрик и конечность поперечных размеров затвора.

Доп.точки доступа:
Зайцев, Н. А.; Матюшкин, И. В.

Найти похожие

Свойства транспортного слоя, сформированного на границе раздела двух полимерных пленок [Текст] / Р. Б. Салихов [и др. ] // Журнал технической физики. - 2009. - Т. 79, N 4. - С. 131-135. - Библиогр.: c. 135 (16 назв. ) . - ISSN 0044-4642

УДК

^a539.21:537

ББК 22.373
Рубрики: Физика
Электрические и магнитные свойства твердых тел
Кл.слова (ненормированные):
полимерные пленки -- транспортные слои -- электропроводность -- термоэлектронная эмиссия Шоттки -- Шоттки термоэлектронная эмиссия -- границы раздела
Аннотация: Исследованы электронные транспортные свойства двумерного граничного слоя, образованного двумя пленками органического полимерного материала. Установлено, что электропроводность такого слоя на несколько порядков превышает поверхностную проводимость отдельных пленок, составляющих экспериментальную структуру. Проведенные температурные измерения показали, что перенос носителей заряда вдоль этого слоя характеризуется в рамках моделей термоэлектронной эмиссии Шоттки и прыжкового транспорта по ловушечным уровням.

Доп.точки доступа:
Салихов, Р. Б.; Лачинов, А. Н.; Корнилов, В. М.; Рахмеев, Р. Г.

Найти похожие

Гриценко, В. А.
Структура границ раздела кремний/оксид и нитрид/оксид [Текст] / В. А. Гриценко // Успехи физических наук. - 2009. - Т. 179, N 9. - С. 921-930 : 20 рис. - Библиогр.: с. 930 (43 назв. ) . - ISSN 0042-1294

ГРНТИ	29.19.24	29.19.33
УДК	^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
атомное строение -- диэлектрики -- свойства границ -- границы раздела -- кремниевая микроэлектроника -- электрические поля -- кремниевые приборы
Аннотация: В настоящем обзоре систематизированы и обобщены современные представления об атомном строении границ раздела кремний/диэлектрик и диэлектрик/диэлектрик в структурах, которые являются основой кремниевых приборов.

Найти похожие

10.

Свойства границ раздела в солнечных элементах на основе GaInP [Текст] / А. С. Гудовских [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 10. - С. 1403-1408 : ил. - Библиогр.: с. 1407-1408 (16 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
солнечные элементы -- СЭ -- фотопреобразователи -- GaInP -- валентные зоны -- p-n структуры -- излучения -- солнечные излучения -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- границы раздела -- свойства границ раздела -- фосфиды -- атомы 3 группы
Аннотация: Проведены исследования влияния свойств границ раздела фосфидов атомов III группы на характеристики фотопреобразователей на основе GaInP. Показано, что большая величина разрыва валентных зон на границе p-GaAs/p-AlInP создает фундаментальные ограничения для использования слоев p-AlInP в качестве широкозонного окна в p-n-структурах фотопреобразователей, работающих при высоких уровнях концентрации солнечного излучения. Показана потенциальная возможность улучшения характеристик фотопреобразователей на основе p-n-структур при использовании двухслойного широкозонного окна, состоящего из слоев p-Al[0. 8]Ga[0. 2]As и p- (Al[0. 6]Ga[0. 4]) [0. 51]In[0. 49]P.

Доп.точки доступа:
Гудовских, А. С.; Калюжный, Н. А.; Лантратов, В. М.; Минтаиров, С. А.; Шварц, М. З.; Андреев, В. М.

Найти похожие

11.

Никитенко, В. Р.
Механизм металлической проводимости вдоль границы раздела органических диэлектриков [Текст] / В. Р. Никитенко, А. Р. Тамеев, А. В. Ванников // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 2. - С. 223-229 : ил. - Библиогр.: с. 229 (24 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
электронно-дырочные пары -- металлическая проводимость -- границы раздела -- органические диэлектрики -- электропроводимость -- интерфейсы -- геминальные пары -- ГП -- поверхностная плотность -- подвижные носители зарядов -- термическая активация -- туннелирование -- численное моделирование
Аннотация: Проведен теоретический анализ прыжковой подвижности носителей заряда (как поверхностной, так и объемной) при наличии электронно-дырочных пар. Предложена физическая модель электропроводности металлического типа вдоль границы раздела (интерфейса) органических материалов, каждый из которых в отдельности является диэлектриком. Причиной является образование на границе раздела геминальных пар с достаточно высокой поверхностной плотностью. Определены условия, при которых для значительной части носителей заряда переходы между молекулами не требуют термической активации и туннелирования. Численным моделированием получены оценки величин поверхностной электропроводности и подвижности носителей заряда.

Доп.точки доступа:
Тамеев, А. Р.; Ванников, А. В.

Найти похожие

12.

Уменьшение поглощения в структурах кварц/Si, кварц/Si/SiO[2] и SiC/Si/SiO[2] под влиянием лазерной обработки [Текст] / В. Н. Лисоченко [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 3. - С. 326-329 : ил. - Библиогр.: с. 329 (8 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.232
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
отжиг -- лазерный отжиг -- лазерное излучение -- лазерная обработка -- поглощение -- спектры поглощения -- полупроводниковые структуры -- кварцы -- оптическое поглощение -- пленки -- границы раздела
Аннотация: Исследовано влияние лазерного излучения на спектры оптического поглощения систем кварц/Si, кварц/Si/SiO[2] и SiC/Si/SiO[2]. Выявлены эффекты управления прозрачностью данной структуры.

Доп.точки доступа:
Лисоченко, В. Н.; Конакова, Р. В.; Коноплев, Б. Г.; Кушнир, В. В.; Охрименко, О. Б.; Светличный, А. М.

Найти похожие

13.

Шугуров, А. Р.
Исследование упругой деформации пленок Ti при знакопеременном изгибе [Текст] / А. Р. Шугуров, А. В. Панин, М. С. Казаченок // Журнал технической физики. - 2010. - Т. 80, N 11. - С. 35-40. - Библиогр.: c. 39-40 (19 назв. ) . - ISSN 0044-4642

УДК

^a539.21:534

ББК 22.372
Рубрики: Физика
Механические и акустические свойства монокристаллов
Кл.слова (ненормированные):
титан -- упругая деформация -- знакопеременный изгиб -- когерентная деформация -- гофрирование пленок -- границы раздела -- усталостные испытания -- коробление пленок -- напряженно-деформированные состояния -- дефекты -- отслоение пленок
Аннотация: Изучено влияние напряженно-деформированного состояния на границе раздела пленка-подложка на процессы упругой деформации пленок Ti при знакопеременном изгибе. Показано, что податливость подложки Al обусловливает когерентную деформацию системы пленка-подложка, приводя к гофрированию пленки Ti и возникновению волнистой границы раздела пленка-подложка. В процессе усталостных испытаний вдоль границы раздела формируется периодическое распределение нормальных и касательных напряжений, вызывающее периодическое коробление пленок. Коробление пленок Ti на подложке Ti происходит случайным образом на участках локального отслоения пленок и обусловлено накоплением дефектов на границе раздела.

Доп.точки доступа:
Панин, А. В.; Казаченок, М. С.

Найти похожие

14.

Альшиц, В. И.
Резонансное возбуждение поляритонов и плазмонов у границы раздела одноосного кристалла с металлом [Текст] / В. И. Альшиц, В. Н. Любимов // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 138, вып: вып. 4. - С. 669-686. - Библиогр.: с. 686 . - ISSN 0044-4510

УДК

^a530.1

ББК 22.31
Рубрики: Физика
Теоретическая физика
Кл.слова (ненормированные):
резонансное возбуждение -- возбуждение -- поляритоны -- плазмоны -- границы раздела -- одноосные кристаллы -- кристаллы -- металлы
Аннотация: Изучено резонансное возбуждение поляритонов и плазмонов у границы раздела одноосного кристалла с металлом.

Доп.точки доступа:
Любимов, В. Н.

Найти похожие

15.

Прямое туннелирование электронов в структурах Al-n{+}-Si-SiO[2]-n-Si в режиме нестационарного обеднения поверхности полупроводника основными носителями заряда [Текст] / Е. И. Гольдман [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 8. - С. 1050-1052 : ил. - Библиогр.: с. 1052 (8 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
туннелирование электронов -- прямое туннелирование -- сверхтонкие окислы -- металл-окисел-полупроводник -- МОП -- электрические поля -- туннельные барьеры -- окислы -- полевые электроды -- ПЭ -- вольт-амперная характеристика -- ВАХ -- заряды -- туннельный ток -- напряжение -- границы раздела -- ГР
Аннотация: Экспериментально исследованы особенности прямого туннелирования электронов сквозь сверхтонкий (~40 Angstrem) окисел в структурах металл-SiO[2]-Si в нестационарных условиях обеднения поверхности полупроводника, когда потенциальный рельеф в изоляторе слабо возмущен внешними электрическими полями. Прозрачность туннельного барьера существенно ограничивается классически запрещенной областью в n-Si, обусловленной встроенным в SiO[2] отрицательным зарядом. С увеличением падения напряжения на окисле локализованные в нем электроны переходят в полупроводник, что сопровождается резким ростом туннельного тока. Из эксперимента определены значения коэффициентов линейного нарастания логарифма туннельного тока при повышении напряжения на изоляторе. Они не согласуются с данными, рассчитанными на основе модели прямоугольного барьера с параметрами, типичными для "толстых" окислов. Показано, что реальные значения эффективной массы должны быть больше 0. 5m0, а высота барьера меньше 3. 1 эВ.

Доп.точки доступа:
Гольдман, Е. И.; Гуляев, Ю. В.; Ждан, А. Г.; Чучева, Г. В.

Найти похожие

16.

Рудинский, М. Э.
Вольт-фарадные характеристики системы электролит-n-InN и электронные состояния на границе раздела [Текст] / М. Э. Рудинский, А. А. Гуткин, П. Н. Брунков // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 8. - С. 1053-1058 : ил. - Библиогр.: с. 1057 (8 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
вольт-фарадные характеристики -- ВФХ -- электронные состояния -- границы раздела -- ГР -- электролиты -- n-InN -- металл-диэлектрик-полупроводник -- МДП
Аннотация: Измерены зависимости дифференциальной емкости системы вырожденный n-InN-электролит от напряжения смещения при частоте зондирующего напряжения 300 Гц. Количественный анализ этих характеристик проведен на основе одномерной модели структуры металл-диэлектрик-полупроводник в области напряжений смещения вблизи напряжения плоских зон и обеднения. Показано, что на величину емкости в этой области напряжений влияют электронные состояния на границе раздела. Оценены плотность и распределение по энергии этих состояний. Вид зависимости емкости от напряжения в области аккумуляции также свидетельствует о существовании состояний на границе раздела, энергия которых на несколько десятых эВ превышает энергию дна зоны проводимости. Плотность этих состояний растет с увеличением энергии.

Доп.точки доступа:
Гуткин, А. А.; Брунков, П. Н.

Найти похожие

17.

Барьеры на p-кремнии типа металл-диэлектрик-полупроводник с нанотолщинным диэлектриком из нитрида алюминия [Текст] / А. М. Иванов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 8. - С. 1064-1067 : ил. - Библиогр.: с. 1067 (5 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- p-кремний -- металл-диэлектрик-полупроводник -- МДП -- диэлектрики -- нанотолщинные диэлектрики -- нитрид алюминия -- границы раздела -- ГР -- поверхностные состояния -- магнетронное распыление -- детекторы -- ядерные излучения
Аннотация: Анализируется состояние поверхности границы раздела p-кремний- (нанотолщинный диэлектрик). Исследуются спектры DLTS в режимах перезарядки глубоких центров в объеме структуры, а также ее поверхностных состояний. Определен характер шумов в функции величины обратного напряжения в плане применения структуры в качестве детектора ядерных излучений. Сделано заключение, что используемый в структуре барьер обладает более высоким качеством при нанесении нанотолщинных пленок нитрида алюминия путем магнетронного распыления на постоянном, а не переменном токе.

Доп.точки доступа:
Иванов, А. М.; Котина, И. М.; Ласаков, М. С.; Строкан, Н. Б.; Тухконен, Л. М.

Найти похожие

18.

Исследование границы раздела слой-подложка в структурах Si-SiO[2]-p-Si с кремниевыми квантовыми точками методом температурных зависимостей фотоэдс [Текст] / Е. Ф. Венгер [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 9. - С. 1224-1228 : ил. - Библиогр.: с. 1228 (26 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
границы раздела -- структуры -- Si-SiO[2]-p-Si -- кремниевые квантовые точки -- температурные зависимости -- фотоэдс -- граничные электронные состояния -- ГЭС -- электронный парамагнитный резонанс -- ЭПР -- слой-подложка -- магнетронное напыление -- кремниевые подложки -- кремниевые нанокристаллы -- оксидная матрица -- высокотемпературный отжиг -- нанокристаллы -- окисление
Аннотация: Методом температурных зависимостей конденсаторной фотоэдс исследованы слои, полученные магнетронным напылением Si и SiO[2] на кремниевую подложку p-типа и содержащие кремниевые нанокристаллы в оксидной матрице. Изучено влияние на характеристики границы раздела слой-подложка ориентации подложки, а также естественного окисления слоя, предшествующего высокотемпературному отжигу, приводящему к образованию нанокристаллов Si в матрице SiO[2]. Оценена плотность быстрых граничных состояний, захватывающих основные носители. Установлено, что в случае подложки с ориентацией (111) на границе раздела слой-подложка имеют место структурные изменения, вызванные напряжениями, возникающими при понижении температуры. Показано, что естественное окисление напыленного слоя, предшествующее высокотемпературному отжигу, вызывает рост величины заряда, встроенного в окисел.

Доп.точки доступа:
Венгер, Е. Ф.; Кириллова, С. И.; Корсунская, Н. Е.; Старая, Т. Р.; Хоменкова, Л. Ю.; Савченко, А. В.; Goldstein, Y.; Savir, E.; Jedrzejewski, J.

Найти похожие

19.

Рекристаллизация с границы раздела кремний-сапфир как новый метод получения структурно совершенных пленок кремния на сапфировой подложке [Текст] / П. А. Александров [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 10. - С. 1433-1435 : ил. - Библиогр.: с. 1435 (11 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
границы раздела -- сапфир -- пленки кремния -- сапфировые подложки -- кремниевые слои -- рекристаллизация -- твердофазная рекристаллизация -- дефекты -- рентгеновская дифракция -- КНС -- кремний на сапфире -- аморфные слои -- имплантация ионов -- отжиг
Аннотация: Использование процесса твердофазной рекристаллизации в значительной степени уменьшает количество дефектов в кремниевом слое. Аморфный слой создавался имплантацией ионов кремния. Кристаллическое качество КНС-структур оценивалось методом высокоразрешающей двухкристальной рентгеновской дифракции. Высококачественные кремниевые слои с толщиной d=1000-2500 Angstrem получались после имплантации ионов кремния (с энергией 150 кэВ) и последующего высокотемпературного отжига.

Доп.точки доступа:
Александров, П. А.; Демаков, К. Д.; Шемардов, С. Г.; Кузнецов, Ю. Ю.

Найти похожие

20.

Управление длиной волны излучения квантовых ям InGaAs/GaAs и лазерных структур на их основе с помощью протонного облучения [Текст] / С. А. Ахлестина [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып: вып. 11. - С. 1494-1497 : ил. - Библиогр.: с. 1497 (8 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
гетероструктуры -- InGaAs/GaAs -- квантовые ямы -- КЯ -- лазерные структуры -- длина волны -- протонное облучение -- облучение протонами -- термический отжиг -- температура отжига -- лазерное излучение -- имплантация ионов -- границы раздела -- ионы
Аннотация: Исследованы особенности управления длиной волны излучения лазерных гетероструктур с напряженными квантовыми ямами InGaAs/GaAs посредством облучения протонами средних энергий (до 150 кэВ). Установлено, что облучение ионами H{+} и последующий термический отжиг при температуре 700{o}C позволяют уменьшить длину волны излучения квантовых ям. С ростом дозы ионов от 10{13} до 10{16} см{-2} величина изменения длины волны увеличивается до 20 нм. При этом начиная с дозы 10{15} см{-2} наблюдается значительное уменьшение интенсивности излучения. Определены оптимальные дозы ионов H{+} (6 x 10{14} см{-2}) и температура отжига (700{o}C) для модифицирования лазерных структур InGaAs/GaAs/InGaP и показано, что в этом случае можно получить сдвиг ~8-10 нм длины волны лазерного излучения с малыми потерями интенсивности при сохранении качества поверхности лазерных структур. Наблюдаемый "синий" сдвиг обусловлен стимулированными имплантацией процессами перемешивания атомов Ga и In на границах раздела InGaAs/GaAs.

Доп.точки доступа:
Ахлестина, С. А.; Васильев, В. К.; Вихрова, О. В.; Данилов, Ю. А.; Звонков, Б. Н.; Некоркин, С. М.

Найти похожие

1-20 21-40 41-60 61-67

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)