621.315.592 Ж 771 Жмерик, В. Н. Особенности пространственного распределения In в эпитаксиальных слоях InGaN, выращенных молекулярно-пучковой эпитаксией с плазменной активацией [Текст] / В. Н. Жмерик, А. М. Мизеров [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, Вып. 5. - С. 630-638 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): эпитаксиальные слои -- InGaN -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- плазменная активация азота Аннотация: Исследованы процессы, ведущие к формированию пространственно неоднородного распределения In в слоях In[x]Ga[1-x]N с x=0-0. 6, выращенных молекулярно-пучковой эпитаксией с плазменной активацией азота при относительно низких температурах роста (590-630 градусов C). Доп.точки доступа: Мизеров, А. М.; Шубина, Т. В.; Плотников, Д. С.; Заморянская, М. В.; Яговкина, М. А.; Домрачева, Я. В.; Ситникова, А. А.; Иванов, С. В. |