AlGaN/GaN-СВЧ HEMT-транзисторы с пробивным напряжением выше 100 В и с предельной частотой усиления по мощности f[max] до 100 ГГц [Текст] / В. Г. Мокеров [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 4. - С. 561-567
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): СВЧ транзисторы -- монолитные интегральные схемы -- транзисторы сантиметрового диапазона -- подложки сапфира -- НЕМТ-транзисторы Аннотация: Исследованы AlGaN/GaN HEMT- (High Electron Mobility Transistor) - транзисторы с секционированными затворами, с различными длинами затворов L[g] от 170 нм до 0. 5 мкм и с их ширинами W[g]=nW\{n\}[g] (где W\{n\}[g] - ширина секций и n - их количество) от 100 до 1200 мкм. По измеренным S-параметрам определены предельные частоты усиления по току f[t], по мощности f[max] и коэффициенты усиления MSG/MAG на частотах 10, 20 и 30-40 ГГц. Исследована зависимость частоты f[t] от длины затвора. При L[g]=170 нм f[t] достигает 48 ГГц. Проанализированы зависимости частоты f[max] от размеров затворов и их топологии. С уменьшением L[g] и W\{n\}[g] f[max] растет и при L[g]=170 нм и W[g]=100 мкм достигает 100 ГГц. Найдены оптимальные значения ширин затворов W[g] и выходной мощности базовых транзисторов для различных частот. В разработанной 170 нм-AlGaN/GaN-HEMT-технологии сочетаются и высокие частотные характеристики (f[max]=100 ГГц) и большие пробивные напряжения (115 В), что делает ее привлекательной для функционирования на частотах до 40 ГГц. Доп.точки доступа: Мокеров, В. Г.; Кузнецов, А. Л.; Федоров, Ю. В.; Енюшкина, Е. Н.; Бугаев, А. С.; Павлов, А. Ю.; Гнатюк, Д. Л.; Зуев, А. В.; Галиев, Р. Р.; Овчаренко, Е. Н.; Свешников, Ю. Н.; Цацульников, А. Ф.; Устинов, В. М. |