Эпитаксиальный рост кремния на кремнии, имплантированном ионами железа, и оптические свойства полученных структур [Текст] / Н. Г. Галкин [и др. ] // Журнал технической физики. - 2008. - Т. 78, N 2. - С. 84-90. - Библиогр.: c. 90 (18 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): эпитаксия -- кремний -- ионная имплантация -- очистка кремния -- импульсная ионная обработка -- реконструированные поверхности -- дисилицид железа -- атомарно-гладкие поверхности -- эпитаксиальные пленки -- гладкие пленки Аннотация: Успешно апробирована методика сверхвысоковакуумной низкотемпературной (T=850{o}C) очистки в потоке атомов кремния монокристаллических образцов кремния с ориентацией (100) и (111), имплантированных низкоэнергетичными (E=40 keV) ионами железа с различными дозами (Phi=1*10{15}-1. 8*10{17} cm{-2}) и подвергнутых импульсной ионной обработке (ИИО). Для образца Si (100), имплантированного максимальной дозой ионов железа, подтверждено формирование фазы полупроводникового дисилицида железа (beta-FeSi[2]) вблизи поверхности после ИИО. Продемонстрирована возможность получения атомарно-гладких и реконструированных поверхностей кремния. Выращены гладкие эпитаксиальные пленки кремния с шероховатостью порядка 1 nm и толщиной до 1. 7 mum на образцах с дозой имплантации до 10{16} cm{-2}. Изучены оптические свойства образцов до и после роста слоев кремния, свидетельствующие о высоком качестве выращенных слоев и отсутствии дисилицида железа на их поверхности. Доп.точки доступа: Галкин, Н. Г.; Горошко, Д. Л.; Чусовитин, Е. А.; Полярный, В. О.; Баязитов, Р. М.; Баталов, Р. И. |