539.2 Ш 18 Шалдин, Ю. В. Пироэлектрические свойства высокоомных кристаллов KTiOPO[4] в области температур 4. 2 - 300 K [Текст] / Ю. В. Шалдин, S. Matyjasik [и др.] // Физика твердого тела. - 2006. - Т. 48, N 5. - С. 858-863. - Библиогр.: с. 863 (30 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): высокоомные кристаллы; калий; пироэлектрики; пироэлектрический коэффициент; расвор-расплавный метод; фазовые переходы; фосфор Аннотация: Приведены результаты измерений пироэлектрического коэффициента номинально совершенных кристаллов KTiOPO[4] (KTP) , выращенных раствор-расплавным методом при отношении концентрации калия к концентрации фосфора около 2. Доп.точки доступа: Matyjasik, S.; Рабаданов, М. Х.; Angert, N.; Roth, M.; Tseitlin, M. |
Магнитные свойства монокристаллов лейкосапфира в области 4. 2-300 К [Текст] / Х. С. Багдасаров [и др. ] // Доклады Академии наук. - 2007. - Т. 414, N 5. - С. 609-612. - Библиогр.: с. 612 (12 назв. ) . - ISSN 0869-5652
Рубрики: Химия Неорганическая химия Кл.слова (ненормированные): лейкосапфир -- кислородсодержащие соединения -- лазерные рубины -- широкозонные полупроводники Аннотация: Доказано, что магнитные свойства монокристаллов лейкосапфира в значительной степени зависят от условий выращивания и характера внешнего воздействия. Доп.точки доступа: Багдасаров, Х. С.; Шалдин, Ю. В.; Вархульска, И.; Циглер, И. Н. |
Шалдин, Ю. В. Особенности пироэлектрических свойств несобственного сегнетоэлектрика-сегнетоэластика GD[2] (MoO[4]) в области низких температур [Текст] / Ю. В. Шалдин, С. Матыясик // Доклады Академии наук. - 2009. - Т. 425, N 4, апрель. - С. 477-480 : 4 рис. - Библиогр.: с. 480 (14 назв. ) . - ISSN 0869-5652
Рубрики: Физика Электростатика Кл.слова (ненормированные): сегнетоэлектрик -- сегнетоэлластик -- пироэлектрические свойства -- монокристаллы -- парофазы -- метод Чохральского -- Чохральского метод Аннотация: Переход от парафазы к сегнетофазе характеризуется несколькими инвариантами. Объектом исследования послужили монокристаллы, выращенные методом Чохральского на ориентированную затравку. Доп.точки доступа: Матыясик, С. |
539.2 Ш 181 Шалдин, Ю. В. Пироэлектрические свойства широкозонного полупроводника AlN в области 4. 2-300 K [Текст] / Ю. В. Шалдин, авт. S. Matyjasik // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 9. - С. 1159-1165 : ил. - Библиогр.: с. 1165 (17 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): пироэлектрические свойства -- пироэлектрики -- поляризация -- широкозонные полупроводники -- температурные зависимости -- газовые фазы -- азот -- электрические воздействия -- дефекты структуры -- сегнетоэлектрическое упорядочение -- кристаллы -- примеси кислорода -- деформация тетраэдров -- координационные тетраэдры -- структура вюрцита -- вюрцит -- дипольный момент Аннотация: Представлены результаты измерений поляризации AlN в интервале 4. 3-300 K, по которым были рассчитаны величины пирокоэффициентов в зависимости от температуры. Эксперимент ставился как на исходном образце, выращенном из газовой фазы в атмосфере азота при T~2400 K, так и подвергнутом внешнему электрическому воздействию в поле разной полярности. Поляризация образца при T=4. 2 K привела к принципиальному изменению полярного состояния реального образца AlN: за счет дефектов структуры возникает сегнетоэлектрическое упорядочение и на порядок увеличивается суммарная поляризация образца, зависящая от T. Выявленные аномалии прежде всего связаны с вхождением в состав кристалла неконтролируемой примеси кислорода, приводящей к значительным деформациям координационных тетраэдров в структуре вюрцита. Процесс замещения вакансий азота разнозаряженными ионами кислорода приводит не только к изменению дипольных моментов координационных тетраэдров, но и к изменению их ориентации в структуре. Сегнетоэлектрическое упорядочение в "чистом виде" в данном образце AlN существует только до T~80 K. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/09/p1159-1165.pdf Доп.точки доступа: Matyjasik, S. |
537.2 А 691 Аномалии теплоемкости и спонтанной поляризации нестехиометричных кристаллов KTiOPO нижний символ 4 в области низких температур / Ю. В. Шалдин [и др.] // Доклады Академии наук. - 2012. - Т. 447, № 2, декабрь. - С. 155-157 : 4 рис. - Библиогр. : с. 157 (13 назв.) . - ISSN 0869-5652
Рубрики: Физика Электростатика Кл.слова (ненормированные): кристаллы -- нестехиометрия кристаллов -- монокристаллы -- донорно-акцепторные пары -- ионы Аннотация: Даны результаты измерений теплоемкости С нижний символ р и спонтанной поляризации дельта P нижний символ s (T) высоомного кристалла КТР (Т нижний символ с = 1220 К) в интервале температур от 4, 2 до 50 К. Доп.точки доступа: Шалдин, Ю. В.; Залеский, А.; Матыясик, С.; Багдасаров, Х. С. |
539.2 П 335 Пироэлектрические свойства широкозонного полупроводника CdSe в области низких температур / Ю. В. Шалдин [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 1. - С. 3-10 : ил. - Библиогр.: с. 10 (12 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): пироэлектрические свойства -- спонтанная поляризация -- метод сублимации -- сублимация -- CdSe -- селенид кадмия -- отжиг -- температурные зависимости -- зарядовые состояния -- аномалии -- дефекты -- электрические поля -- собственная проводимость -- проводимость -- широкозонные проводники -- низкие температуры -- кристаллы Аннотация: В области температур T=4. 2-300 K выполнены измерения спонтанной поляризации нестехиометрических образцов CdSe, выращенных методом сублимации при 1423 K и подвергнутых отжигу в парах селена. По этим данным рассчитаны температурные зависимости пироэлектрического коэффициента в CdSe. Обнаружены аномалии в областях T<10 K и T>210 K. Изменение зарядового состояния дефектной подсистемы образцов, вызванное слабым электрическим полем, привело к усилению аномалий и появлению новой аномалии при T=236 K. Как правило, аномалии при T<10 K и T=236 K зависят от полярности внешнего воздействия. Шунтирующее действие собственной проводимости образца проявляется только в области выше 270 K. Исследования образца неполярного среза приводят к несколько неожиданным результатам: аномалии сохраняются, но их величины значительно уменьшаются. В рамках кристаллофизического подхода предприняты попытки объяснить аномалии, наблюдаемые ниже 270 K, как за счет ассоциатов, обладающих дипольным моментом, так и трансформацией последних с возможным участием неконтролируемой примеси кислорода в макрообразования типа кластера, ориентация суммарного дипольного момента которого не совпадает с полярным направлением идеального кристалла. Measurements of spontaneous polarization in the temperature range 4. 2-300K for CdSe nonstoichiometric samples grown by sublimation method at 1423K and annealed in selenium vapor have been made. Using these data, temperature dependences of pyroelectric coefficient in CdSe have been calculated. Anomalies in the ranges T < 10K and above 210K have been revealed. Samples nonstoichiometric change caused by weak electric field has resulted in anomalies enhancement and in appearance of the new anomaly at T = 236K. As a rule, the anomalies at T < 10K and 236K depend on polarity of external action. The sample intrinsic conductivity bypassing effect occurs only in the range 250-300K. Nonpolar cut sample investigations lead to somewhat unexpected results: anomalies persist, but their values decrease substantially. Within the frame of crystallophysical approach, attempts have been made in oder to explain the anomalies observed below 250K both as connected to associates, having dipole moment, and due to transformation of associates with oxygen participation in aggregations of cluster type, total dipole moment orientation of which does not coincide with polar direction of ideal crystal. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/01/p3-10.pdf Доп.точки доступа: Шалдин, Ю. В.; Матыясик, С.; Давыдов, А. А.; Жаворонков, Н. В.; Институт кристаллографии Российской академии наук (Москва); Международная лаборатория сильных магнитных полей и низких температур (Poland); Научно-исследовательский институт материалов (Москва); Научно-исследовательский институт материалов (Москва) |
539.2 Ш 181 Шалдин, Ю. В. Пироэлектрические свойства широкозонного полупроводника CdS в области низких температур / Ю. В. Шалдин, S. Matyjasik // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 5. - С. 582-589 : ил. - Библиогр.: с. 588-589 (19 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): пироэлектрические свойства -- широкозонные полупроводники -- линейные пироэлектрики -- пироэлектрики -- газовые фазы -- аргон -- сигнетоэлектрики -- монокристаллы -- сульфид кадмия -- спонтанная поляризация -- термостимулированная проводимость -- ТСП -- электрические поля -- энергетические спектры -- донорно-акцепторные пары -- температурные зависимости -- термостимулированная деполяризация -- ТСД -- пироэлектрический эффект -- катионная проводимость -- экспериментальные исследования Аннотация: На нестехиометричных кристаллах CdS n-типа, выращенных из газовой фазы в атмосфере аргона при T=1450 K, проведены комплексные исследования спонтанной поляризации, термостимулированных проводимости и деполяризации в интервале от 4. 2 до 300 K. Объектом исследований служили исходные образцы и образцы, поляризованные слабым электрическим полем при T=4. 2 K. Поляризация образца приводит к уменьшению проводимости sigma[33] вследствие перестройки всего энергетического спектра уровней, связанного с образованием донорно-акцепторных пар. Процессы образования донорно-акцепторных пар вносят свои вклады и в температурные зависимости спонтанной поляризации и пироэлектрического эффекта, характеризуемые возникновением аномалий ниже 15 K и образованием термоэлектрета. Обсуждается роль неконтролируемой примеси кислорода в возникновении катионной проводимости CdS свыше 270 K, связанной с распадом части донорно-акцепторных пар. В области температур от 20 до 250 K величины пирокоэффициента и спонтанной поляризации в пределах ошибки эксперимента не зависят от внешних воздействий и при T=200 K равны: Delta P[s]=- (6. 1±0. 2) x 10{-4} C/m{2}, gamma[s]=- (4. 1±0. 3) x 10{-5} C/m{2} K. On the nonstoichiometric crystals of CdS of the n-type which have been grown up from a gas phase in the atmosphere of argon at T = 1450K, complex researches of spontaneous polarization, thermostimulated conductivity and depolarization in the range of 4. 2 to 300K are conducted. As object of researches initial samples and the samples polarized by weak electric field at T = 4. 2K. Polyarization of a sample served leads to conductivity reduction sigma[33] owing to reorganization of all power range of the levels connected with formation of DAP. Processes of formation of DAP make the contributions and to temperature dependences of spontaneous polarization and the pyroelectric effect, characterized by emergence of anomalies lower than 15K and formation of a thermoelectret. The role of uncontrollable impurity of oxygen in emergence of cationic conductivity of CdS over 270K, the part of DAP connected with disintegration is discussed. In the range of temperatures from 20K up to 250K sizes pyrocoefficient and spontaneous polarization within an error of experiment don’t depend on external influences and at T = 200K are equal: Delta P[s] = - (6. 1 ± 0. 2) x 10{-4} C/m{2}, gamma[s] = - (4. ± 0. 3) x 10{-5} C/m{2} K. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/05/p582-589.pdf Доп.точки доступа: Matyjasik, S.; Институт кристаллографии Российской академии наук (Москва)International Laboratory High Magnetic Fields and Low Temperatures (Poland) |