Гусак, Н. А. О зависимости концентрации свободных носителей в фоторефрактивных кристаллах от интенсивности света [Текст] / Н. А. Гусак, Н. С. Петров // Журнал технической физики. - 2001. - Т.71,N5. - Библиогр.: с. 133 (5 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): фоторефрактивные кристаллы -- свободные носители заряда -- ловушки -- доноры -- фоторефрактивные центры Аннотация: Проанализирована зависимость концентрации свободных носителей заряда от интенсивности света для двух возможных типов кристаллов, в одном из которых фоторефрактивные центры являются ловушками, а во втором - донорами. Выявлены условия, при которых эта зависимость становится сублинейной при сравнительно невысоких уровнях интенсивности света Доп.точки доступа: Петров, Н.С. |
539.2 Г 96 Гусак, Н. А. Кинетика решеток заряда в фоторефрактивных кристаллах [Текст] / Н. А. Гусак // Журнал технической физики. - 2006. - Т. 76, N 2. - С. 96-101. - Библиогр.: c. 101 (6 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): заряд решеток; Кухтарева эффект; максвелловская релаксация; фоторефрактивные кристаллы; эффект Кухтарева Аннотация: Получены уравнения для концентраций заряда решетки и свободных носителей, порождаемых стоячей световой волной в анизотропном фоторефрактивном кристалле, и найдены их решения. Установлена зависимость величины заряда и электрического поля от ориентации решетки относительно кристаллографических осей среды. Показано, что кинетика решеток заряда определяется разностью двух экспонент с характерными временами, сумму которых можно трактовать как постоянную затухания решетки. Обнаружено существование трех областей значений времени максвелловской релаксации, отличающихся между собой характером поведения этой постоянной. Проанализирована кинетика решеток для некоторых кристаллов. Перейти: http://www.ioffe.rssi.ru/journals/jtf/2006/02/p96-101.pdf |
Гусак, Н. А. Кинетика решеток заряда в фоторефрактивных кристаллах при наличии внешнего электрического поля [Текст] / Н. А. Гусак // Журнал технической физики. - 2009. - Т. 79, N 3. - С. 63-70. - Библиогр.: c. 70 (9 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): фоторефрактивные кристаллы -- решетки заряда -- кинетика решеток заряда -- стоячие световые волны -- дифференциальные уравнения -- волны пространственного заряда Аннотация: Дано корректное описание кинетики решеток заряда, возбуждаемых с помощью стоячей световой волны в фоторефрактивном кристалле при наличии внешнего электрического поля. Показано, что она подчиняется обыкновенному дифференциальному уравнению четвертого порядка, имеющему две пары комплексно сопряженных решений. Построено общее решение полученного уравнения, удовлетворяющее заданному начальному условию. Выяснен механизм осуществления колебаний заряда и удлинения времени перехода решеток в стационарное состояние, вызванный внешним полем. Установлена связь этих колебаний с волнами пространственного заряда. |
530.1 Г 960 Гусак, Н. А. Несоответствие времени формирования и релаксации решеток пространственного заряда в фоторефрактивных кристаллах [Текст] / Н. А. Гусак // Журнал технической физики. - 2011. - Т. 81, N 8. - С. 27-32. - Библиогр.: c. 31-32 (13 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): фоторефрактивные кристаллы -- решетки пространственного заряда -- световое возбуждение среды -- формирование решеток пространственного заряда -- релаксация решеток пространственного заряда Аннотация: Установлено несоответствие времени формирования и релаксации решеток пространственного заряда в фоторефрактивных кристаллах, возникающее при одновременном появлении, а также исчезновении однородной и неоднородной частей светового возбуждения среды. Показано, что время формирования таких решеток всегда меньше времени релаксации, причем эта особенность их поведения проявляется сильнее с ростом интенсивности света. Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2011/08/p27-32.pdf |
539.21:537 Г 960 Гусак, Н. А. Управляемое внешним переменным электрическим полем поведение решеток пространственного заряда в фоторефрактивных кристаллах / Н. А. Гусак // Журнал технической физики. - 2014. - Т. 84, № 4. - С. 73-79. - Библиогр.: c. 79 (8 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): фоторефрактивные кристаллы -- решетки пространственного заряда -- электрические поля -- стоячие световые волны Аннотация: Исследованы особенности поведения решеток пространственного заряда, возбуждаемых в фоторефрактивных кристаллах при наличии внешнего электрического поля, изменяющегося во времени по степенному закону. Установлена существенная зависимость картины порождаемого процесса от величины параметра, определяющего приращение внешнего поля за время, равное времени возникновения решеток заряда в отсутствие поля. Выяснено, что при малых значениях этого параметра можно осуществлять наращивание заряда, подчиняющееся закону изменения поля, вызывать режим колебания заряда с возрастанием амплитуды и поддерживать разную степень присутствия в кристалле каждой из возбуждаемых решеток. Показано, что при больших значениях параметра заряд решеток растет прямо пропорционально времени внешнего воздействия. Это позволяет осуществлять управление его полем с помощью внешнего переменного электрического поля. Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2014/04/p73-79.pdf Доп.точки доступа: Институт повышения квалификации и переподготовки кадров по новым направлениям развития техники, технологии и экономики Белорусского национального технического университета |