З85 П 198 Пасынков, Владимир Васильевич. Полупроводниковые приборы : Учеб. для вузов / В. В. Пасынков, Л. К. Чиркин. - 7-е изд., испр. - СПб. : Лань, 2003. - 478, [1] с. : ил. ; 21 см. - (Учебники для вузов. Специальная литература). - Библиогр.: с. 460-461.- Предм. указ.: с. 468-474. - 4000 экз.. - ISBN 5-8114-0368-2 (в пер.) : 156.00 р. Содержание: Основные сведения по физике полупроводников . - С .7-41 Контактные явления . - С .41-76 Полупроводниковые диоды . - С .76-192 Биполярные транзисторы . - С .192-280 Тиристоры . - С .280-301 Полевые транзисторы и приборы с зарядовой связью . - С .301-332 Интегральные микросхемы . - С .332-352 Полупроводниковые приборы на эффекте междолинного перехода электронов . - С .352-361 Оптоэлектронные полупроводниковые приборы . - С .361-401 Терморезисторы . - С .401-414 Варисторы . - С .414-421 Полупроводниковые приборы на аморфных полупроводниках . - С .421-428 Полупроводниковые термоэлектрические устройства . - С .428-442 Полупроводниковые гальваномагнитные приборы . - С .442-457
Рубрики: Полупроводниковые приборы--Учебные издания Держатели документа: Омский государственный университет. Библиотека : Омск-77 Пр. Мира, 55 А Доп.точки доступа: Чиркин, Лев Константинович Экземпляры всего: 10 ЕА (10) Свободны: ЕА (10) |
З85 П 198 Пасынков, Владимир Васильевич. Полупроводниковые приборы : Учеб. для вузов / В. В. Пасынков, Л. К. Чиркин, А. Д. Шинков. - 3-е изд., перераб. и доп. - М. : Высшая школа, 1981. - 430, [1] с. : ил. ; 22 см. - Авт. на корешке не указ. - Библиогр.: с. 417.- Алф. указ.: с. 420-426. - 65000 экз.. - (в пер.) : 1.30 р., 1.30 р. Содержание: Основные сведения по физике полупроводников . - С .6-38 Контактные явления . - С .38-69 Полупроводниковые диоды . - С .69-166 Биполярные транзисторы . - С .166-252 Тиристоры . - С .252-268 Полевые транзисторы и приборы с зарядовой связью . - С .268-296 Полупроводниковые приборы как элементы интегральных микросхем . - С .296-315 Полупроводниковые приборы с использованием междолинного перехода носителей заряда . - С .315-322 Излучающие полупроводниковые приборы . - С .322-339 Полупроводниковые приемники излучения . - С .339-360 Термисторы . - С .360-371 Варисторы . - С .371-377 Полупроводниковые приборы на аморфных полупроводниках . - С .377-383 Полупроводниковые термоэлектрические приборы . - С .383-396 Полупроводниковые гальваномагнитные приборы . - С .396-410 Тензоэлектрические полупроводниковые приборы . - С .410-417
Рубрики: Полупроводниковые приборы--Учебные издания Держатели документа: Омский государственный университет. Библиотека : Омск-77 Пр. Мира, 55 А Доп.точки доступа: Чиркин, Лев Константинович; Шинков, Аркадий Дмитриевич Экземпляры всего: 2 ЕА (2) Свободны: ЕА (2) |
З85 П 198 Пасынков, Владимир Васильевич. Полупроводниковые приборы : Учеб. для вузов / В. В. Пасынков, Л. К. Чиркин. - 4-е изд., перераб. и доп. - М. : Высшая школа, 1987. - 478, [1] с. : ил. ; 22 см. - Библиогр.: с. 460-461.- Предм. указ.: с. 468-474. - 50000 экз.. - (в пер.) : 1.50 р., 1.50 р., 22.00 р. Содержание: Основные сведения по физике полупроводников . - С .7-41 Контактные явления . - С .41-76 Полупроводниковые диоды . - С .76-192 Биполярные транзисторы . - С .192-280 Тиристоры . - С .280-301 Полевые транзисторы и приборы с зарядовой связью . - С .301-332 Интегральные микросхемы . - С .332-352 Полупроводниковые приборы на эффекте междолинного перехода электронов . - С .352-361 Оптоэлектронные полупроводниковые приборы . - С .361-401 Терморезисторы . - С .401-414 Варисторы . - С .414-421 Полупроводниковые приборы на аморфных полупроводниках . - С .421-428 Полупроводниковые термоэлектрические устройства . - С .428-442 Полупроводниковые гальваномагнитные приборы . - С .442-457
Рубрики: Полупроводниковые приборы--Учебные издания Держатели документа: Омский государственный университет. Библиотека : Омск-77 Пр. Мира, 55 А Доп.точки доступа: Чиркин, Лев Константинович Экземпляры всего: 15 ЕА (14), ЕЧЗ (1) Свободны: ЕА (14), ЕЧЗ (1) |
З85 Т 456 Титце, У. Полупроводниковая схемотехника : [Справ. рук.]: Пер. с нем. / У. Титце, К. Шенк. - М. : Мир, 1982. - 512 с. : ил. ; 25 см. - 80000 экз.. - (в пер.) : 65.00 р. Пер. изд.: Halbleiter - schaltungstechnik/ U. Tietze, Ch. Schenk (1980 г.)
Рубрики: Полупроводниковые приборы--Справочники Держатели документа: Омский государственный университет. Библиотека : Омск-77 Пр. Мира, 55 А Доп.точки доступа: Шенк, К. Экземпляры всего: 1 ГА (1) Свободны: ГА (1) |
В1 В 949 Вычислительные системы : сб. тр. / Акад. наук СССР. Сиб. отд-ние. Ин-т математики. - Новосибирск : Б. и., 1968 - . [Вып.] 64 : Автоматизация проектирования в микроэлектронике. Теория. Методы. Алгоритмы / [Редкол.: В. А. Скоробогатов (науч. ред.) и др.]. - 1975. - 183 с. : табл., граф. ; 20 см. - Библиогр. в конце ст. - 800 экз.. - 6300.00 р. Содержание: Мерекин, Ю. А. Об одной задаче оптимального размещения заказов / Ю. А. Мерекин. - С .3-10 Скоробогатов, В. А. Анализ связанности неографов / В. А. Скоробогатов. - С .11-25 Ачасова, С. М. Проектирование автоматов управления на основе МОП-БИС : метод и практический алгоритм оптимального синтеза / С. М. Ачасова, О. Л. Бандман. - С .26-52 Курейчик, Виктор Михайлович. О покрытии схем ячейками заданного выбора / В. М. Курейчик, В. А. Калашников, В. А. Селютин. - С .53-64 Макаров, Л. И. Размещение и трассировка в плоской прямоугольной решетке / Л. И. Макаров. - С .65-72 Бочко, Г. Д. Алгоритмы последовательного размещения и кратчайшей трассировки / Г. Д. Бочко, В. И. Кашин, Л. И. Макаров. - С .73-81 Глориозов, Е. Л. Использование ЭВМ при проектировании топологии интегральных схем на МДП-транзисторах дополняющих типов проводимости / Е. Л. Глориозов, А. Д. Иванников, П. П. Сыпчук. - С .82-93 Хрущев, В. Г. Определение допустимых размеров компонентов геометрической конструкции интегральных схем / В. Г. Хрущев. - С .94-107 Королев, В. К. Сравнение некоторых методов численного интегрирования обыкновенных дифференциальных уравнений / В. К. Королев. - С .108-127 Назаров, Н. И. Методика и программа электрического анализа МДП интегральных схем / Н. И. Назаров. - С .128-135 Беляев, Е. И. О расчете процента выхода двоичных логических элементов с учетом их совместной работы в системе / Е. И. Беляев, Ю. М. Шамаев. - С .136-147 Кулиш, Г. Н. Система для автоматизации технического проектирования фотошаблонов больших интегральных схем (БИС) / Г. Н. Кулиш. - С .148-172 Кузнецов, О. П. О работах А. Я. Макаревского / О. П. Кузнецов, Л. Б. Шипилина. - С .173-178
Рубрики: Математика--Сборники Микроэлектроника--Автоматизированное проектирование--Сборники Держатели документа: Омский государственный университет. Библиотека : Омск-77 Пр. Мира, 55 А Доп.точки доступа: Дятлов, В. Л. \ред.\; Евреинов, Э. В. \ред.\; Завьялов, Юрий Семенович \ред.\; Загоруйко, Н. Г. \ред.\; Косарев, Ю. Г. \ред.\; Скоробогатов, В. А. \ред.\; Хорошевский, В. Г. \ред.\; Макаревский, Аркадий Яковлевич (математик ; 1936-1973) \о нем\; Академия наук СССР, Сибирское отделение(Новосибирск). Институт математики(Новосибирск) Экземпляры всего: 1 ЕА (1) Свободны: ЕА (1) |
В1 В 949 Вычислительные системы : сб. тр. / Акад. наук СССР. Сиб. отд-ние. Ин-т математики. - Новосибирск : Б. и., 1968 - . - ISSN 0568-661X. [Вып.] 77 : Автоматизация проектирования в микроэлектронике. Теория. Методы. Алгоритмы / [Редкол.: В. А. Скоробогатов (науч. ред.) и др.]. - 1978. - 117 с. : табл., граф. ; 20 см. - Библиогр. в конце ст. - 800 экз.. - 5700.00 р. Содержание: Бандман, О. Л. Анализ свойств гиперграфов и графов с помощью их фурье-преобразований / О. Л. Бандман, В. П. Маркова. - С .3-19 Скоробогатов, В. А. Матрицы слоев и изометричность графов / В. А. Скоробогатов. - С .20-23 Бессонов, Ю. Е. Применение относительных разбиений для поиска клик / Ю. Е. Бессонов, В. А. Скоробогатов. - С .24-33 Бессонов, Ю. Е. Представление неографов линейными формулами / Ю. Е. Бессонов. - С .34-37 Тимофеев, А. А. Некоторые числовые характеристики модульного произведения графов / А. А. Тимофеев. - С .38-41 Устюжанинов, В. Г. О случайном поиске оптимальной системы признаков / В. Г. Устюжанинов. - С .42-52 Крепский, А. А. Состав SMAPS для структурного программирования на языке ассемблера ОС ЕС ЭВМ / А. А. Крепский. - С .53-62 Косарев, Ю. Г. О построении обобщенной памяти R-машины для задач обработки тестовой информации / Ю. Г. Косарев, Н. А. Чужанова. - С .63-71 Ачасова, С. М. Теоретико-структурный метод кодирования микрокоманд / С. М. Ачасова. - С .72-79 Хрущев, В. Г. Модель геометрической конструкции / В. Г. Хрущев. - С .80-93 Дубовская, Н. И. Сравнительный анализ основных языков дискретного моделирования / Н. И. Дубовская. - С .94-104 Назаров, Н. И. Программа блочного моделирования переходных процессов в МДП ИС с помощью ЭВМ типа ЕС / Н. И. Назаров. - С .105-109 Назаров, Н. И. Минимизация задержки в цепи каскадно соединенных логических элементов МДП интегральных схем / Н. И. Назаров. - С .110-113
Рубрики: Математика--Сборники Микроэлектроника--Автоматизированное проектирование--Сборники Держатели документа: Омский государственный университет. Библиотека : Омск-77 Пр. Мира, 55 А Доп.точки доступа: Дятлов, В. Л. \ред.\; Евреинов, Э. В. \ред.\; Завьялов, Юрий Семенович \ред.\; Загоруйко, Н. Г. \ред.\; Косарев, Ю. Г. \ред.\; Скоробогатов, В. А. \ред.\; Хорошевский, В. Г. \ред.\; Академия наук СССР, Сибирское отделение(Новосибирск). Институт математики(Новосибирск) Экземпляры всего: 1 ЕА (1) Свободны: ЕА (1) |
В37 С 600 Солимар, Ласло. Лекции по электрическим свойствам материалов : [Учеб. пособие для вузов] / Л. Солимар, Д. Уолш; Пер. с англ.: С. И. Баскакова и др. - М. : Мир, 1991. - 501 с. : ил. ; 23 см. - Предм. указ.: с. 494-497. - 5000 экз.. - ISBN 5-03-001934-0 (в пер.) : 7.90 р., 85.00 р. Пер. изд.: Lectures on the Electrical Properties of Materials / L. Solymar, D. Walsh (1988) Содержание: Электрон как частица . - С .11-39 Электрон как волна . - С .40-53 Электрон . - С .54-75 Атом водорода и периодическая система элементов . - С .76-92 Химические связи . - С .93-113 Электронная теория металлов . - С .114-135 Зонная теория твердого тела . - С .136-162 Полупроводники . - С .163-206 Принципы работы полупроводниковых приборов . - С .207-283 Диэлектрические материалы . - С .284-315 Магнитные материалы . - С .316-357 Лазеры . - С .358-401 Оптоэлектроника . - С .402-442 Сверхпроводимость . - С .443-481
Рубрики: Полупроводниковые приборы--Электрические свойства--Учебные издания Держатели документа: Омский государственный университет. Библиотека : Омск-77 Пр. Мира, 55 А Доп.точки доступа: Уолш, Дональд; Баскаков, С. И. \пер.\; Калинин, В. А. \пер.\; Лобов, Г. Д. \пер.\ Экземпляры всего: 2 ЕА (2) Свободны: ЕА (2) |
З85 З-590 Зи, С. Физика полупроводниковых приборов : в 2 кн.: Пер. с англ. / С. Зи. - 2-е изд., перераб. и доп. - М. : Мир, 1984. - Пер. изд.: Physics of Semiconductor Devices.- Second edition / S. M. Sze. Кн. 1. - 1984. - 455 с. : ил. ; 22 см. - Библиогр. в конце гл. - 16000 экз.. - (в пер.) : 2.20 р., 75.00 р. Содержание: Физика полупроводников . - С .11-68 Биполярные приборы . - С .69-256 Униполярные приборы . - С .257-453
Рубрики: Полупроводниковые приборы Держатели документа: Омский государственный университет. Библиотека : Омск-77 Пр. Мира, 55 А Экземпляры всего: 13 ЕА (13) Свободны: ЕА (13) |
З85 З-590 Зи, С. Физика полупроводниковых приборов : в 2 кн.: Пер. с англ. / С. Зи. - 2-е изд., перераб. и доп. - М. : Мир, 1984. - Пер. изд.: Physics of Semiconductor Devices.- Second edition / S. M. Sze. Кн. 2. - 1984. - 455 с. : ил. ; 22 см. - Библиогр. в конце гл. - 16000 экз.. - (в пер.) : 2.20 р., 75.00 р. Содержание: МОП-транзисторы . - С .5-93 Полупроводниковые приборы СВЧ-диапазона . - С .94-269 Оптоэлектронные приборы . - С .270-453
Рубрики: Полупроводниковые приборы Держатели документа: Омский государственный университет. Библиотека : Омск-77 Пр. Мира, 55 А Экземпляры всего: 13 ЕА (13) Свободны: ЕА (13) |
З85 Ф 503 Физика полупроводниковых приборов : Лаб. практикум (для студентов IV курса физ. фак.) / Ом. гос. ун-т им. Ф. М. Достоевского. [Физ. фак ; Сост. В. И. Блинов и др.; Рец.: А. И. Блесман, В. В. Шкуркин]. - Омск : Изд-во ОмГУ, 2005. - 174 с. : рис. ; 21 см. - Библиогр.: с. 174. - 50 экз.. - ISBN 5-7779-0543-9 Содержание: Физика электронно-дырочных переходов. Полупроводниковые диоды . - С .7-87 Полупроводниковые транзисторы . - С .88-157 Переключательные полупроводниковые приборы . - С .158-173
Рубрики: Полупроводниковые приборы--Физические принципы--Учебные издания Держатели документа: Омский государственный университет. Библиотека : Омск-77 Пр. Мира, 55 А Доп.точки доступа: Блинов, Василий Иванович \сост.\; Бурлаков, Рудиарий Борисович \сост.\; Загарских, Олег Олегович \сост.\; Блесман, А. И. \рец.\; Шкуркин, Владимир Владимирович \рец.\; Омский государственный университет им. Ф. М. Достоевского (Омск). Физический факультет Экземпляры всего: 2 ДФ (1), ЕА (1) Свободны: ДФ (1), ЕА (1) |
З84 В 180 Варадан, В. ВЧ МЭМС и их применение / В. Варадан, К. Виной, К. Джозе; Пер. с англ. под ред. Ю. А. Заболотной; [Предисл. В. В. Лучинина, Е. Н. Пятышева]. - М. : Техносфера, 2004. - 525 с. : рис., табл. ; 25 см. - (Мир электроники ; 03). - Авт. на корешке не указ. - Библиогр. в конце гл.- Предм. указ.: с. 524-525. - 2000 экз.. - ISBN 5-94836-030-X (в пер.). - ISBN 0-470-84308-X (англ.)
Рубрики: Микроэлектромеханические приборы ВЧ Держатели документа: Омский государственный университет. Библиотека : Омск-77 Пр. Мира, 55 А Доп.точки доступа: Виной, К.; Джозе, К.; Заболотная, Ю. А. \ред. пер.\; Лучинин, В. В. \авт. предисл.\; Пятышев, Е. Н. \авт. предисл.\ Экземпляры всего: 3 ЕА (3) Свободны: ЕА (3) |
З85 О-624 Определение времени жизни неосновных носителей заряда в кремнии на основе использования кривой спада вентильной фото-э.д.с. кремниевого фотодиода : метод. указ. к выполнению лаб. работы (для студентов IV курса физ. фак.) / Ом. гос. ун-т ; [сост.: Б. Бурлаков, В. И. Блинов ; под ред. Н. А. Семиколеновой]. - Омск : Изд-во ОмГУ, 2006. - 14 с. ; 21 см. - Библиогр.: с. 14. - 50 экз.. -
Рубрики: Полупроводники--Носители заряда--Учебные издания Держатели документа: Омский государственный университет. Библиотека : Омск-77 Пр. Мира, 55 А Доп.точки доступа: Бурлаков, Рудиарий Борисович \сост.\; Блинов, Василий Иванович \сост.\; Семиколенова, Надежда Александровна \ред.\; Омский государственный университет (Омск) Экземпляры всего: 2 ДФ (1), ЕА (1) Свободны: ДФ (1), ЕА (1) |
З85 О-624 Определение диффузионной длины неравновесных носителей заряда : метод. указания к выполнению лаб. работы (для студентов IV курса физ. фак.) / Ом. гос. ун-т им. Ф. М. Достоевского ; [сост.: Р. Б. Бурлаков, В. И. Блинов ; под ред. Н. А. Семиколеновой]. - Омск : Изд-во ОмГУ, 2006. - 31 с. : рис., табл. ; 20 см. - Библиогр.: с. 31. - В надзаг. также: Федер. агентство по образованию. - 50 экз.. -
Рубрики: Полупроводники--Носители заряда--Учебные издания Держатели документа: Омский государственный университет. Библиотека : Омск-77 Пр. Мира, 55 А Доп.точки доступа: Семиколенова, Надежда Александровна \ред.\; Бурлаков, Рудиарий Борисович \сост.\; Блинов, Василий Иванович \сост.\; Омский государственный университет им. Ф. М. Достоевского (Омск) Экземпляры всего: 2 ДФ (1), ЕА (1) Свободны: ДФ (1), ЕА (1) |
З85 C 240 C-V-метод измерения концентрации легирующей примеси и профиля легирования в поверхностном слое полупроводника : метод. указ. к выполнению лаб. работы (для студентов IV курса физ. фак.) / Ом. гос. ун-т им. Ф. М. Достоевского ; [сост.: Р. Б. Бурлаков, В. И. Блинов ; под ред. Н. А. Семиколеновой]. - Омск : Изд-во ОмГУ, 2006. - 15, [1] с. : рис. ; 20 см. - Библиогр.: с. 16. - В надзаг. также: Федер. агентство по образованию. - 50 экз.. -
Рубрики: Полупроводники--Вольт-фарадный метод--Учебные издания Держатели документа: Омский государственный университет. Библиотека : Омск-77 Пр. Мира, 55 А Доп.точки доступа: Бурлаков, Рудиарий Борисович \сост.\; Блинов, Василий Иванович \сост.\; Семиколенова, Надежда Александровна \ред.\; Омский государственный университет им. Ф. М. Достоевского (Омск) Экземпляры всего: 2 ДФ (1), ЕА (1) Свободны: ДФ (1), ЕА (1) |
З85 Б 915 Бурлаков, Рудиарий Борисович. Барьерная емкость P-N-переходов с кусочно-линейными распределениями концентрации примесей [Текст] / Р. Б. Бурлаков, В. И. Блинов, В. С. Ковивчак> // Вестник Омского университета. - 2005. - № 2. - С. 24-26. - Библиогр. в конце ст.
Рубрики: Полупроводниковые приборы Доп.точки доступа: Блинов, Василий Иванович; Ковивчак, Владимир Степанович Имеются экземпляры в отделах: всего 2 : НБО (1), ГЧЗ (1) Свободны: НБО (1), ГЧЗ (1) |
З85 Б 915 Бурлаков, Рудиарий Борисович. Барьерная емкость несимметричных P-N- переходов со ступенчато-линейными распределениями концентрации примесей [Текст] / Р. Б. Бурлаков, В. И. Блинов, В. С. Ковивчак> // Вестник Омского университета. - 2005. - № 3. - С. 12-14. - Библиогр. в конце ст.
Рубрики: Полупроводниковые приборы Доп.точки доступа: Блинов, Василий Иванович; Ковивчак, Владимир Степанович Имеются экземпляры в отделах: всего 2 : ГЧЗ (1), НБО (1) Свободны: ГЧЗ (1), НБО (1) |
З85 Г180 Гаман, Василий Иванович. Физика полупроводниковых приборов : учеб. пособие для студентов вузов / В. И. Гаман ; Том. гос. ун-т им. В. В. Куйбышева. - Томск : ТГУ, 1989. - 337, [4] с. : ил. ; 20 см. - Ч. библиогр. на иностр. яз. - Библиогр.: с. 331-333. - 2000 экз.. - (в пер.) : 0.70 р. Содержание: Контакты металл - полупроводник . - С .5-39 Электронно-дырочные переходы . - С .39-79 Пробой p-n перехода . - С .79-102 Гетеропереходы . - С .102-117 Переходные процессы в полупроводниковых диодах . - С .117-143 Функциональные возможности полупроводниковых диодов . - С .143-197 Диоды для усиления и генерации СВЧ-возможности . - С .197-235 Биполярные транзисторы . - С .235-276 Полевые транзисторы . - С .276-303 Приборы с вольт-амперной характеристикой s-типа . - С .303-330
Рубрики: Полупроводниковые приборы--Физические принципы--Учебные издания Держатели документа: Омский государственный университет. Библиотека : Омск-77 Пр. Мира, 55 А Доп.точки доступа: Томский государственный университет им. В. В. Куйбышева (Томск) Экземпляры всего: 2 ЕА (2) Свободны: ЕА (2) |
З85 Г 180 Гаман, Василий Иванович. Физика полупроводниковых приборов : учеб. пособие для студентов вузов, обучающихся по специальностям: "Радиофизика и электроника", "Оптоэлектрон. приборы и системы" / В. И. Гаман. - Изд. 2-е, доп. и перераб. - Томск : Изд-во НТЛ, 2000. - 425 с. : ил. ; 22 см. - Библиогр.: с. 407-412. - В надзаг.: Федер. целевая программа "Гос. поддержка интеграции высш. образования и фундамент. науки на 1997-2000 гг.". - 1000 экз.. - ISBN 5-89503-081-5 (в пер.) : 50.00 р. Содержание: Контакты металл-полупроводник . - С .5-33 Электронно-дырочные переходы . - С .33-82 Пробой p-n перехода . - С .82-101 Гетеропереходы . - С .101-113 Переходные процессы в полупроводниковых диодах . - С .113-136 Функциональные возможности полупроводниковых диодов . - С .136-201 Диоды для усиления и генерации СВЧ-мощности . - С .201-231 Биполярные транзисторы . - С .231-273 Электронные процессы в структурах металл-диэлектрик-полупроводник. Приборы с зарядовой связью, туннельные МДП-диоды . - С .273-341 Полевые транзисторы . - С .341-371 Аналоговые транзисторы . - С .371-377 Приборы с вольт-амперной характеристикой S-типа . - С .377-405
Рубрики: Полупроводниковые приборы--Физические принципы--Учебные издания Держатели документа: Омский государственный университет. Библиотека : Омск-77 Пр. Мира, 55 А Экземпляры всего: 12 ЕА (12) Свободны: ЕА (12) |
З85 Г 385 Германюк, Валентина Николаевна. Сборник задач по электровакуумным и полупроводниковым приборам : учеб. пособие для техникумов электр. приборов / В. Н. Германюк. - Изд. 2-е, доп. - М. : Высшая школа, 1973. - 125, [1] с. : рис. ; 22 см. - 23000 экз.. - 20.00 р.
Рубрики: Электровакуумные приборы--Учебные издания Полупроводниковые приборы--Учебные издания Держатели документа: Омский государственный университет. Библиотека : Омск-77 Пр. Мира, 55 А Экземпляры всего: 1 ЕА (1) Свободны: ЕА (1) |
З85 С 741 Справочник по полупроводниковым диодам / [Б. А. Бородин и др.] ; под ред. И. Ф. Николаевского. - М. : Связь, 1979. - 432 с. : ил., табл. ; 22 см. - Авт. указаны на обороте тит. л. - 47000 экз.. - (в пер.) : 1.90 р.
Рубрики: Полупроводниковые диоды--Справочники Держатели документа: Омский государственный университет. Библиотека : Омск-77 Пр. Мира, 55 А Доп.точки доступа: Бородин, Борис Александрович; Дроневич, Вячеслав Михайлович; Егорова, Римма Васильевна; Козырев, Артем Степанович; Николаевский, Иосиф Федорович; Николаевский, Иосиф Федорович \ред.\ Экземпляры всего: 2 ЕА (2) Свободны: ЕА (2) |