53 Б 953 Быков, А. А. Микроволновое фотосопротивление в двумерной электронной системе с анизотропной подвижностью [Текст] / А. А. Быков, Д. Р. Исламов, А. В. Горан, А. К. Бакаров // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 86, вып. 12. - С. 891-895 . - ISSN 0021-3640
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): микроволновое фотосопротивление -- двумерная электронная система -- квантовые ямы -- анизотропная электронная подвижность -- метод ван дер Пау -- ван дер Пау метод Аннотация: Методом ван дер Пау исследовано влияние микроволнового излучения миллиметрового диапазона на магнетотранспорт в одиночных GaAs квантовых ямах с анизотропной электронной подвижностью. Доп.точки доступа: Исламов, Д. Р.; Горан, А. В.; Бакаров, А. К. |
Микроволновое фотосопротивление в двойной квантовой яме при больших факторах заполнения [Текст] / А. А. Быков [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2008. - Т. 87, вып: вып. 9. - С. 563-567 . - ISSN 0370-274Х
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): микроволновое излучение -- фотосопротивление -- квантовые ямы -- осцилляции -- двумерная электронная система Аннотация: Исследовано влияние микроволнового излучения миллиметрового диапазона на электронный транспорт в двойной GaAs квантовой яме при температуре 4. 2 К в магнитных полях до 2 Тл. Показано, что в изучаемой двумерной электронной системе в области больших факторов заполнения возникают осцилляции сопротивления (проводимости). Доп.точки доступа: Быков, А. А.; Исламов, Д. Р.; Горан, А. В.; Торопов, А. И. |
Быков, А. А. Микроволновое фотосопротивление двумерного электронного газа в баллистическом микромостике [Текст] / А. А. Быков // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 89, вып: вып. 11. - С. 676-680
Рубрики: Физика Квантовая механика Кл.слова (ненормированные): микроволновое излучение -- микроволновое фотосопротивление -- двумерный электронный газ -- баллистические микромостики -- одиночные квантовые ямы -- холловские мостики -- мостики холловские -- макроскопические мостики Аннотация: Исследовано влияние микроволнового излучения миллиметрового диапазона на электронный транспорт в двумерных (2D) баллистических микромостиках на основе одиночных GaAs квантовых ям при температуре T=4. 2 К в магнитных полях B меньше 0. 6 Тл. Обнаружено различие в магнетополевых зависимостях микроволнового фотосопротивления 2D электронного газа в холловских мостиках длиной L и шириной W в условиях, когда L, W больше l[p] и L, W[p], где l[p] - длина свободного пробега электрона по импульсу. В макроскопических мостиках (L, W больше l[p]) микроволновое фотосопротивление является знакопеременной периодической функцией обратного магнитного поля, а в микромостиках (L, W меньше l[p]) - положительной периодической функцией 1/B. Полученные экспериментальные результаты указывают на различие механизмов возникновения микроволнового фотосопротивления 2D электронного газа в макроскопических и микроскопических мостиках. |
Исследование фотосопротивления гранулярных пленок CdSxSe1-x, полученных методом трафаретной печати [Текст] / А. В. Агапонова [и др. ] // Радиотехника и электроника. - 2009. - Т. 54, N 5. - С. 617-620. - Библиогр.: с. 620 (5 назв. ) . - ISSN 0033-8494
Рубрики: Радиоэлектроника Радиоэлектроника в целом Кл.слова (ненормированные): фотосопротивление -- гранулярные пленки -- фототоки -- трафаретные печати Аннотация: Методом трафаретной печати получены образцы пленок CdSxSe1-x. Показано, что образцы представляют собой гранулярный композит с большим содержанием кислорода (до 20%). Доказано, что за процессы поглощения света, изменяющие сопротивление материала, отвечают переходы внутри запрещенной зоны твердого раствора CdSxSe1-x. Исследована зависимость сопротивления образцов CdSxSe1-x от освещенности. Обнаружено, что у данного типа материалов отношение фототока к темновому превышает 5 порядков. Установлена зависимость проводимости от структуры образца. Доп.точки доступа: Агапонова, А. В.; Рыжиков, И. А.; Мешков, А. С.; Евгеньев, С. Б.; Стратейчук, Д. М.; Острецов, Е. Ф.; Сурвило, Л. Н.; Трофимов, Ю. В.; Штанов, В. И. |
Быков, А. А. Резонансное микроволновое фотосопротивление в двухподзонной электронной системе при больших факторах заполнения [Текст] / А. А. Быков, Е. Г. Мозулев, А. К. Калагин // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 92, вып: вып. 6. - С. 420-423
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): квантовые ямы -- магнитные поля -- резонансное микроволновое фотосопротивление -- двухподзонные электронные системы Аннотация: Исследовано микроволновое фотосопротивление в двойной GaAs квантовой яме с двумя заполненными подзонами размерного квантования E[1] и E[2] при температурах T = 1. 6-4. 2 K в магнитных полях B меньше 0. 5 Тл. Доп.точки доступа: Мозулев, Е. Г.; Калагин, А. К. |