Электронные ресурсы

Базы данных


Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска
Электронный каталог
Статьи из журналов: 2001-2014
Труды ОмГУ
История ОмГУ
Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска
Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=Мотта теория<.>)
Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2
1.


    Аванесян, В. Т.
    Прыжковая проводимость в поликристаллических фотопроводящих слоях Pb[3]O[4] [Текст] / В. Т. Аванесян, С. А. Потачев, Е. П. Баранова // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 11. - С. 1538-1540 : ил. - Библиогр.: с. 1540 (7 назв. ) . - ISSN 0015-3222
УДК
^a621.315.592
ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
   Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
слои -- поликристаллические слои -- фотопроводящие слои -- Pb[3]O[4] -- свинцовый сурик -- проводимость -- прыжковая проводимость -- теория Мотта -- Мотта теория -- электроперенос -- уровни Ферми -- Ферми уровни -- носители заряда -- НЗ -- температура -- электрический перенос
Аннотация: В поликристаллических слоях Pb[3]O[4] изучена проводимость на переменном токе в интервале частот f=10{2}-10{5} Гц и диапазоне температур 293-370 K в темновом и световом режимах измерения. Обсуждаются особенности процесса переноса заряда. Анализ экспериментальных данных в рамках теории Мотта показывает, что проводимость отвечает прыжковому механизму и имеет место электроперенос в запрещенной зоне вблизи уровня Ферми. Для различных значений температуры определены микропараметры, определяющие процесс проводимости, такие как плотность локальных состояний и средняя длина прыжка носителей заряда.


Доп.точки доступа:
Потачев, С. А.; Баранова, Е. П.

Найти похожие
2.
621.315.592
З-135

   
    Зависимость проводимости освещенного неидеального гетероперехода от внешнего смещения [Текст] / В. А. Борщак [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 7. - С. 922-927 : ил. - Библиогр.: с. 927 (6 назв. ) . - ISSN 0015-3222
УДК
621.315.592^V3
ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
гетеропереходы -- неидеальные гетеропереходы -- область пространственного заряда -- ОПЗ -- фотопроводимость -- токоперенос -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- потенциальные барьеры -- теория Мотта -- Мотта теория -- освещение фотоэлемента -- гетерограницы
Аннотация: Показана возможность применения туннельно-прыжковой модели токопереноса для расчета проводимости в барьерной области освещенного неидеального гетероперехода. Проведен расчет вольт-амперной характеристики гетероперехода с учетом преобладания туннельно-прыжкового механизма переноса в барьерной области и с учетом изменения формы потенциального барьера при освещении. Показано, что рассчитанные при разных уровнях освещения вольт-амперные характеристики такого гетероперехода хорошо совпадают с наблюдаемыми экспериментально.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/07/p922-927.pdf

Доп.точки доступа:
Борщак, В. А.; Смынтына, В. А.; Бритавский, Е. В.; Балабан, А. П.; Затовская, Н. П.

Найти похожие
 
Стандартный
Расширенный
Профессиональный
Распределенный
По словарю
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)