535
С 389


    Синякин, Е. В.
    Некоторые опыты по оптике с использованием лазерной указки [Текст] / Е. В. Синякин // Физика в школе. - 2003. - N1 . - ISSN 0130-5522
УДК
ББК 22.34
Рубрики: Физика--Оптика
Кл.слова (ненормированные):
волновая оптика -- опыты по оптике -- лазерная указка -- гелий-неоновые лазеры -- геометрическая оптика -- звуковой осциллограф
Аннотация: Оптика с использованием лазерной указки





    Долгих, С. Г.
    Мобильный лазерный интерферометр [Текст] / С. Г. Долгих // Приборы и техника эксперимента. - 2010. - N 1. - С. 174-175. - Библиогр.: с. 175 (1 назв. ) . - ISSN 0032-8162
УДК
ББК 26.2
Рубрики: Геофизика
   Общие вопросы геофизики

Кл.слова (ненормированные):
лазерные интерферометры -- мобильные лазерные интерферометры -- гелий-неоновые лазеры -- микросмещения фонового уровня
Аннотация: Создано мобильное устройство с высокой точностью измерения низкочастотных и сверхнизкочастотных вариаций микросмещений фонового уровня, легко настраиваемого, более надежного в работе, способного работать автономно продолжительное время при малых затратах потребляемой энергии, компактного и дешевого.



539.2
Ф 796


   
    Формирование периодических дифракционных плазмонных наноструктур с имплантированными наночастицами меди методом локального ионного травления кварцевого стекла / Т. С. Кавецкий [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2013. - Т. 39, вып. 13. - С. 17-23 : ил. - Библиогр.: с. 23 (11 назв.) . - ISSN 0320-0116
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
наноструктуры -- плазмонные свойства -- имплантация наночастиц -- медь -- ионное травление -- кварцевые стекла -- ионная имплантация -- низкоэнергетические частицы -- оптическое поглощение -- микроструктуры -- лазерное излучение -- гелий-неоновые лазеры
Аннотация: Проведена низкоэнергетическая имплантация ионами Cu{+} с энергией 40 keV при дозе 7. 5·10{16} ion/cm{2} и плотности тока в ионном пучке 5 muA/cm{2} кварцевого стекла через поверхностную металлическую проволочную маску с квадратными отверстиями приблизительно 40 mum. Было установлено образование наночастиц меди в стекле по появлению характеристического плазмонного оптического поглощения и регистрацией частиц на атомно-силовом микроскопе. Формирование периодических поверхностных микроструктур при локальном травлении кварцевого стекла во время имплантации наблюдалось с помощью сканирующего электронного микроскопа. Эффективность функционирования дифракционного оптического плазмонного элемента на микроструктурах кварцевого стекла с металлическими наночастицами меди показана при его зондировании излучением гелий-неонового лазера.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2013/13/p17-23.pdf

Доп.точки доступа:
Кавецкий, Т. С.; Галяутдинов, М. Ф.; Валеев, В. Ф.; Нуждин, В. И.; Осин, Ю. Н.; Евлюхин, А. В.; Степанов, А. Л.


539.2
Г 901


    Грузинцев, А. Н.
    Изменение отражения света от поверхности монокристаллов 6H-SiC под действием ультрафиолетового излучения (фотонный транзистор) / А. Н. Грузинцев // Физика твердого тела. - 2012. - Т. 54, вып. 12. - С. 2334-2339. - Библиогр.: с. 2339 (10 назв. ) . - ISSN 0367-3294
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
отражение света -- монокристаллы -- ультрафиолетовое излучение -- спектры возбуждения зеркального фотоотражения -- гелий-неоновые лазеры -- излучение -- фотонные транзисторы
Аннотация: Изучены спектры возбуждения зеркального фотоотражения излучения гелий-неонового лазера от поверхности монокристаллов 6H-SiC под углом Брюстера при поляризации, параллельной плоскости падения излучения. Полученные результаты изменения интенсивности отраженного света указывают на уменьшение оптического показателя преломления карбида кремния под действием ультрафиолетовой подсветки. Обнаружена коррелиция спектров возбуждения фотоотражения со спектрами фотопроводимости материала в режиме малых интенсивностей отраженного света и ультрафиолетовой подсветки, а также линейный рост фотомодуляции отраженного красного света с максимумом 632. 8 nm при увеличении интенсивности ультрафиолетовой оптической накачки.