Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=ОДП<.>)

Общее количество найденных документов : 4
Показаны документы с 1 по 4

Ремнев, М. А.
Влияние спейсерных слоев на вольт-амперные характеристики резонансно-туннельного диода [Текст] / М. А. Ремнев, И. Ю. Катеев, В. Ф. Елесин // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 8. - С. 1068-1073 : ил. - Библиогр.: с. 1072-1073 (21 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
резонансно-туннельные диоды -- РТД -- спейсерные слои -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- спейсеры эмиттера -- уравнения Шредингера -- Шредингера уравнения -- отрицательная дифференциальная проводимость -- ОДП -- двуямная наноструктура -- ДНС
Аннотация: При помощи численного решения уравнения Шредингера получены вольт-амперные характеристики резонансно-туннельного диода со спейсерными слоями (спейсерами). Построены зависимости пикового тока резонансно-туннельного диода от ширины спейсера эмиттера. Показано, что пиковый ток зависит периодическим образом от ширины спейсера эмиттера. Построенные диаграммы плотности электронов показали, что увеличение пикового тока связано с резонансным уровнем в области спейсера эмиттера.

Доп.точки доступа:
Катеев, И. Ю.; Елесин, В. Ф.

Найти похожие

621.315.592
Э 413

Экспериментальное исследование умножителей частоты на полупроводниковых сверхрешетках в терагерцовом диапазоне частот [Текст] / Д. Г. Павельев [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 1. - С. 125-129 : ил. - Библиогр.: с. 128 (10 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592^V3

539.2^V3

ББК 31.233 + 22.37
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
   Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
экспериментальные исследования -- умножители частоты -- УЧ -- полупроводниковые сверхрешетки -- сверхрешетки -- СР -- диоды -- метод молекулярно-лучевой эпитаксии -- молекулярно-лучевая эпитаксиия -- преобразование Фурье -- Фурье преобразование -- отрицательная дифференциальная проводимость -- ОДП -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- жидкий гелий -- фурье-спектрометры -- ФС -- BOMEM DA3. 36 -- гармоники -- импульсы -- структуры -- болометры
Аннотация: Проведено экспериментальное исследование умножителя частоты на полупроводниковой квантовой сверхрешетке GaAs/AlAs. Измерялся спектр мощности гармоник выходного сигнала умножителя с частотой входного сигнала 140-160 ГГц. В исследовании использовались планарные диоды с малой активной областью размером 1-2 мкм{2}. Для изготовления диодов применялись выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии структуры сильно легированных сверхрешеток с шириной мини-зоны 24 мэВ. Измерения проводились при помощи спектрометра с преобразованием Фурье "BOMEM" DA3. 36, оснащенного приемником на основе охлаждаемого до температуры жидкого гелия болометра. По результатам измерений построены графики зависимости мощности гармоник от частоты в диапазоне 0. 4 до 8. 1 ТГц. Определено, что характер распределения СВЧ мощности по номерам гармоник близок к спектру последовательности знакопеременных импульсов, возникающих в цепи диода при превышении приложенного напряжения входного сигнала над пороговым напряжением диода. Рассчитанные по результатам измерений минимальное время установления фронта импульсов и длительность импульсов равны 123 и 667 фс.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/01/p125-129.pdf

Доп.точки доступа:
Павельев, Д. Г.; Кошуринов, Ю. И.; Иванов, А. С.; Панин, А. Н.; Вакс, В. Л.; Гавриленко, В. И.; Антонов, А. В.; Устинов, В. М.; Жуков, А. Е.

Найти похожие

537
К 592

Козлов, В. А.
Терагерцевая отрицательная проводимость гетероструктурных барьеров при баллистическом транспорте горячих электронов [Текст] / В. А. Козлов, В. А. Вербус, А. В. Николаев // Известия РАН. Серия физическая. - 2007. - Т. 71, N 1. - С. 114-117. - Библиогр.: с. 117 (12 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

537

ББК 22.33
Рубрики: Физика
Электричество и магнетизм
Кл.слова (ненормированные):
транспорт горячих электронов -- полупроводниковые гетероструктуры -- отрицательная дифференциальная проводимость -- ОДП -- механизмы динамической ОДП -- математическое моделирование
Аннотация: Проведено теоретическое рассмотрение механизма получения терагерцевой отрицательной проводимости на пролетных эффектах при баллистическом транспорте горячих носителей в наноразмерных полупроводниковых гетероструктурах.

Доп.точки доступа:
Вербус, В. А.; Николаев, А. В.

Найти похожие

539.19
П 849

Проявление эффекта Перселла в проводимости короткопериодных сверхрешеток InAs/AlSb / М. С. Каган [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 11. - С. 1489-1492 : ил. - Библиогр.: с. 1491 (9 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

539.19

621.315.592

ББК 22.36 + 31.233
Рубрики: Физика
   Молекулярная физика в целом
   Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
сверхрешетки -- InAs/AlSb -- комнатная температура -- гетеропереходы -- отрицательная дифференциальная проводимость -- ОДП -- размерно-квантовые состояния -- туннелирование -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- резонаторы -- оптические электронные переходы -- электронные переходы -- эффект Перселла -- Перселла эффект
Аннотация: Исследовался вертикальный транспорт в короткопериодных сверхрешетках InAs/AlSb с гетеропереходами II рода при комнатной температуре. Обнаружено возникновение отрицательной дифференциальной проводимости в режиме минизонной проводимости при перекрытии размерно-квантованных состояний в периодической системе квантовых ям. В режиме нерезонансного туннелирования обнаружено возникновение эквидистантных максимумов на вольт-амперной характеристике этих сверхрешеток, которые связываются с влиянием резонатора на оптические электронные переходы в квантовых ямах (эффект Перселла).
The vertical transport in short-period type-II InAs/AlSb superlattices was studied. The negative differential conductivity was observed in a miniband transport regime as the result of overlapping confined states in a periodic quantum well structure. Several equidistant maxima appeared on current–voltage characteristics of the superlattices were found in the non-resonant tunneling regime. They are shown to be due to the influence of optical cavity on optical transitions within quantum wells (Purcell effect).

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/11/p1489-1492.pdf

Доп.точки доступа:
Каган, М. С.; Алтухов, И. В.; Баранов, А. Н.; Ильинская, Н. Д.; Папроцкий, С. К.; Тесье, Р.; Усикова, А. А.; Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова Российской академии наук (Москва); Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова Российской академии наук (Москва); Institut d'Electronique du Sud, Universite Montpellier 2 (France); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова Российской академии наук (Москва); Institut d'Electronique du Sud, Universite Montpellier 2 (France); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург)Нанофизика и Наноэлектроника, симпозиум (2013 ; Нижний Новгород)

Найти похожие

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)