Старенченко, В. А. Образование протяженных соединений и барьеров в результате междислокационных реакций в ГЦК-кристалла [Текст] / В. А. Старенченко, М. В. Зголич, Р. И. Куринная // Известия вузов. Физика. - 2009. - Т. 52, N 3. - С. 25-30. - Библиогр.: с. 30 (9 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Механические и акустические свойства монокристаллов Кл.слова (ненормированные): внешнее напряжение -- геометрия дислокационного соединения -- дислокационная реакция -- дислокация леса (физика) -- равновесие тройного дислокационного узла -- реагирующие дислокации -- скользящая дислокация Аннотация: Рассмотрено поведение дислокационного соединения под действием приложенного напряжения. Дислокационные конфигурации получены в результате произвольного, несимметричного пересечения реагирующих дислокационных сегментов. Показано, что в зависимости от характера пересечения дислокационных сегментов возможно образование двух типов соединений, один из которых разрушается под воздействием возрастающего приложенного напряжения. В другом случае под действием приложенного напряжения возрастает длина дислокационного соединения, что приводит к образованию длинных протяженных барьеров. Доп.точки доступа: Зголич, М. В.; Куринная, Р. И. |
539.21:537 Н 224 Накопление заряда на поверхности GaAs нанопроводов вблизи контакта Шоттки / М. С. Дунаевский [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2013. - Т. 39, вып. 4. - С. 53-60 : ил. - Библиогр.: с. 60 (10 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): поверхности -- заряды -- электрические заряды -- нанопроводники -- контакт Шоттки -- кельвин-зонд-микроскопия -- GaAs-нанопровода -- электрические контакты -- внешнее напряжение -- окислы -- накопление зарядов -- Шоттки контакт -- GaAs -- арсенид галлия Аннотация: Методом градиентной кельвин-зонд-микроскопии исследовалось распределение внешнего потенциала вдоль GaAs-нанопроводов со сформированными на концах электрическими контактами. Обнаружено, что в случае формирования контакта Шоттки приложение внешнего запирающего напряжения вызывает накопление вблизи контакта зарядов в поверхностном слое естественного окисла. Накопление зарядов существенно изменяет распределение потенциала вдоль GaAs-нанопровода. Накопление заряда и его диссипация после снятия напряжения происходят с характерными временами в несколько минут. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2013/04/p53-60.pdf Доп.точки доступа: Дунаевский, М. С.; Алексеев, П. А.; Lepsa, M. I.; Gruetzmacher, D.; Титков, А. Н. |