Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

в найденном

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>S=Радиоэлектроника -- Электроника<.>)

Общее количество найденных документов : 970
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-30 31-40 41-50 51-60

539.19
Ч 494

Черноплеков, Н. А.
Сверхпроводниковые технологии [Текст] : современное состояние и перспективы практического применения / Н. А. Черноплеков // Вестник Российской академии наук. - 2001. - Т.71,N4 . - ISSN 0869-5873

УДК

539.19

621.3

621.38

ББК 22.36 + 31.2 + 32.85
Рубрики: Физика--Молекулярная физика
Энергетика--Электротехника
Радиоэлектроника--Электроника
Кл.слова (ненормированные):
полупроводниковые материалы -- сверхпроводники -- сверхпроводимость -- низкотемпературная -- сверхпроводящие материалы -- наукоемкие технологии -- провода -- ленточные провода -- изоляция -- электротехника -- силовая сверхпроводимость -- сильноточные технологии -- электроника сверхпроводниковая -- электронные приборы
Аннотация: В развитии техники большие надежды связаны с созданием электротехнического оборудования в сверхпроводниковом исполнении.Автор,чл.-кор.РАН,рассказывает о новом поколении сверхпроводниковых технологий.Публикуется его научное сообщение и материалы дискуссии,состоявшейся в Президиуме РАН.

Доп.точки доступа:
Осипьян, Ю.А.; Гапонов, С.В.; Фортов, В.Е.; Андреев, А.Ф.

Найти похожие

001(09)
Г 808

Грехов, И. В.
Создатель силовой полупроводниковой электроники [Текст] : к 100-летию со дня рождения академика В. М. Тучкевича / И. В. Грехов // Вестник Российской академии наук. - 2004. - Т. 74, N 12 . - ISSN 0869-5873

УДК

001(09)

621.38

ББК 72.3
Рубрики: Наука. Науковедение--История науки
Радиоэлектроника--Электроника
Кл.слова (ненормированные):
исследования -- ученые -- юбилеи -- полупроводники -- полупрводниковая электроника -- диэлектрики -- диэлектрическая электроника -- рентгеновское излучение -- германиевые диоды -- диоды -- реакторы -- тиристоры
Аннотация: Академику Владимиру Максимовичу Тучкевичу - ученый, создатель силовой полупроводниковой электроники. Основными направлениями его работы были исследования электрических свойств диэлектриков и воздействия на них рентгеновского излучения; под его руководством были сделаны первые в стране мощные германиевые диоды, первые полупроводниковые устройства для бесперебойного питания реакторов атомных подводных лодок; проводились работы по созданию мощных тиристоров.

Доп.точки доступа:
Тучкевич, В. М.

Найти похожие

621.384.6
Г 859

Гришин, В. К.
Поляризационное тормозное излучение как средство диагностики структуры фуллеренов [Текст] / В. К. Гришин // Вестник Московского университета. Сер. 3, Физика. Астрономия. - 2004. - N 2. - Библиогр.: с. 71 (5 назв. ) . - ISSN 0201-7385

УДК

621.384.6

ББК 32.85
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника
Кл.слова (ненормированные):
поляризационное тормозное излучение -- структура фуллеренов -- быстрые заряды -- атомные электроны
Аннотация: Рассматриваются свойства поляризационного тормозного излучения ( ПТИ ) , возникающего в результате взаимодействия быстрых зарядов с атомными электронами, на фуллеренах. Показывается, что в этом случае ПТИ имеет ряд характерных особенностей ( осцилляции интенсивности при высоких частотах излучения, резкий всплеск интенсивности при малых чистотах ) , позволяющих идентифицировать фуллерены.

Найти похожие

Бабичев, Г. Г.
Кремниевый однопереходный тензотранзистор [Текст] / Г. Г. Бабичев, С. И. Козловский, В. А. Романов, Н. Н. Шаран // Журнал технической физики. - 2002. - Т.72,N4. - Библиогр.: с.71 (15 назв.) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника
Кл.слова (ненормированные):
S-приборы -- двухбазовые диоды -- кремний -- однопереходные транзисторы -- тензотранзисторы -- тензочувствителные приборы
Аннотация: Приведены результаты исследования однопереходного тензотранзистора на основе кремния. Тензотранзистор относится к тензочувствительным биполярным полупроводниковым приборам с горизонтальной структурой и входной (эмиттерной) вольт-амперной характеристикой S-типа. Определена оптимальная топология прибора, а также рассчитаны его основные характеристики. На основе однопереходного тензотранзистора могут быть созданы релаксационные генераторы с физически интегрированным преобразованием механического напряжения в изменение частоты выходного сигнала

Доп.точки доступа:
Козловский, С.И.; Романов, В.А.; Шаран, Н.Н.

Найти похожие

Дмитрук, Н. Л.
Влияние гамма-облучения на характеристики фотопреобразования барьерных структур металл--арсенид галлия с текстурированной границей раздела [Текст] / Н. Л. Дмитрук, О. Ю. Борковская [и др.] // Журнал технической физики. - 2002. - Т.72,N6. - Библиогр.: с. 48-49 (15 назв.) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника
Кл.слова (ненормированные):
барьер Шоттки -- барьерные структуры -- гамма-облучение -- солнечные элементы -- фотопреобразование
Аннотация: Проведено сравнительное исследование влияния gamma-облучения {60}Co в диапазоне доз 10{3}-2*10{5} Gy на характеристики фотопреобразования и темновые ВАХ солнечных элементов (СЭ) поверхностно-барьерного типа (Au/GaAs) в зависимости от морфологии микрорельефа границы раздела, создаваемого с целью увеличения эффективности фотопреобразования. Показано, что из двух типов морфологии микрорельефа (дендритный и квазирешеточный), полученных методом химического анизотропного травления (100) поверхности n-GaAs, более перспективным для использования в СЭ, особенно космического назначения, является микрорельеф квазирешеточного типа, поскольку он позволяет получить СЭ с большей эффективностью и радиационной стойкостью

Доп.точки доступа:
Борковская, О.Ю.; Конакова, Р.В.; Мамонтова, И.Б.; Мамыкин, С.В.; Войциховский, Д.И.

Найти похожие

Чеснис, A.
Вольт-амперная характеристика и параметры области шнура тока в барьерной негисторной гетероструктурe аморфный теллурид галлия-кристаллический кремний [Текст] / A. Чеснис, C. -А. Карпинскас, А. Урбялис // Журнал технической физики. - 2002. - Т.72,N10. - Библиогр.: с.62 (14 назв.) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника
Кл.слова (ненормированные):
вольт-амперные характеристики -- гетероструктуры -- отрицательное дифференциальное сопротивление -- шнурование тока
Аннотация: Приведены результате исследования переходной вольт-амперной характеристики негисторной барьерной гетероструктуры аморфный GaTe[3]-кристаллический n-Si в условиях проявления отрицательного дифференциального сопротивления. Определены основные параметры (радиус поперечного сечения, плотность тока и удельное сопротивление) области повышенной плотности (шнура) тока в аморфном слое данной структуры. Они сопоставлены с соответствующими параметрами токового шнура в контрольной безбарьерной структуре C-аморфный GaTe[3]-C. Показано, что электропроводность области шнурования тока исследованной гетероструктуры в указанных выше условиях определяется в основном процессами, происходящими в ее кристаллическом компоненте

Доп.точки доступа:
Карпинскас, C.-А.; Урбялис, А.

Найти похожие

32.85
Т 462

Тихов, С. В.
Влияние водорода на фотоэлектрические свойства диодов Шоттки палладий/анодный окисел/арсенид галлия [Текст] / С. В. Тихов, Е. Л. Шоболов, В. В. Подольский, С. Б. Левичев // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N2. - Библиогр.: с.92 (17 назв.) . - ISSN 0044-4642

ББК 32.85
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника
Кл.слова (ненормированные):
арсенид галлия -- водород -- диоды Шоттки -- фотоэдс -- хемасорбция
Аннотация: Исследовано влияние водорода на фотоэдс и вольт-амперные характеристики диодов Шоттки палладий/анодный окисел/арсенид галлия. Определены оптимальные значения толщины окисла, при которой диоды имели высокую чувствительность к водороду, и глубина проникновения атомарного водорода в окисел. Установлен механизм воздействия водорода, заключающийся в хемасорбции атомарного водорода на поверхности арсенида галлия, что приводит к уменьшению высоты барьера и увеличению рекомбинационной составляющей тока. Показана неоднородность пленки туннельно-тонкого анодного окисла по толщине и обнаружено увеличение вероятности туннелирования через окисел под действием водорода. Установлено, что регистрация водорода по отклику фотоэдс характеризовалась большей чувствительностью и обнаружительной способностью, но меньшим быстродействием по сравнению с откликом по обратному току

Доп.точки доступа:
Шоболов, Е.Л.; Подольский, В.В.; Левичев, С.Б.

Найти похожие

621.38
З 430

Звездин, А. К.
Вольт-амперные характеристики спинового полуметаллического транзистора [Текст] / А. К. Звездин, А. С. Мищенко, А. В. Хвальковский // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N4. - Библиогр.: 29 назв. . - ISSN 0044-4642

УДК

621.38

ББК 32.85
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника
Кл.слова (ненормированные):
спиновые полуметаллические транзисторы -- спиновые транзисторы -- транзисторы -- ферромагнитные полуметаллы
Аннотация: Предложена новая конструкция спинового транзистора на основе ферромагнитных полуметаллов, называемого спиновым полуметаллическим транзистором, и теоретически исследованы его вольт-амперные характеристики. Новое устройство подобно биполярному транзистору способно усиливать ток. В то же время свойства спинового полуметаллического транзистора кардинально зависят от взаимной ориентации намагниченностей трех его контактов. Также в работе предложен Fuparrow-Fdownarrow-переход. Это устройство состоит из двух однодоменных полуметаллических частей с противоположными направлениями намагниченности. В некотором диапазоне напряжений вольт-амперные характеристики Fuparrow-Fdownarrow-перехода и полупроводникового диода схожи между собой. Исследовано поведение Fuparrow-Fdownarrow-перехода при различных условия

Доп.точки доступа:
Мищенко, А.С.; Хвальковский, А.В.

Найти похожие

621.38
Б 796

Болтовец, Н. С.
Межфазные взаимодействия и термодеградация контактных структур TiN[x](TiB[x])-n-n{+}-Si, стимулированные быстрыми термическими отжигами [Текст] / Н. С. Болтовец, В. Н. Иванов [и др.] // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N4. - Библиогр.: 16 назв. . - ISSN 0044-4642

УДК

621.38

ББК 32.85
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника
Кл.слова (ненормированные):
барьер Шоттки -- бориды титана -- контактные структуры -- межфазные взаимодействия -- нитриды титана -- термический отжиг -- термодеградация
Аннотация: Приведены результаты экспериментальных исследований термической стабильности контактов с барьером Шоттки (БШ) TiN[x](TiB[x])-n-n{+}-Si, Au-TiN[x](TiB[x])-n-n{+}-Si и Au-Ti(Mo)-TiN[x](TiB[x])-n-n[+}-Si, подвергнутых быстрым термическим отжигам в атмосфере водорода при T=400,600 и 800oC. Показано, что структурно-морфологические перестройки в слоях сплавов внедрения (бориды и нитриды титана) и связанные с ними процессы деградации электрофизических характеристик барьера происходят начиная с 600`C. Обсуждаются возможные причины, приводящие к нарушению барьерных свойств слоев нитридов и боридов титана

Доп.точки доступа:
Иванов, В.Н.; Конакова, Р.В.; Миленин, В.В.; Войциховский, Д.И.

Найти похожие

10.

621.38
Б 269

Барыбин, А. А.
Анализ параметрического взаимодействия волн пространственного заряда в тонкопленочных полупроводниковых структурах асимметричного типа на основе арсенида галлия n-типа [Текст] / А. А. Барыбин, А. И. Михайлов // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N6. - Библиогр.: 22 назв. . - ISSN 0044-4642

УДК

621.38

ББК 32.85
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника
Кл.слова (ненормированные):
арсенид галлия -- волны пространственного заряда -- параметрическое взаимодействие волн -- тонкие пленки -- тонкопленочные полупроводниковые структуры
Аннотация: На основе общей теории, ранее разработанной авторами, проведен анализ параметрического взаимодействия волн пространственного заряда в тонкопленочных полупроводниковых структурах с отрицательной дифференциальной проводимостью в приближении жесткой границы дрейфового потока носителей заряда при условии, что частота низкочастотной накачки равна граничной частоте f[c] усиливаемых волн (в рассматриваемом случае f[c] около 30 GHz). Для структур асимметричного типа общая многомодовая система связанных уравнений сведена к двум дифференциальным уравнениям относительно амплитуд возбуждения основной моды волн пространственного заряда на частоте сигнала omegas и холостой частоте omega[i]=omega[s]-omega[p]. Полученные уравнения численно решены на основе арсенида галлия n-типа. Приводятся результаты анализа полученного решения

Доп.точки доступа:
Михайлов, А.И.

Найти похожие

1-10 11-20 21-30 31-40 41-50 51-60

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)