539.194 Н 573 Нетребко, А. В. Квазиравновесное распределение Больцмана [Текст] / А. В. Нетребко, О. А. Чичигина // Известия вузов. Прикладная нелинейная динамика. - 2001. - Т.9,N3. - Библиогр.: с.94 (13 назв.) . - ISSN 0869-6632
Кл.слова (ненормированные): плотность вероятности -- неравновесные состояния -- времена жизни состояний -- квазиравновесные распределения -- распределение Больцмана Аннотация: Получено стационарное распределение плотности вероятности по координатам для неравновесных состояний системы, время жизни которой велико по сравнению с временем корреляций. Показано, что слабая неравновесность проявляется в уменьшении эффективной температуры. Результаты подтверждены компьютерным моделированием. Предложен способ определения пространственной зависимости потенциальной энергии по зависимости времени жизни состояния от температуры. Перейти: http://cas.ssu.runnet.ru Доп.точки доступа: Чичигина, Ольга Александровна (1971-) |
Дмитриев, С. Г. Выделение динамических вольт-амперных характеристик (ДВАХ) пленки окисла из двах ионных токов структуры металл-окисел-полупроводник. Универсальные квазистатические ДВАХ пленки [Текст] / С. Г. Дмитриев, Ю. В. Маркин, В. Е. Сизов // Радиотехника и электроника. - 2006. - Т. 51, N 2. - С. 133-150. - Библиогр.: с. 150 (35 назв. ). - 1; Универсальные квазистатические ДВАХ пленки . - ISSN 0033-8494
Рубрики: Радиоэлектроника Общие вопросы радиоэлектроники Кл.слова (ненормированные): квазиравновесные распределения -- уравнение Пуассона -- Пуассона уравнение -- квазистатические ионы -- конвективные токи Аннотация: Представлен обзор аналитических результатов по квазиравновесным распределениям подвижных ионов в пленках окисла структур металл- окисел-полупроводник, включая формулы для концентрации ионов в центре и на границе пленки и формулы для центроида ионов. Анализируются пороги возникновения U-образных распределений ионов с характерным их накоплением у границ пленки (сегрегация ионов). Рассмотрен также случай полупространства. Предложен метод построения динамической вольт-амперной харктеристики (ДВАХ) ионных токов пленки, исходя из экспериментальной ДВАХ всей структуры и квазиравновесной (низкочастотной) электронной вольт-фарадной характеристики структуры. Выделение ДВАХ пленки необходимо для устранения маскирующего влияния емкости полупроводника на ДВАХ структуры. В рамках модели однородной пленки предложен аналитический метод расчета квазистатической ДВАХ пленки. Показано, что в безразмерных переменных такие ДВАХ зависят только от безразмерной концентрации ионов (на единицу площади) в пленке и являются универсальными. Для описания степени заполнения ионных ловушек на границе пленки использовано распределение Гиббса ионов по энергиям. Показано, что наличие ловушек приводит к появлению дополнительного "ловушечного" пика на ДВАХ пленки лишь при малых концентрациях ловушек; при больших концентрациях ловушек на ДВАХ будет наблюдаться только один пик. Доп.точки доступа: Маркин, Ю. В.; Сизов, В. Е. |