Электронные ресурсы

Базы данных


Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска
Электронный каталог
Статьи из журналов: 2001-2014
Труды ОмГУ
История ОмГУ
Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска
Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=возбуждение плазмонных резонансов<.>)
Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2
1.


    Попов, В. В.
    Возбуждение плазмонных резонансов в экранированной двумерной электронной системе с боковыми контактами [Текст] / В. В. Попов, О. В. Полищук // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 6. - С. 53-59 : ил. - Библиогр.: с. 59 (13 назв. ) . - ISSN 0320-0116
УДК
^a621.38
ББК 32.85
Рубрики: Радиоэлектроника
   Электроника в целом
Кл.слова (ненормированные):
резонансы -- плазмонные резонансы -- возбуждение плазмонных резонансов -- электронные системы -- двумерные электронные системы -- электронный газ -- экранирование электронного газа -- электромагнитные волны -- электронное рассеяние
Аннотация: Показано, что при полном экранировании двумерного электронного газа, ограниченного боковыми контактами, эффективность возбуждения плазмонных резонансов падающей электромагнитной волной существенно возрастает. При этом значительно сужается линия плазмонного резонанса - до минимальной теоретической величины, определяемой электронным рассеянием в двумерной электронной системе.


Доп.точки доступа:
Полищук, О. В.

Найти похожие
2.


   
    Широкоапертурный детектор терагерцового излучения на основе транзисторной структуры GaAs/InGaAs со щелевым решеточным затвором большой площади [Текст] / К. В. Маремьянин [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 8. - С. 39-47 : ил. - Библиогр.: с. 46-47 (16 назв. ) . - ISSN 0320-0116
УДК
^a621.375
ББК 32.86
Рубрики: Радиоэлектроника
   Квантовая электроника
Кл.слова (ненормированные):
фотоотклики -- терагерцовые фотоотклики -- транзисторные структуры -- детекторы терагерцового излучения -- широкоапертурные детекторы -- терагерцовое излучение -- GaAs/InGaAs -- решеточные затворы -- щелевые решеточные затворы -- пики фотоотклика -- плазмонные резонансы -- возбуждение плазмонных резонансов -- узкощелевые структуры
Аннотация: Измерен терагерцовый фотоотклик транзисторной структуры с узкощелевым решеточным затвором большой площади. Пики фотоотклика индентифицированы с возбуждением плазмонных резонансов в структуре. За счет более эффективного возбуждения плазмонных резонансов в узкощелевой структуре величина фотоотклика возрастает на порядок величины.


Доп.точки доступа:
Маремьянин, К. В.; Ермолаев, Д. М.; Фатеев, Д. В.; Морозов, С. В.; Малеев, Н. А.; Земляков, В. Е.; Гавриленко, В. И.; Попов, В. В.; Шаповал, С. Ю.

Найти похожие
 
Стандартный
Расширенный
Профессиональный
Распределенный
По словарю
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)