Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Бабаев, С. С.$<.>)

Общее количество найденных документов : 5
Показаны документы с 1 по 5

336
Б 120

Бабаев, С. С.
Какой банк можно назвать государственным [Текст] / С. С. Бабаев // Деньги и кредит. - 2007. - N 7. - С. 58-61 . - ISSN 0130-3090

УДК

336

ББК 65.26
Рубрики: Экономика--Финансы
Кл.слова (ненормированные):
банки; банковское дело; государственные банки; государственное участие; банковский сектор; уставной капитал; собственность; федеральная собственность; юридические лица
Аннотация: В статье рассмотрены проблемы и пути классификации банков с различной степенью государственного участия.

Найти похожие

338(100)
Б 120

Бабаев, С. С.
Государственные банки как источники финансовых ресурсов предприятий: мировой опыт [Текст] / С. С. Бабаев // Финансы. - 2007. - N 6. - С. 71-73. - Библиогр. в сносках . - ISSN 0869-446Х

УДК

338(100)

ББК 65.5
Рубрики: Экономика--Мировая экономика--Индия--Китай--Германия
Кл.слова (ненормированные):
банки -- государственные банки -- финансовые ресурсы предприятий -- экономический рост -- банковские системы
Аннотация: Поднимается вопрос о роли государственных банков как источников финансовых ресурсов предприятий, об их роли в экономическом росте. Освещен мировой опыт в этом вопросе.

Найти похожие

539.2
С 288

Сеидов, Мир-Гасан Ю..
Влияние внешних воздействий на эффект термической памяти несоизмеримой фазы в сегнетоэлектриках-полупроводниках TlGaSe[2] [Текст] / Мир-Гасан Ю. Сеидов, Р. А. Сулейманов [и др.] // Физика твердого тела. - 2008. - Т. 50, вып. 1. - С. 105-114. - Библиогр.: с. 113-114 (56 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
эффект термической памяти -- сегнетоэлектрики-полупроводники -- несоизмеримые фазы -- постоянное электрическое поле -- световое воздействие -- диэлектрическая постоянная
Аннотация: Приводятся и обсуждаются особенности влияния внешних воздействий (постоянное электрическое поле, световое воздействие) на эффект термической памяти несоизмеримой фазы в сегнетоэлектриках-полупроводниках TlGaSe[2], регистрируемый по данным измерения диэлектрической постоянной. Впервые продемонстрировано, что влияние внешних воздействий на аномалию, связываемую с проявлением эффекта термической памяти в TlGaSe[2], сводится к некоему универсальному эмпирическому правилу: при длительной временной выдержке образца при постоянной температуре T[0] в области несоизмеримой фазы в присутствии постоянного электрического поля сильно увеличивается амплитуда прогиба в низкотемпературной части аномалии температурной зависимости относительного измерения диэлектрической постоянной дельта эпсилон / эпсилон (при этом стирается прогиб в высокотемпературной части аномалии дельта эпсилон / эпсилон (T) ) по сравнению с аналогичным участком зависимости, полученной при изотермическом отжиге образца при той же температуре, но без электрического поля. При этом кристалл "вспоминает" свою предысторию при температуре, смещенной относительно T[0] на несколько градусов в сторону более высоких температур. Световое же воздействие увеличивает амплитуду прогиба в высокотемпературной части аномалии дельта эпсилон / эпсилон (T), смещая температуру при которой кристалл "вспоминает" свою предысторию, в сторону более низких температур относительно T[0].

Доп.точки доступа:
Сулейманов, Р. А.; Бабаев, С. С.; Мамедов, Т. Г.; Шарифов, Г. М.

Найти похожие

Фотоэлектрический эффект в TlInS[2], активированном примесью La [Текст] / M. -H. Yu. Seyidov [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып: вып. 2. - С. 250-255. - Библиогр.: с. 255 (28 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
фотоэлектрический эффект -- слоистые кристаллы -- диэлектрическая проницаемость -- локальные поляризованные состояния -- пироток -- метод короткозамкнутого образца
Аннотация: Впервые получены данные о влиянии света на низкочастотные диэлектрические свойства слоистого кристалла TlInS[2], легированного примесью La. Установлено, что подсветка кристалла в процессе измерений существенно изменяет вид температурной зависимости диэлектрической постоянной (эпсилон) TlInS[2] с примесью La в области существования несоизмеримой фазы. В работе впервые исследованы температурные зависимости диэлектрической постоянной эпсилон TlInS[2] с примесью La при предварительном охлаждении кристалла в присутствии различного по величине напряженности постоянного электрического поля. Сделано заключение о том, что наблюдаемый на опыте фотодиэлектрический эффект обусловлен процессами локализации носителей заряда на дефектных уровнях в запрещенной зоне кристалла с образованием локальных поляризованных состояний.

Доп.точки доступа:
Seyidov, M. -H. Yu.; Suleymanov, R. A.; Бабаев, С. С.; Мамедов, Т. Г.; Наджафов, А. И.; Шарифов, Г. М.

Найти похожие

Нетрадиционные эффекты термической памяти несоизмеримой фазы в сегнетоэлектриках-полупроводниках TlInS[2] [Текст] / M. -H. Yu. Seyidov [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып: вып. 3. - С. 533-542. - Библиогр.: с. 541-542 (31 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
термическая память -- несоизмеримая фаза -- эффект термической памяти -- слоистые кристаллы -- нелегированные слоистые кристаллы -- сегнетоэлектрики-полупроводники -- внутреннее поле термоэлектрета
Аннотация: Проанализированы экспериментальные данные, касающиеся эффектов термической памяти несоизмеримой фазы в нелегированных слоистых кристаллах TlInS[2], выбранных из разных технологических партий, так и в TlInS[2]: La. Обнаружены различные типы нетрадиционного проявления эффекта термической памяти. Показано, что обнаруженные эффекты связаны с памятью кристалла, в основе которой лежит механизм закрепления солитонной сверхструктуры волной плотности дефектов в присутствиии внутреннего поля термоэлектрета.

Доп.точки доступа:
Seyidov, M. -H. Yu.; Suleymanov, R. A.; Salehli, F.; Бабаев, С. С.; Мамедов, Т. Г.; Наджафов, А. И.; Шарифов, Г. М.

Найти похожие

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)