Электронные ресурсы

Базы данных


Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=комбинационное рассеяние света<.>)
Общее количество найденных документов : 80
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-20   21-30   31-40   41-50   51-60      
1.
001
Г 492


    Гинзбург, В. Л.
    К истории открытия комбинационного рассеяния света [Текст] / В. Л. Гинзбург, И. Л. Фабелинский // Вестник Российской академии наук. - 2003. - Т.73,N3. - Библиогр.:25 назв. . - ISSN 0869-5873
УДК
ББК 72
Рубрики: Наука. Науковедение--Общие вопросы науки
Кл.слова (ненормированные):
Нобелевские премии -- комбинационное рассеяние света -- наука -- нобелевские лауреаты -- премии -- рассеяние света
Аннотация: Каждый год после объявления очередных нобелевских лауреатов многие из нас задаются вопросом:почему среди них так мало наших сотрудников?Авторы публикуемой статьи,проанализировав ставшую недавно общедоступной деятельность Нобелевского комитета по присуждению премии по физике за 1930 г.,обсуждают этот вопрос.


Доп.точки доступа:
Фабелинский, И.Л.

Найти похожие

2.
22.37
Б 684


    Бланк, В. Д.
    Механические, структурные и спектроскопические свойства фаз фуллерита C[70], полученных при высоком давлении со сдвиговой деформацией [Текст] / В. Д. Бланк, К. В. Гоголинский [и др.] // Журнал технической физики. - 2002. - Т.72,N12. - Библиогр.: с.53 (22 назв.) . - ISSN 0044-4642
ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
комбинационное рассеяние света -- рентгеновская дифракция -- сдвиговая деформация -- твердость -- фазовые превращения -- фуллерит
Аннотация: Исследованы рентгеновская дифракция, спектры комбинационного рассеяния света и твердость фуллерита C[70] при высоком давлении с приложением сдвиговой деформации. Показано, что при высоком давлении сдвиговая деформация ускоряет фазовое превращение молекулярного фуллерита в твердую аморфную фазу. Твердость образца, извлеченного из алмазной ячейки, нагруженной до 26 GPa с приложением сдвиговой деформации, оказалась равной 30 GPa


Доп.точки доступа:
Гоголинский, К.В.; Денисов, В.Н.; Ивденко, В.А.; Маврин, Б.Н.; Серебряная, Н.Р.; Сульянов, С.Н.

Найти похожие

3.
53(09)
Щ 612


    Щербаков, Р. Н.
    Леонид Исаакович Мандельштам [Текст] / Р. Н. Щербаков // Физика в школе. - 2004. - N 3. - Библиогр.: с. 22 (8 назв. ) . - ISSN 0130-5522
УДК
ББК 22.3г
Рубрики: Физика--История физики
Кл.слова (ненормированные):
20 в. -- физики -- научная деятельность -- биографии -- радиофизика -- оптика -- свет -- рассеяние света -- комбинационное рассеяние света
Аннотация: Жизнь и творческая деятельность выдающегося ученого-физика Леонида Исааковича Мандельштама.


Доп.точки доступа:
Мандельштам, Леонид Исаакович

Найти похожие

4.
538.9
Т 163


    Талочкин, А. Б.
    Релаксация механических напряжений в массиве квантовых точек Ge, полученных в Si [Текст] / А. Б. Талочкин, В. А. Марков, В. И. Машанов // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 86, вып. 5. - С. 397-400 . - ISSN 0370-274X
УДК
ББК 22.3
Рубрики: Физика
   Общие вопросы физики

Кл.слова (ненормированные):
комбинационное рассеяние света -- оптические фононы -- квантовые точки -- релаксация механических напряжений -- механические напряжения -- массив квантовых точек -- Ge -- Si
Аннотация: Исследовано комбинационное рассеяние света (КРС) на оптических фононах в Si/Ge/Si структурах с квантовыми точками (QD) Ge, выращенными с помощью молекулярно лучевой эпитаксии в области низких температур 200-300 градусов C. Получено псевдоморфное состояние массива QD Ge к Si матрице с идеально резкой границей раздела. В спектрах КРС обнаружены особенности, связанные с неупругой релаксацией механических напряжений. Выделены два механизма релаксации напряжений. Показано, что в результате неоднородного характера релаксации спектр электронных состояний массива значительно отличается от набора дискретных уровней отдельной QD.


Доп.точки доступа:
Марков, В. А.; Машанов, В. И.

Найти похожие

5.
530.1
О-233


    Образцов, А. Н.
    Эффект двойного резонанса при комбинационном рассеянии света в нанографитных пленках [Текст] / А. Н. Образцов, Е. А. Образцова, А. А. Золотухин, А. В. Тюрнина // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2008. - Т. 133, вып. 3. - С. 654-662. - Библиогр.: с. 661-662 . - ISSN 0044-4510
УДК
ББК 22.31
Рубрики: Физика
   Теоретическая физика

Кл.слова (ненормированные):
нанографитные пленки -- пленки -- свет -- комбинационное рассеяние света -- рассеяние света -- двойной резонанс -- эффект двойного резонанса
Аннотация: Экспериментально исследован эффект двойного резонанса при комбинационном рассеянии света в нанографитных пленках.


Доп.точки доступа:
Образцова, Е. А.; Золотухин, А. А.; Тюрнина, А. В.

Найти похожие

6.
541.1
В 124


    Ваганов, Е. Г.
    Комплексные исследования структуры твердых электролитов CeO[2] - Sm[2]O[3] до и после старения [Текст] / Е. Г. Ваганов, В. Н. Стрекаловский [и др.] // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2007. - Т. 73, N 11. - С. 30-32. - Библиогр.: с. 32 (10 назв. ) . - ISSN 1028-6861
УДК
ББК 24.5 + 22.37
Рубрики: Химия
   Физическая химия. Химическая физика

   Физика

   Физика твердого тела

Кл.слова (ненормированные):
дифрактометрия -- микроспектроскопия -- рассеяние света -- комбинационное рассеяние света -- рентгеновская дифрактометрия -- сканирующая электронная микроскопия -- старение электролитов -- структура твердых электролитов -- твердые растворы -- твердые электролиты -- флюоритовые твердые растворы -- церий-самариевый оксидный электролит -- электролиты -- электронная микроскопия
Аннотация: Представлены результаты, полученные методами рентгеновской дифрактометрии, сканирующей электронной микроскопии и микроспектроскопии комбинационного рассеяния света при изучении флюоритовых твердых растворов CeO[2] - Sm[2]O[3] до и после старения.


Доп.точки доступа:
Стрекаловский, В. Н.; Вовкотруб, Э. Г.; Малков, В. Б.; Воронин, В. И.

Найти похожие

7.
621.3
Б 435


    Белогорохов, И. А.
    Комбинационное рассеяние света в полупроводниковых структурах на основе молекул моно- и трифталоцианина, содержащих ионы эрбия [Текст] / И. А. Белогорохов, Е. В. Тихонов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, вып. 11. - С. 1381-1383 . - ISSN 0015-3222
УДК
ББК 31.2
Рубрики: Энергетика
   Электротехника

Кл.слова (ненормированные):
трифталоцианин -- монофталоциан -- ионы эрбия -- комбинационное рассеяние света -- полупроводниковые структуры
Аннотация: Проведены исследования полупроводниковых структур типа бутилзамещенных моно- и трифталоцианина эрбия методом спектроскопии комбинационного рассеяния света. Показано, что при переходе от планарной структуры молекулы, содержащей один лиганд и один атом металла, к сэндвичеподобной с двумя атомами комплексообразователя между лигандами появляется последовательность линий в спектре комбинационного рассеяния, с волновыми числами в виде арифметической прогрессии, разность которой 79 см\{-1\}. Предполагается, что указанная особенность связана с увеличением количества органических молекул на один атом металла в комплексе трифталоцианина, а четыре пика при 122, 208, 279, 366 см\{-1\} являются проявлением слабых внеплоскостных колебаний лигандов фталоцианина.


Доп.точки доступа:
Тихонов, Е. В.; Бреусова, М. О.; Пушкарев, В. Е.; Зотеев, А. В.; Томилова, Л. Г.; Хохлов, Д. Р.

Найти похожие

8.
621.3
З-880


    Зотеев, А. В.
    Усиление комбинационного рассеяния света в щелевых кремниевых структурах [Текст] / А. В. Зотеев, Л. А. Головань [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 8. - С. 989-991 . - ISSN 0015-3222
УДК
ББК 31.2
Рубрики: Энергетика--Электротехника
Кл.слова (ненормированные):
кремниевые структуры -- щелевые кремниевые структуры -- комбинационное рассеяние света -- рамановское рассеяние света
Аннотация: Обнаружен многократный рост интенсивности стоксовой компоненты рамановского рассеяния света в щелевых кремниевых структурах, состоящих из последовательности полостей (щелей) и кремниевых слоев в случае, если толщина последних (1-2 мкм) близка к длине волны возбуждающего света. Полученные результаты, интерпретируемые как проявление эффектов локализации света, свидетельствуют о перспективности подобных щелевых структур как матриц для повышения эффективности рамановского рассеяния.


Доп.точки доступа:
Головань, Л. А.; Круткова, Е. Ю.; Лактюнькин, А. В.; Мамичев, Д. А.; Кашкаров, П. К.; Тимошенко, В. Ю.; Астрова, Е. В.; Перова, Т. С.

Найти похожие

9.
539.2
В 493


    Виноградов, В. С.
    Спектры комбинационного рассеяния света в структурах с квантовыми точками на основе полупроводников CdTe, ZnTe, CdSe и их связь с технологией изготовления [Текст] / В. С. Виноградов, Г. Карчевски [и др.] // Физика твердого тела. - 2008. - Т. 50, вып. 1. - С. 159-162. - Библиогр.: с. 162 (13 назв. ) . - ISSN 0367-3294
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела

Кл.слова (ненормированные):
комбинационное рассеяние света -- метод молекулярно-лучевой эпитаксии -- полупроводники -- квантовые точки -- теллур -- коллоидные нанокристаллы -- метод микроразмалывания -- спектры комбинационного рассеяния света
Аннотация: Изучены спектры комбинационного рассеяния света в структурах с квантовыми точками на основе полупроводников CdTe, ZnTe, CdSe, полученных методами молекулярно-лучевой эпитаксии, коллоидной химии и микроразмалывания. Во всех спектрах локализованные продольные фононы. По зависимости частоты локализованного фонона от толщины барьера ZnTe в сверхрешетках квантовых точек CdTe/ZnTe восстановлена дисперсионная зависимость продольного фонона в ZnTe. Спектры комбинационного рассеяния света ансамблей коллоидных квантовых точек отличаются от остальных отсутствием полос теллура, а также значительной интенсивностью полосы продольного фонона CdTe. Выявлена зависимость спектров от технологии изготовления структур с квантовыми точками.


Доп.точки доступа:
Карчевски, Г.; Кучеренко, И. В.; Мельник, Н. Н.; Фернандес, П.

Найти похожие

10.
539.2
В 680


    Володин, В. А.
    Исследование электрон-фононного взаимодействия в нанокристаллах кремния n-типа с применением спектроскопии комбинационного рассеяния света [Текст] / В. А. Володин, М. Д. Ефремов, А. Г. Черков // Физика твердого тела. - 2008. - Т. 50, вып. 5. - С. 921-923. - Библиогр.: с. 923 (12 назв. ) . - ISSN 0367-3294
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
электрон-фононное взаимодействие -- нанокристаллы кремния -- пленки аморфного кремния -- спектроскопия комбинационного рассеяния света -- комбинационное рассеяние света
Аннотация: Нанокрситаллы кремния были сформированы в легированных фосфором с концентрацией 3. 3 x 10{20} cm {-3} пленках аморфного кремния в результате импульсных воздействий эксимерного лазера и исследовались с применением методик спектроскопии комбинационного рассеяния света и электронной микроскопии. Экспериментальные данные можно интерпретировать как проявление эффектов электрон-фононного взаимодействия в нанокристаллах кремния n-типа, описываемых в рамках интерференции Фано. Предположено, что сильное (в сравнении с объемным кремнием n-типа) электронн-фононное взаимодействие обусловлено смягчением правил отбора по импульсу в нанокристаллах.


Доп.точки доступа:
Ефремов, М. Д.; Черков, А. Г.

Найти похожие

 1-10    11-20   21-30   31-40   41-50   51-60      
 
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)