Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=кулоновская блокада<.>)

Общее количество найденных документов : 10
Показаны документы с 1 по 10

Аскерзаде, И. Н.
Подавление квантовыми флуктуациями интерференции в одноконтактном интерферометре с малым джозефсоновским переходом [Текст] / И. Н. Аскерзаде // Журнал технической физики. - 2002. - Т.72,N8. - Библиогр.: с.138 (10 назв.) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Теоретическая физика
Кл.слова (ненормированные):
джозефсоновские переходы -- интерференция -- интерферометры -- квантовые флуктуации -- кулоновская блокада
Аннотация: Найдено условие на величину геометрической индуктивности одноконтактного интерферометра, при которой квантовые флуктуации подавляют интерференцию и реализуется эффект кулоновской блокады куперовских пар

Найти похожие

530.1
А 903

Аскерзаде, И. Н.
Влияние кулоновской блокады куперовских пар на динамические свойства малых джозефсоновских переходов [Текст] / И. Н. Аскерзаде // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N4. - Библиогр.: 10 назв. . - ISSN 0044-4642

УДК

530.1

ББК 22.31
Рубрики: Физика--Теоретическая физика
Кл.слова (ненормированные):
джозефсоновские переходы -- кулоновская блокада -- куперовские пары -- туннелирование
Аннотация: В рамках резистивной модели исследуется динамика туннелирования куперовской пары в режиме кулоновской блокады в малых джозефсоновских переходах. Получена зависимость времени задержки и термических флуктуаций края кулоновской блокады от скорости нарастания напряжения на переходе

Найти похожие

Резонансный пробой кулоновской блокады механическими колебаниями квантовой точки [Текст] / А. Г. Погосов [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 90, вып: вып. 8. - С. 626-629

УДК

^a530.145

ББК 22.314
Рубрики: Физика
Квантовая механика
Кл.слова (ненормированные):
кулоновская блокада -- колебания квантовой точки -- резонансный пробой -- одноэлектронные транзисторы -- электронное туннелирование -- кондактанс транзистора
Аннотация: Исследовано влияние вынужденных механических колебаний подвешенного одноэлектронного транзистора на электронное туннелирование через квантовую точку, ограниченное кулоновской блокадой. Показано, что механические колебания квантовой точки приводят к пробою кулоновской блокады, что проявляется в виде узких резонансных пиков на зависимости кондактанса транзистора от частоты возбуждения при частотах, соответствующих собственным модам механических колебаний. Обсуждается механизм наблюдаемого эффекта, предположительно связанный с колебаниями взаимных электрических емкостей между квантовой точкой и окружающими электродами.

Доп.точки доступа:
Погосов, А. Г.; Буданцев, М. В.; Шевырин, А. А.; Плотников, А. Е.; Бакаров, А. К.; Торопов, А. И.

Найти похожие

Ioselevich, A. S.
Percolation with excluded small clusters and Coulomb blockade in a granular system [Text] / A. S. Ioselevich, D. S. Lyubshin // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 90, вып: вып. 10. - С. 746-752

УДК

^a539.21:537

ББК 22.343
Рубрики: Физика
Электрические и магнитные свойства твердых тел
Кл.слова (ненормированные):
кулоновская блокада -- кластеры -- конечные кластеры -- порог просачивания -- проводящие зерна

Доп.точки доступа:
Lyubshin, D. S.

Найти похожие

Ioselevich, A. S.
Coulomb zero bias anomaly for fractal geometry and conductivity of granular systems near the percolation threshold [Text] / A. S. Ioselevich // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 91, вып: вып. 1. - С. 43-50

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
гранулированные системы -- фрактальная геометрия -- проводимость -- кулоновская блокада -- предел просачивания

Найти похожие

Электрические свойства гибридных структур (ферромагнитный металл) - (слоистый полупроводник) Ni/p-GaSe [Текст] / А. П. Бахтинов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 2. - С. 180-193 : ил. - Библиогр.: с. 192 (59 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
гибридные структуры -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- БШ -- ферромагнитный металл-слоистый полупроводник -- ФМ-ПП -- Ni/n-Ga[2]Se[3]/p-GaSe -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- вольт-фарадные характеристики -- ВФХ -- импедансные спектры -- спиновая инжекция -- экстракция -- спиновая диффузия -- релаксация (физика) -- полупроводниковые подложки -- спин-селективные барьеры -- кулоновская блокада -- отрицательные дифференциальные емкости -- наноразмерные включения
Аннотация: После выращивания слоев Ni на поверхности (0001) p-GaSe сформированы двухбарьерные структуры Ni/n-Ga[2]Se[3]/p-GaSe с наноразмерными включениями сплавов Ni, которые образовались в результате протекания реакций на границе раздела "металл-слоистый полупроводник". В температурном диапазоне 220-350 K изучены вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики гибридных структур. Исследована зависимость импедансных спектров от напряжения смещения структур при различных температурах. Частотные зависимости импеданса при высоких частотах (f>10{6} Гц) обсуждаются с точки зрения явлений спиновой инжекции и экстракции в структурах с ультратонким спин-селективным барьером Ni/n-Ga[2]Se[3] и эффектов спиновой диффузии и релаксации в полупроводниковой подложке. При комнатной температуре обнаружены явления кулоновской блокады и отрицательной дифференциальной емкости. Эти явления объясняются на основе анализа транспортных процессов в узкой области вблизи границы раздела "ферромагнитный металл-полупроводник", где расположены наноразмерные включения.

Доп.точки доступа:
Бахтинов, А. П.; Водопьянов, В. Н.; Ковалюк, З. Д.; Нетяга, В. В.; Литвин, О. С.

Найти похожие

Кашин, С. М.
Динамическое туннелирование электронов через квантовую точку в условиях кулоновской блокады [Текст] / С. М. Кашин, А. М. Сатанин // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып: вып. 11. - С. 1563-1567 : ил. - Библиогр.: с. 1567 (9 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a537.533/.534

ББК 22.338
Рубрики: Физика
Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях
Кл.слова (ненормированные):
туннелирование электронов -- электроны -- квантовые точки -- КТ -- кулоновская блокада -- уравнение Шредингера -- Шредингера уравнение -- омические контакты -- сравнительный анализ
Аннотация: Исследована динамика туннелирования электронов через квантовую точку в условиях кулоновской блокады. Численно решено нестационарное уравнение Шредингера, исследована динамика многоэлектронного волнового пакета в системе, состоящей из квантовой точки, соединенной с двумя омическими контактами. Построены зависимости прозрачности от средней энергии волнового пакета. Произведено сравнение полученных зависимостей с решениями соответствующей стационарной задачи.

Доп.точки доступа:
Сатанин, А. М.

Найти похожие

538.9
R 69

Rodionov, Ya. I.
Out-of-Equilibrium Admittance of Single Electron Box Under Strong Coulomb Blockade [Текст] / Ya. I. Rodionov, aut. I. S. Burmistrov // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 92, вып. 10. - С. 766-771

УДК

538.9

ББК 22.3
Рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
кулоновская блокада -- кулоновское взаимодействие -- адмиттанс -- проводимость -- электроны

Доп.точки доступа:
Burmistrov, I. S.

Найти похожие

538.9
C 84

Cotunneling effects in GaAs vertical double quantum dots [Текст] / A. O. Badrutdinov [et al.] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2011. - Т. 93, вып. 4. - С. 217-220

УДК

538.9

ББК 22.3
Рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
квантовые точки -- GaAs -- кулоновская блокада -- полупроводники

Доп.точки доступа:
Badrutdinov, A. O.; Huang, S. M.; Kono, K.; Ono, K.; Tayurskii, D. A.

Найти похожие

10.

544.6
М 420

Медведев, И. Г.
Электрохимический транзистор на основе мостикового туннельного контакта, содержащего две редокс-группы [Текст] / И. Г. Медведев // Электрохимия. - 2012. - Т. 48, № 2. - С. 133-158 . - ISSN 0424-8570

УДК

544.6

ББК 24.57
Рубрики: Химия
Электрохимия
Кл.слова (ненормированные):
кулоновская блокада -- неадиабатический электронный перенос -- электрохимические транзисторы -- туннельный контакт
Аннотация: С использованием метода кинетических уравнений показано, что мостиковый туннельный контакт, содержащий две редокс-группы в последовательной конфигурации, погруженные в раствор электролита при комнатной температуре, при некотором наборе физических параметров системы демонстрирует ярко выраженные свойства транзистора. Валентные электроны редокс-групп сильно взаимодействуют с классической фононной подсистемой жидкой среды. Учитывается дебаевское экранирование электрического поля в туннельном зазоре и кулоновское отталкивание между электронами, находящимися на разных редокс-группах. Рассматривается случай неадиабатического электронного переноса как между редокс-группами, так и между электродами и редокс-группами в пределе бесконечно большого кулоновского отталкивания между электронами, находящимися на редокс-группе. Для достаточно больших абсолютных значений разности между невозмущенными уровнями энергий редокс-групп система обладает характерными для транзистора вольт-амперными характеристиками. Эффект усиления возникает вследствие сильной зависимости туннельного тока от перенапряжения. Главное внимание уделяется особенностям вольт-амперных характеристик в случае сильно несимметричных туннельных контактов.

Найти похожие

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)