Перов, А. С.     Взаимодействие поверхностных примесных объектов с электронно-дырочной системой полупроводникового кристалла [Текст] / А. С. Перов, А. А. Перов, В. И. Перова // Известия вузов. Физика. - 2001. - Т.44,N11. - Библиогр.: с.38 (2 назв.) . - ISSN 0021-3411 Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): вырожденные полупроводники -- примеси -- электронно-дырочная система Аннотация: Теоретически предсказаны эффекты распада и образования примесных объектов на поверхности сильнолегированного полупроводника при изменении поверхностной концентрации атомов примеси n, из которых образуются примесные объекты. Эффект определяется электростатическим взаимодействием заряженных поверхностных примесных объектов с носителями тока и ионами полупроводника. Он наблюдается в определенном диапазоне значений n при условии, что поверхностные примесные объекты проявляют донорные (акцепторные) свойства, а полупроводник легирован акцепторной (донорной) примесью Доп.точки доступа: Перов, А.А.; Перова, В.И.