Стамов, И. Г. Влияние электрического поля на фотоэффект в барьерах Шоттки на электронном дифосфиде кадмия [Текст] / И. Г. Стамов> // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып: вып. 9. - С. 1079-1085 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): фотоэффект -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- электронный дифосфид кадмия -- выпрямляющие структуры -- алмазоподобные полупроводники Аннотация: Представлены результаты исследования фотоэлектрических свойств барьеров Шоттки на CdP[2] n-типа проводимости. Изучено влияние электрического поля барьера на фототоки, связанные с фотоэлектронной эмиссией из металла и оптической генерацией неравновесных носителей заряда в полупроводнике. Установлено, что зависимость фототока от частоты модуляции интенсивности светового потока определяется временами перезарядки уровней на границах области пространственного заряда (ОПЗ) с областью квазинейтральности и полупроводника с металлом. Получено хорошее согласие между теоретическими и экспериментальными результатами. Доп.точки доступа: Ткаченко, Д. В. |