Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=алмазоподобные полупроводники<.>)

Общее количество найденных документов : 5
Показаны документы с 1 по 5

530.1
Ф 517

Филатов, Д. О.
Ферромагнетики на основе алмазоподобных полупроводников GaSb, InSb, Ge и Si, пересыщенных примесями марганца или железа при осаждении из лазерной плазмы [Текст] / Д. О. Филатов, Е. С. Демидов [и др.] // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2008. - Т. 133, вып. 1. - С. 132-139. - Библиогр.: с. 139 . - ISSN 0044-4510

УДК

530.1

ББК 22.31
Рубрики: Физика
Теоретическая физика
Кл.слова (ненормированные):
лазерная плазма -- железо -- полупроводники -- марганец -- ферромагнетики -- примеси железа -- алмазоподобные полупроводники -- примеси марганца
Аннотация: Рассматриваются ферромагнетики на основе алмазоподобных полупроводников GaSb, InSb, Ge и Si, пересыщенных примесями марганца или железа при осаждении из лазерной плазмы.

Доп.точки доступа:
Демидов, Е. С.; Подольский, В. В.; Лесников, В. П.; Сапожников, М. В.; Дружнов, Д. М.; Гусев, С. Н.; Грибков, Б. А.; Степанова, Ю. С.; Левчук, С. А.

Найти похожие

Фоточувствительность поверхностно-барьерных и точечных структур на монокристаллах Cd[1-x]Mn[x]Te [Текст] / Г. А. Ильчук [и др. ] // Журнал технической физики. - 2008. - Т. 78, N 6. - С. 49-53. - Библиогр.: c. 53 (12 назв. ) . - ISSN 0044-4642

УДК

^a537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
фоточувствительность -- поверхностно-барьерные структуры -- точечные структуры -- твердые растворы -- алмазоподобные полупроводники -- магнитные полупроводники -- оптические переходы
Аннотация: Предложены и впервые получены два новых типа фоточувствительных структур на монокристаллах твердых растворов алмазоподобных магнитных полупроводников Cd[1-x]Mn[x]Te (x=0-0. 7). Выполнены исследования фотоэлектрических свойств поверхностно-барьерных In/Cd[1-x]Mn[x]Te и сварных структур св/Cd[1-x]Mn[x]Te при T=300 K. Проведен сопоставительный анализ закономерностей спектров фоточувствительности полученных структур, что позволило определить характер межзонных оптических переходов и значения ширины запрещенной зоны в кристаллах Cd[1-x]Mn[x]Te. Сделан вывод о возможности применения полученных структур в разработках приборов магнитной фотоэлектроники.

Доп.точки доступа:
Ильчук, Г. А.; Петрусь, Р. Ю.; Николаев, Ю. А.; Рудь, В. Ю.; Рудь, Ю. В.; Теруков, Е. И.

Найти похожие

Голощапов, С. И.
Получение высоких уровней легирования Mn в алмазоподобном полупроводнике ZnGeP2 методом диффузии в твердой фазе [Текст] / С. И. Голощапов, С. Е. Никитин // Письма в Журнал технической физики. - 2007. - Т. 33, вып: вып. 16. - С. 34-38 . - ISSN 0320-0116

УДК

^a537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
высокие уровни легирования кристаллов -- марганец -- алмазоподобные полупроводники -- диффузия в твердой фазе
Аннотация: Методом реактивной диффузии в твердой фазе получены высокие уровни легирования марганцем кристаллов халькопирита ZnGeP[2]. Измерения сигнала ЭПР показали, что концентрация Mn\{2+\} составляет 10\{17\}-10\{18\} cm\{-3\}.

Доп.точки доступа:
Никитин, С. Е.

Найти похожие

Стамов, И. Г.
Влияние электрического поля на фотоэффект в барьерах Шоттки на электронном дифосфиде кадмия [Текст] / И. Г. Стамов // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып: вып. 9. - С. 1079-1085 . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
фотоэффект -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- электронный дифосфид кадмия -- выпрямляющие структуры -- алмазоподобные полупроводники
Аннотация: Представлены результаты исследования фотоэлектрических свойств барьеров Шоттки на CdP[2] n-типа проводимости. Изучено влияние электрического поля барьера на фототоки, связанные с фотоэлектронной эмиссией из металла и оптической генерацией неравновесных носителей заряда в полупроводнике. Установлено, что зависимость фототока от частоты модуляции интенсивности светового потока определяется временами перезарядки уровней на границах области пространственного заряда (ОПЗ) с областью квазинейтральности и полупроводника с металлом. Получено хорошее согласие между теоретическими и экспериментальными результатами.

Доп.точки доступа:
Ткаченко, Д. В.

Найти похожие

621.315.592
Ф 356

Федяева, О. А.
Закономерность изменения кристаллохимических, электрофизических и поверхностных физико-химических свойств материалов A{X}B{8-X} от энергии обратного адсорбционного пьезоэлектрического эффекта [Текст] / О. А. Федяева // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 9. - С. 1121-1125 : ил. - Библиогр.: с. 1125 (13 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592

543.4/.5

ББК 31.233 + 24.46/48
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
   Химия
   Физико-химические методы анализа
Кл.слова (ненормированные):
кристаллохимические свойства -- электрофизические свойства -- физико-химические свойства -- алмазоподобные полупроводники -- обратный адсорбционный пьезоэлектрический эффект -- ОАПЭ -- точечные дефекты -- дефекты -- твердые тела -- дилатометрические методы -- калориметрические методы -- эмпирические формулы -- запрещенные зоны -- температура плавления -- микротвердость -- энергетическая плотность -- плотность энергии -- полупроводниковые материалы
Аннотация: На основе обобщения большого экспериментального материала о структуре, составе, адсорбционных и электрофизических свойств поверхности алмазоподобных полупроводников впервые установлена закономерность изменения их кристаллохимических, электрофизических и поверхностных (адсорбционных, электрофизических) свойств в зависимости от энергии обратного адсорбционного пьезоэлектрического эффекта. Отмечено совпадение величин этой энергии с энергией образования и гибели точечных дефектов в твердых телах, определяемой дилатометрическим и калориметрическим методами. Для соединений A{II}B{VI} получены эмпирические формулы изменения ширины запрещенной зоны, температуры плавления и микротвердости в зависимости от энергетической плотности в кислороде. На основе установленной закономерности найдены значения микротвердости полупроводниковых материалов HgS, HgSe, Cd[0. 12]Hg[0. 88]Te, отсутствующие в справочной литературе.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/09/p1121-1125.pdf

Найти похожие

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)