Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

в найденном

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=квантовые точки<.>)

Общее количество найденных документов : 288
Показаны документы с 1 по 20

1-20 21-40 41-60 61-80 81-100 101-120

621.315.592
К 790

Кревчик, В. Д.
Примесное поглощение света в структурах с квантовыми точками во внешнем магнитном поле [Текст] / В. Д. Кревчик, А. Б. Грунин, М. Б. Семенов // Известия вузов. Физика. - 2002. - Т.45,N5. - Библиогр.: с.73 (13 назв.) . - ISSN 0021-3411

УДК

621.315.592

Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
квантовые точки -- магнитное поле -- поглощение света -- примеси
Аннотация: В рамках модели потенциала нулевого радиуса в приближении эффективной массы рассмотрено поглощение света комплексом квантовая точка - примесный центр во внешнем квантующем магнитном поле. Получено выражение для коэффициента примесного поглощения света продольной поляризации в условиях, когда влиянием магнитного поля на основное состояние примеси в квантовой точке можно пренебречь. Показано, что с ростом величины магнитного поля край полосы примесного поглощения света сдвигается в коротковолновую область спектра. При этом величина коэффициента поглощения возрастает в несколько раз, что трактуется как эффект "магнитного вмораживания" основного состояния квантовой точки

Перейти: http://www.tsu.ru/ru/derision/physics

Доп.точки доступа:
Грунин, А.Б.; Семенов, М.Б.

Найти похожие

22.37
Л 847

Лундина, Е. Ю.
Высокая деградационная стабильность длинноволновых ( 1.25 mu m) лазеров на квантовых точках, выращенных на подложках GaAs [Текст] / Е. Ю. Лундина, Ю. М. Шерняков [и др.] // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N1. - Библиогр.: с.142 (8 назв.) . - ISSN 0044-4642

ББК 22.37 + 32.86
Рубрики: Радиоэлектроника--Квантовая электроника--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
арсенид галлия -- деградационная стабильность -- квантовые точки -- лазеры
Аннотация: Проведены ускоренные деградационные исследования длинноволновых (>1.25 mum) лазеров на квантовых точках, выращенных на подложках GaAs, при фиксированном токе 1.7 A, начальной выходной оптической мощности около 0.3 W и температуре теплоотвода 60`C. За время испытаний в течение 450 h лазеры не обнаружили признаков деградации, при этом деградационный стенд не был герметически закрыт, продувка инертным газом не производилась и грани лазера не были пассивированы

Доп.точки доступа:
Шерняков, Ю.М.; Максимов, М.В.; Каяндер, И.Н.; Цацульников, А.Ф.; Леденцов, Н.Н.; Жуков, А.Е.; Малеев, Н.А.; Михрин, С.С.; Устинов, В.М.; Алферов, Ж.И.; Bimberg, D.

Найти похожие

22.33
Т 462

Тихов, С. В.
Влияние модификации поверхности полупроводника на свойства водородочувствительных диодов Шоттки на арсениде галлия [Текст] / С. В. Тихов, Е. Л. Шоболов, С. Б. Левичев, Н. В. Байдусь // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N5. - Библиогр.: 16 назв. . - ISSN 0044-4642

ББК 22.33 + 32.85
Рубрики: Радиоэлектроника--Физика твердого тела--Электроника
Кл.слова (ненормированные):
арсенид галлия -- водородочувствительность -- диоды Шоттки -- квантовые точки -- квантовые ямы -- модификация поверхности -- травление
Аннотация: Установлено, что модификация поверхности полупроводника в водородочувствительных диодах Шоттки на GaAs путем неполирующего травления или введения в область пространственного заряда полупроводника квантовых ям и квантовых точек может увеличивать чувствительность к водороду в 8-37 раз после травления и на два--три порядка после введения квантовых ям и квантовых точек. Показано, что это увеличение связано с уменьшением высоты барьера Pd / GaAs, с задерживанием диффузии водорода в объем GaAs напряженными квантованными слоями и с ростом рекомбинационной составляющей тока. Наличие рекомбинационной составляющей подтверждается электролюминесценцией от квантовых ям и квантовых точек и от GaAs. Для эффекта очувствления после травления определяющим является химический состав травителя

Доп.точки доступа:
Шоболов, Е.Л.; Левичев, С.Б.; Байдусь, Н.В.

Найти похожие

Тартаковский, А. И. (канд. физ. -мат. наук).
КТ: полупроводники с нульмерным характером [Текст] / А. И. Тартаковский ; Худож. Н. Кращин // Химия и жизнь - XXI век. - 2004. - N 8. - С. 8-12. - 1; Полупроводники с нульмерным характером. - Ил. . - ISSN 1727-5903

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
квантовые точки -- нанометры -- носители зарядов -- оптоэлектроника -- оптоэлектронные системы -- полупроводники
Аннотация: Полупроводниковые квантовые точки знамениты тем, что ограничивают движение носителей заряда во всех трех направлениях на масштабе в несколько нанометров, когда решающую роль в поведении вещества играют квантовые эффекты. Это дает возможность контроля над свойствами носителей зарядов.

Доп.точки доступа:
Кращин, Н. \.\

Найти похожие

Алексеев, С.
Порядок серебряных точек [Текст] / С. Алексеев // Химия и жизнь - XXI век. - 2004. - N 8. - С. 13. - Ил. . - ISSN 1727-5903

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
выращивание серебра -- квантовые точки -- кремний -- кристаллография -- кристаллы -- кристаллы кремния -- монокристаллы -- монокристаллы кремния -- наноточки -- серебро -- серебряные квантовые точки -- химические технологии
Аннотация: Полупроводниковые квантовые точки знамениты тем, что ограничивают движение носителей заряда во всех трех направлениях на масштабе в несколько нанометров, когда решающую роль в поведении вещества играют квантовые эффекты. Это дает возможность контроля над свойствами носителей зарядов. Статья предлагает как расставить в нужном порядке серебряные квантовые точки на кристалле кремния.

Найти похожие

Ашкинази, Л.
Структуры hand-made [Текст] / Л. Ашкинази ; худож. С. Дергачов // Химия и жизнь - XXI век. - 2004. - N 8. - С. 14-16. - Ил. . - ISSN 1727-5903

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
квантовые нити -- квантовые точки -- кремний -- кристаллография -- кристаллы -- магнитизм -- магнитные поля -- моноатомные нити -- монокристаллы -- наноточки -- ротаксаны -- твердые тела -- химические технологии
Аннотация: Рассматривается физика твердого тела: расположение атомов в структурах твердых тел, способы создания, наращивания, разрушения и создания новых материалов при помощи квантовых точек.

Доп.точки доступа:
Дергачов, С. \.\

Найти похожие

539.2
Б 439

Белый свет из квантового колодца [Текст] // Химия и жизнь - XXI век. - 2004. - N 9 . - ISSN 1727-5903

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
квантовые свечения -- квантовые точки -- кристаллография -- нанотехнологии -- наноточки -- светодиоды -- свечения квантовые
Аннотация: Физики заставили квантовые точки светиться, всего лишь насыпав их на крышку работающего квантового колодца.

Найти похожие

539.2
Н 254

Нанореактор для квантовой точки [Текст] // Химия и жизнь - XXI век. - 2004. - N 10 . - ISSN 1727-5903

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
квантовые точки -- нанотехнологии -- наноточки -- точки квантовые
Аннотация: Химики нашли способ синтеза квантовых точек желаемого размера.

Найти похожие

Интерфейсные фононы в полупроводниковых нанострутрурах с квантовыми точками [Текст] / М. Ю. Ладанов [и др. ] // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2005. - Т. 128, N 3. - С. 645-654. - Библиогр.: с. 653-654 . - ISSN 0044-4510

УДК

^a530.1

ББК 22.31
Рубрики: Физика
Теоретическая физика
Кл.слова (ненормированные):
интерфейсные фононы -- полупроводниковые наноструктуры -- квантовые точки -- наноструктуры -- колебательный спектр структур -- фононы
Аннотация: Экспериментально и теоретически исследован колебательный спектр структур с квантовыми точками InAs в матрице AlGaAs и с квантовыми точками AlAs в матрице InAs. В спектрах комбинационного рассеяния света обнаружены особенности, соответствующие поперечным, продольным оптическим и интерфейсным фононам.

Доп.точки доступа:
Ладанов, М. Ю.; Милехин, А. Г.; Торопов, А. И.; Гутаковский, А. К.; Бокаров, А. К.; Тэннэ, Д. А.; Шульце, Ш.; Цан, Д. Р. Т.

Найти похожие

10.

Башаров, А. М.
Нерезонансный двухфотонный перенос электрона между квантовыми точками [Текст] / А. М. Башаров, С. А. Дубовис // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2005. - Т. 128, N 3. - С. 476-488. - Библиогр.: с. 488 . - ISSN 0044-4510

УДК

^a539.19

ББК 22.36
Рубрики: Физика
Молекулярная физика
Кл.слова (ненормированные):
электроны -- нерезонансный двухфотонный перенос электрона -- квантовые точки -- перенос электрона -- нерезонансный электромагнитный импульс -- электромагнитный импульс -- импульсы
Аннотация: Задача о переносе электрона между связанными состояниями удаленных квантовых точек под действием нерезонансного электромагнитного импульса.

Доп.точки доступа:
Дубовис, С. А.

Найти похожие

11.

621.375
А 90

Асеев, А. Л.
Нанотехнологии в полупроводниковой электронике [Текст] / А. Л. Асеев // Вестник Российской академии наук. - 2006. - Т. 76, N 7. - С. 603-611. - Библиогр.: с. 611 (3 назв. ) . - ISSN 0869-5873

УДК

621.375

ББК 32.86
Рубрики: Радиоэлектроника--Квантовая электроника
Кл.слова (ненормированные):
нанотехнологии -- полупроводниковая электроника -- электроника полупроводниковая -- наноструктуры -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- эпитаксия молекулярно-лучевая -- лазеры полупроводниковые -- полупроводниковые лазеры -- полупроводниковые излучатели -- излучатели полупроводниковые -- гетероструктуры -- квантовые ямы -- ямы квантовые -- квантовые точки -- точки квантовые -- резонаторы -- лазерные структуры -- структуры лазерные -- эпитаксиальные структуры -- структуры эпитаксиальные -- электронный газ -- газ электронный -- полупроводниковые нанотрубки -- нанотрубки полупроводниковые -- транзисторы
Аннотация: В современной полупроводниковой электронике все шире используются нанотехнологии, которые обладают атомной точностью при получении полупроводниковых наноструктур с необходимым химическим составом и конфигурацией, оснащены методами комплексной диагностики наноструктур, в том числе и в процессе изготовления, что позволяет управлять технологическими процессами. В статье рассмотрены возможности нанотехнологий в решении основных задач полупроводниковой электроники.

Найти похожие

12.

621.3
Ж 860

Жуков, А. Е.
Инжекционные лазеры с широким спектром генерации на основе самоорганизующихся квантовых точек [Текст] / А. Е. Жуков, А. Р. Ковш [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 5. - С. 625-630 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.3

ББК 31.2
Рубрики: Энергетика--Электротехника
Кл.слова (ненормированные):
лазеры -- инжекционные лазеры -- квантовые точки -- самоорганизующиеся квантовые точки
Аннотация: В инжекционных лазерах на основе самоорганизующихся квантовых точек диапазона длин волн около 1. 3 мкм, излучающих в непрерывном режиме, показана возможность одновременного достижения ширины спектра лазерной генерации более 15 нм и средней спектральной плотности мощности более 10 мВт/нм.

Доп.точки доступа:
Ковш, А. Р.; Никитина, Е. В.; Устинов, В. М.; Алферов, Ж. И.

Найти похожие

13.

621.3
П 488

Покутний, С. И.
Экситонные состояния в полупроводниковых квантовых точках в рамках модифицированного метода эффективной массы [Текст] / С. И. Покутний // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, вып. 11. - С. 1341-1346 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.3

ББК 31.2
Рубрики: Энергетика
Электротехника
Кл.слова (ненормированные):
экситонные состояния -- полупроводники -- квантовые точки -- модифицированный метод -- эффективная масса
Аннотация: Предложен новый модифицированный метод эффективной массы, с помощью которого описывается энергетический спектр экситона в полупроводниковых квантовых точках с радиусами a, сравнимыми с боровским радиусом экситона a\{0\}[ex]. Показано, что в рамках модели квантовых точек, в которой квантовая точка моделировалась бесконечно глубокой потенциальной ямой, приближение эффективной массы можно применять к описанию экситона в квантовых точках с радиусами a приближенно равно a\{0\}[ex], считая, что приведенная эффективная масса экситона мю=мю (aльфа) является функцией радиуса aльфа КТ.

Найти похожие

14.

621.3
К 642

Кондратенко, С. В.
Продольная фотопроводимость гетероструктур Ge/Si с квантовыми точками Ge [Текст] / С. В. Кондратенко, А. С. Николенко [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 8. - С. 955-958 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.3

ББК 31.2
Рубрики: Энергетика--Электротехника
Кл.слова (ненормированные):
гетероструктуры -- Ge/Si -- квантовые точки -- фотопроводимость -- продольная фотопроводимость
Аннотация: Исследовались спектральные зависимости продольной фотопроводимости гетероструктур Ge/Si с квантовыми точками Ge. Был обнаружен фотоотклик структур Ge/Si с нанокластерами Ge в диапазоне 1. 0-1. 1 эВ при T=290 K, тогда как фототок от подложки монокристаллического Si без слоев Ge оказался значительно ослабленным. Такой результат может объясняться возникновением упругой деформации в структуре, влияющей на спектр оптического поглощения Si. Исследованные гетероструктуры обнаружили фоточувствительность при температуре ниже 120 K в спектральном диапазоне от 0. 4 до 1. 1 эВ, где монокристаллический Si является прозрачным. Фототок в этом диапазоне, возможно, обусловливается дырочными переходами из основных состояний, локализованных в квантовых точках, в делокализованные состояния валентной зоны.

Доп.точки доступа:
Николенко, А. С.; Вакуленко, О. В.; Головинский, С. Л.; Козырев, Ю. Н.; Рубежанская, М. Ю.; Водяницкий, А. И.

Найти похожие

15.

621.3
В 680

Володин, Е. А.
Определение из данных спектроскопии комбинационного рассеяния света состава и деформаций в наноструктурах на основе Ge[x]Si[1-x] с учетом вклада гетерограницы [Текст] / Е. А. Володин, Н. Д. Ефремов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 8. - С. 950-954 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.3

ББК 31.2
Рубрики: Энергетика--Электротехника
Кл.слова (ненормированные):
наноструктуры -- Ge[x]Si[1-x] -- спектроскопия комбинационного рассеяния света -- квантовые точки -- механические деформации
Аннотация: Существенно уточнена методика определения состава и механических деформаций в квантовых точках Ge[x]Si[1-x] с применением метода спектроскопии комбинационного рассеяния света. Параметр состава x определяется из анализа интенсивности пиков комбинационного рассеяния света на колебаниях связей Ge-Ge и Ge-Si, с учетом наличия связей Ge-Si на гетерогранице. Механические напряжения в квантовых точках определяются из анализа положения пиков комбинационного рассеяния света, с учетом полученных данных о составе квантовых точек.

Доп.точки доступа:
Ефремов, Н. Д.; Якимов, А. И.; Михалев, Г. Ю.; Никифоров, А. И.; Двуреченский, А. В.

Найти похожие

16.

621.3
З-177

Зайцев, С. В.
Получение квантовых точек методом селективной интердиффузии в CdTe/CdMgTe-квантовых ямах [Текст] / С. В. Зайцев, М. К. Вельш, А. Форхел, Г. Бахер // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, вып. 11. - С. 1357-1362 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.3

ББК 31.2
Рубрики: Энергетика
Электротехника
Кл.слова (ненормированные):
селективная интердиффузия -- квантовые точки -- квантовые ямы -- гетероструктуры
Аннотация: Индивидуальные квантовые точки реализованы методом селективной интердиффузии между барьерами и слоем квантовой ямы CdTe/CdMgTe. Гетероструктура с предварительно нанесенной на поверхность маской SiO[2], содержащей открытые апертуры диаметром вплоть до 140 нм, была подвергнута кратковременному отжигу в течение одной минуты при температуре 410\{o\}C. Отжиг вызывает диффузию атомов Mg в глубь квантовой ямы, существенно усиленную под маской. Возникший латеральный потенциал с минимумами в области апертур маски эффективно локализует носители, образующие квазинульмерные экситоны. Изучение излучательной рекомбинации свидетельствует о полной пространственной локализации экситонов, что проявляется в существенном сужении ширины линии экситонного перехода, а также наблюдении биэкситона и возбужденных состояний при высоких уровнях фотовозбуждения. Характерные значения энергий межуровневого расщепления и энергии связи биэкситона указывают на режим слабой локализации носителей в квантовых точках.

Доп.точки доступа:
Вельш, М. К.; Форхел, А.; Бахер, Г.

Найти похожие

17.

621.3
С 284

Седова, И. В.
Структуры с квантовыми точками CdSe в матрице ZnSe, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии с использованием субмонослоя-стрессора CdTe [Текст] / И. В. Седова, О. Г. Люблинская [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, вып. 11. - С. 1363-1369 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.3

ББК 31.2
Рубрики: Энергетика
Электротехника
Кл.слова (ненормированные):
квантовые точки -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- субмонослои-стрессоры -- наноструктуры -- фотолюминесценция
Аннотация: Представлен способ формирования квантовых точек CdSe в матрице ZnSe, основанный на введении субмонослоя соединения-стрессора CdTe (рассогласование параметров решетки Дельта a/a ? 14% для CdTe/ZnSe), осаждаемого на поверхность матрицы непосредственно перед осаждением материала квантовых точек. Стрессор формирует на поверхности ZnSe мелкие напряженные островки, задавая локальные поля сильных упругих напряжений, управляющих процессом самоформирования квантовых точек. Согласно данным просвечивающей электронной микроскопии, этот способ позволяет значительно увеличить поверхностную плотность квантовых точек при некотором уменьшении их латерального размера (до 4. 5. 1. 5 нм).

Доп.точки доступа:
Люблинская, О. Г.; Сорокин, С. В.; Ситникова, А. А.; Торопов, А. А.; Donatini, F.; Le Si Dang; Иванов, С. В.

Найти похожие

18.

621.3
С 349

Сизов, Д. С.
Неравновесная заселенность носителей в структурах с глубокими квантовыми точками InGaN [Текст] / Д. С. Сизов, Е. Е. Заварин [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 5. - С. 595-608 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.3

ББК 31.2
Рубрики: Энергетика--Электротехника
Кл.слова (ненормированные):
InGaN -- квантовые точки -- электронно-оптические свойства -- энергия активации -- статистическая модель поведения носителей -- легирование -- люминесценция
Аннотация: На примере квантовых точек InGaN теоретически и экспериментально исследовались электронно-оптические свойства ансамблей квантовых точек с различной энергией активации с уровня основного состояния в область непрерывного спектра. Показано, что в зависимости от величины этой энергии возможна как квазиравновесная статистика носителей на уровнях квантовых точек, так и неравновесная статистика при комнатной температуре. В последнем случае положение максимума излучения определяется величиной демаркационного перехода: квантовые точки с энергией перехода выше этой величины обладают квазиравновесной заселенностью носителей, а квантовые точки с энергией ниже этой величины - неравновесной. В теоретическом рассмотрении использовалась модель, основанная на скоростных уравнениях. Ключевыми параметрами, определяющими статистику, являются параметры термического выброса носителей, экспоненциально зависящие от энергии активации. В работе экспериментально показано, что использование стимулированного фазового распада позволяет существенно повысить энергию активации. При этом время термической активации оказывается больше времени рекомбинации электронно-дырочной пары, что подавляет перераспределение носителей между квантовыми точками и приводит к неравновесной заселенности. Подробно исследовано влияние неравновесной заселенности на люминесцентные свойства структур с квантовыми точками.

Доп.точки доступа:
Заварин, Е. Е.; Леденцов, Н. Н.; Лундин, В. В.; Мусихин, Ю. Г.; Сизов, В. С.; Сурис, Р. А.; Цацульников, А. Ф.

Найти похожие

19.

621.3
Г 970

Гуткин, А. А.
Емкостные исследования многослойных ансамблей InAs-квантовых точек в GaAs-матрице [Текст] / А. А. Гуткин, П. Н. Брунков, С. Г. Конников // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, вып. 11. - С. 1353-1356 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.3

ББК 31.2
Рубрики: Энергетика
Электротехника
Кл.слова (ненормированные):
квантовые точки -- полупроводниковая матрица -- многослойные ансамбли квантовых точек
Аннотация: Проведен анализ квазистатических емкостных характеристик многослойных массивов вертикально связанных InAs-квантовых точек в матрице n-GaAs в предположении о гауссовом распределении энергии основного состояния квантовых точек. Массив InAs квантовых точек с характерным размером основания около 20 нм и высотой ~3 нм был упорядочен в направлении роста и состоял из 3, 6 или 10 слоев, находящихся друг от друга на расстоянии ~5 нм. Установлено, что с увеличением числа слоев от 3 до 10 средняя энергия связи основного состояния электронов увеличивается от ~ 80 до ~120 мэВ, а среднее квадратичное отклонение, характеризующее распределение уровней этого состояния по энергиям, уменьшается от ~ 30 до ~15 мэВ.

Доп.точки доступа:
Брунков, П. Н.; Конников, С. Г.

Найти похожие

20.

621.315.592
Н 643

Николюк, В. А.
Энергетическая структура квантовых точек, индуцированных неоднородным электрическим полем в квантовых ямах [Текст] / В. А. Николюк, авт. И. В. Игнатьев // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, вып. 12. - С. 1443-1450 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
квантовые точки -- неоднородное электрическое поле -- квантовые ямы -- мозаичный электрод
Аннотация: Теоретически рассмотрены квантовые точки для электронов, создаваемые неоднородным электрическим полем в гетероструктуре с одиночной квантовой ямой. Неоднородное электрическое поле может быть создано мозаичным электродом с регулярной системой отверстий нанометрового размера. В работе рассмотрена структура с нанесенным на поверхность электродом с одним отверстием. Проведен численный расчет потенциала во всей области между пластинами электрода. Получена аналитическая зависимость для глубины потенциальной ямы и определен профиль потенциала вблизи дна ямы. Рассчитана энергетическая структура уровней вблизи дна потенциальной ямы. Определена геометрия мозаичного электрода, которая наиболее благоприятна для сохранения спина электрона в квантовых точках такого типа. Показано, что в квантовых точках такого типа следует ожидать время жизни спина, лежащее в микросекундном диапазоне при температуре жидкого гелия.

Доп.точки доступа:
Игнатьев, И. В.

Найти похожие

1-20 21-40 41-60 61-80 81-100 101-120

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)