621.3 Н 844 Носков, М. Д. (???? 1). Исследование роста разрядного канала при тепловом пробое диэлектрика [Текст] / М. Д. Носков, В. В. Лопатин, А. А. Чеглокова, А. В. Шаповалов // Известия вузов. Физика. - 2003. - N1. - Библиогр.: 7 назв. . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): диэлектрики -- математическая модель -- термостойкий диэлектрик Аннотация: Рассматривается математическая модель роста разрядного канала в результате развития электротепловой неустойчивости в твердом диэлектрике под действием постоянного напряжения. Модель описывает динамику температуры, напряженности электрического поля и плотности заряда, а также плвление диэлектрика. Приведены результаты численного исследования роста разрядного канала при пробое керамики ВеО в геометрии электродов острие - плоскость Перейти: http://www.tsu.ru/ru/derision/physics.phtml/ Доп.точки доступа: Лопатин, В.В.; Чеглокова, А.А.; Шаповалов, А.В. |