Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

в найденном

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=оптические характеристики<.>)

Общее количество найденных документов : 31
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-31 31-31

Электрические и оптические характеристики наносекундного разряда с щелевым катодом, ограниченного диэлектрическими стенками [Текст] / Н. А. Ашурбеков [и др. ] // Письма в журнал технической физики. - 2008. - Т. 34, вып: вып. 1. - С. 17-25 . - ISSN 0320-0116

УДК

^a537

ББК 22.33
Рубрики: Физика
Электричество и магнетизм в целом
Кл.слова (ненормированные):
электрические характеристики -- оптические характеристики -- наносекундные разряды с щелевым катодом -- диэлектрические стенки
Аннотация: Экспериментально исследованы электрические и оптические характеристики ограниченного диэлектрическими стенками поперечного наносекундного разряда с щелевым катодом в гелии в диапазоне давлений газа 1-100 Torr. Показано, что величина плотности катодного тока многократно (на порядки) превышает плотность анодного тока для аномально тлеющего разряда. Установлена связь между характерными временами релаксации оптического излучения и быстрым диффузионным остыванием электронного газа после скачка пристеночного потенциала.

Доп.точки доступа:
Ашурбеков, Н. А.; Иминов, К. О.; Кобзев, В. С.; Кобзев, О. В.

Найти похожие

Эллипсометрия химически осажденных пленок PbS-ZnS [Текст] / В. В. Сальников [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2009. - Т. 35, вып: вып. 16. - С. 34-39. - Библиогр.: с. 39 (10 назв. ) . - ISSN 0320-0116

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
эллипсометрия -- пленки -- химически осажденные пленки -- PbS-ZnS -- методы эллипсометрии -- эллипсометрические методы -- оптические характеристики -- диэлектрические характеристики -- гидрохимически осажденные пленки -- сульфид свинца -- PbS -- сульфид цинка -- ZnS -- твердые растворы -- формирование твердых растворов -- показатели преломления -- диэлектрические потери -- диэлектрические постоянные
Аннотация: Методом эллипсометрии изучены оптические, диэлектрические характеристики гидрохимически осажденных пленок индивидуального сульфида свинца, а также пленок, содержащих пересыщенный твердый раствор замещения в системе PbS-ZnS. Установлено, что формирование твердых растворов приводит к увеличению показателя преломления пленок и уменьшению значений мнимой части диэлектрической постоянной. Увеличение содержания ZnS в твердом растворе сопровождается существенным уменьшением тангенса угла диэлектрических потерь.

Доп.точки доступа:
Сальников, В. В.; Марков, В. Ф.; Барбин, Н. М.; Маскаева, Л. Н.; Миронов, М. П.

Найти похожие

Проводимость La[0. 7]Sr[0. 3]MnO[3-delta] пленок при малых отклонениях от стехиометрического состава по кислороду [Текст] / В. Н. Варюхин [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2009. - Т. 35, вып: вып. 20. - С. 19-26 : ил. - Библиогр.: с. 25-26 (11 назв. ) . - ISSN 0320-0116

УДК

^a539.21:535

ББК 22.374
Рубрики: Физика
Оптические свойства твердых тел
Кл.слова (ненормированные):
транспортные характеристики -- оптические характеристики -- пленки -- эпитаксиальные пленки -- La[0. 7]Sr[0. 3]MnO[3-delta] -- проводимость пленок -- малые отклонения -- стехиометрические составы -- кислород -- кислородный дефицит -- изменение кислородного дефицита -- процесс многоступенчатой процедуры отжига -- оценка дефектности материала -- постоянный ток -- температура -- температурные изменения -- оптическая проводимость -- излучение -- энергия излучения -- оптические исследования -- механизмы проводимости
Аннотация: Изучена динамика транспортных и оптических характеристик эпитаксиальных La[0. 7]Sr[0. 3]MnO[3-delta] (LSMO) пленок при изменении кислородного дефицита в процессе многоступенчатой процедуры отжига. Предложена иерархическая схема оценки дефектности материала пленок исходя из минимальной величины проводимости (sigma[dc] (T) ), измеренной на постоянном токе, а также диапазона ее температурного изменения. Установлено, что величина оптической проводимости (sigma[opt]) при энергии кванта излучения 2 eV является предельно достижимой для минимальной величины sigma[dc] (T) в бездефицитной по кислороду пленке. Последний вывод не противоречит данным более ранних оптических исследований и согласуется с представлениями о действующих механизмах проводимости.

Доп.точки доступа:
Варюхин, В. Н.; Медведев, Ю. В.; Николаенко, Ю. М.; Мухин, А. Б.; Беляев, Б. В.; Грицких, В. А.; Жихарев, И. В.; Кара-Мурза, С. В.; Корчикова, Н. В.; Тихий, А. А.

Найти похожие

Гусев, К. В.
Расчет геометрии изделий, полученных методом свободного термоформования в эллиптических проймах [Текст] / К. В. Гусев, А. Е. Шерышев, М. А. Шерышев // Пластические массы. - 2009. - N 5. - С. 20-22. - Библиогр.: с. 22 (4 назв. ) . - ISSN 0544-2901

УДК

^a66

ББК 35
Рубрики: Химическая технология
Общие вопросы химической технологии
Кл.слова (ненормированные):
полимеры -- термопласты -- оптические характеристики -- методы свободного формования -- свободное термоформование -- геометрия проймы -- метод Кунса -- Кунса метод -- эллиптическая пройма
Аннотация: В статье рассматривается определение геометрии изделий, полученных методом свободного термоформования в эллиптических проймах. Поверхность изделия определяется методом Кунса.

Доп.точки доступа:
Шерышев, А. Е.; Шерышев, М. А.

Найти похожие

"In-situ" п. п. р. - комплекс для экспресс-анализа биоорганических сред [Текст] / С. В. Рыхлицкий [и др. ] // Приборы и техника эксперимента. - 2010. - N 2. - С. 180-181. - Библиогр.: с. 181 (3 назв. ) . - ISSN 0032-8162

УДК

^a681.2.08

ББК 34.92
Рубрики: Приборостроение
Проектирование приборов
Кл.слова (ненормированные):
поверхностный плазменный резонанс -- п. п. р. - комплекс -- in-situ -- биоорганическая среда -- оптические характеристики -- отражающие системы
Аннотация: Описан эллипсометрический комплекс на основе поверхностного плазменного резонанса (п. п. р. ) при полном внутреннем отражении.

Доп.точки доступа:
Рыхлицкий, С. В.; Кручинин, В. Н.; Швец, В. А.; Спесивцев, Е. В.

Найти похожие

Иванов, С. Н.
Исследование оптических характеристик полимеров в вакуумном ультрафиолете [Текст] / С. Н. Иванов, Е. Ю. Локтионов, Ю. Ю. Протасов // Приборы и техника эксперимента. - 2010. - N 3. - С. 91-96. - Библиогр.: с. 96 (5 назв. ) . - ISSN 0032-8162

УДК

^a535

ББК 22.34
Рубрики: Физика
Оптика в целом
Кл.слова (ненормированные):
вакуумный ультрафиолет -- полимеры -- оптические характеристики -- оптико-диагностический модуль -- спектрометрия -- синхротронное излучение -- температурный режим -- полимерные материалы -- электронные накопители -- Сибирь-1
Аннотация: Описаны разработанный оптико-диагностический модуль и методика спектрометрии в диапазоне вакуумного ультрафиолета с использованием источника синхротронного излучения - электронного накопителя "Сибирь-1". Представлены результаты экспериментального определения спектральных коэффициентов поглощения и отражения полимерных материалов в коротковолновом диапазоне спектра при температурах 77 и 298 К в вакууме.

Доп.точки доступа:
Локтионов, Е. Ю.; Протасов, Ю. Ю.

Найти похожие

Исследование оптических характеристик структур с сильно напряженными квантовыми ямами In[x]Ga[1-x]As [Текст] / Д. А. Винокуров [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 10. - С. 1374-1377 : ил. - Библиогр.: с. 1376-1377 (22 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
квантовые ямы -- КЯ -- напряженные квантовые ямы -- In[x]Ga[1-x]As -- гетероструктуры -- лазерные гетероструктуры -- оптические свойства -- фотолюминесценция -- ФЛ -- твердые растворы -- длина волны -- оптические характеристики
Аннотация: Представлены результаты фотолюминесцентных исследований гетероструктур с сильно напряженными квантовыми ямами In[x]Ga[1-x]As. Показано, что интенсивность фотолюминесценции в зависимости от толщины квантовой ямы имеет максимум, положение которого зависит от состава твердого раствора In[x]Ga[1-x]As. Длина волны фотолюминесценции при максимальной интенсивности составила 1. 13 мкм при толщине квантовой ямы 60 Angstrem и 1. 14 мкм при толщине 50 Angstrem для x=0. 39 и x=0. 42 соответственно.

Доп.точки доступа:
Винокуров, Д. А.; Капитонов, В. А.; Николаев, Д. Н.; Соколова, З. Н.; Станкевич, А. Л.; Шамахов, В. В.; Тарасов, И. С.

Найти похожие

Отражающий p-контакт на основе тонких пленок ITO для флип-чип светодиодов AlGaInN [Текст] / Л. К. Марков [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 11. - С. 1564-1569 : ил. - Библиогр.: с. 1568-1569 (12 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
пленки -- тонкие пленки -- оксид индия -- оксид олова -- ITO -- электронно-лучевое напыление -- метод электронно-лучевого напыления -- отражающий p-контакт -- светодиоды -- флип-чип светодиоды -- коэффициент отражения контакта -- квантовая эффективность -- кристаллы -- светоизлучающие кристаллы -- удельное сопротивление -- напряжение -- электрические характеристики -- оптические характеристики -- p-контакт
Аннотация: Методом электронно-лучевого напыления тонких пленок оксида индия и олова (ITO) был получен отражающий контакт к слою p-GaN, используемый при создании синих флип-чип светодиодов. Высокий коэффициент отражения контакта, превосходящий коэффициент отражения контакта на основе Ni/Ag, обеспечивает прирост внешней квантовой эффективности светоизлучающих кристаллов на 15-20%. Прямые падения напряжения для кристаллов с контактом ITO (5 нм) /Ag (220 нм) сравнимы с аналогичными величинами для кристаллов с контактом Ni (1. 5 нм) /Ag (220 нм). Удельное сопротивление контакта со слоем ITO составляет 3. 7 x 10{-3} Ом x см{2}. Показано, что для полученных данным методом пленок ITO оптимальные толщины, обеспечивающие наилучшие электрические и оптические характеристики кристаллов, лежат в диапазоне 2. 5-5. 0 нм.

Доп.точки доступа:
Марков, Л. К.; Смирнова, И. П.; Павлюченко, А. С.; Аракчеева, Е. М.; Кулагина, М. М.

Найти похожие

Влияние температуры роста на свойства прозрачных проводящих пленок ZnO, легированных галлием [Текст] / А. Х. Абдуев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 1. - С. 34-38 : ил. - Библиогр.: с. 38 (20 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
пленки -- прозрачные проводящие пленки -- ZnO -- галлий -- легирование -- подложки -- стеклянные подложки -- магнетронное распыление -- метод магнетронного распыления -- мишени -- проводящие керамические мишени -- структурные характеристики -- электрические характеристики -- оптические характеристики -- температура -- отжиг -- удельное сопротивление -- сопротивление -- осаждение -- термостабильность -- стабильность
Аннотация: Прозрачные проводящие пленки ZnO, легированные галлием, получены на стеклянных подложках методом магнетронного распыления проводящих керамических мишеней. Проведены исследования зависимости структурных, электрических, оптических характеристик пленок ZnO : Ga от температуры подложки в ходе осаждения. Рассмотрена стабильность удельного сопротивления пленок при отжиге на воздухе. Обнаружено, что минимальное удельное сопротивление 3. 8 x 10{-4} Ом x см имеют пленки, осажденные при температуре подложки 250oC, а наибольшей термостабильностью обладают пленки, осажденные при 200oC.

Доп.точки доступа:
Абдуев, А. Х.; Ахмедов, А. К.; Асваров, А. Ш.; Абдуллаев, А. А.; Сульянов, С. Н.

Найти похожие

10.

Ордин, С. В.
Оптические и диэлектрические характеристики окисла редкоземельного металла Lu[2]O[3] [Текст] / С. В. Ордин, А. И. Шелых // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 5. - С. 584-589 : ил. - Библиогр.: с. 589 (24 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
редкоземельные металлы -- РЗМ -- окислы -- Lu[2]O[3] -- оптические характеристики -- диэлектрические характеристики -- дефекты -- анионные вакансии -- оптическое пропускание -- спектры оптического пропускания -- электропроводность -- изолятор–полупроводник -- диэлектрическая проницаемость -- поляризация -- решеточные колебания -- температурная зависимость
Аннотация: Исследованы характеристики окисла Lu[2]O[3] и их изменения, вызванные дефектностью состава. Дефектами являются анионные вакансии, которые возникают при частичном восстановлении окисла. Они проявляют особенности, характерные для квантовых объектов, и существенно влияют на спектр оптического пропускания, характер электропроводности (изолятор-полупроводник) и на порядок величины диэлектрической проницаемости varepsilon (11. 2->125). Рассмотрены особенности структуры вакансий в окислах и исследовано их влияние на поляризацию, электропроводность и решеточные колебания. Исследования проводились в диапазонах температур 200-900 K, длин волн 0. 03-50 мкм, частот тока 10{2}-10{5} Гц. Интерес в микроэлектронике к окислам редкоземельных металлов вызван их большей в несколько раз по сравнению с SiO[2] диэлектрической проницаемостью и тем самым перспективностью замены этими окислами SiO[2].

Доп.точки доступа:
Шелых, А. И.

Найти похожие

1-10 11-20 21-31 31-31

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)