Барические свойства квантовых точек InAs [Текст] / Б. В. Новиков [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып: вып. 9. - С. 1094-1101 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): квантовые точки -- InAs -- барический коэффициент энергии -- квазинульмерный объект -- модуль Юнга -- Юнга модуль -- коэффициент Пуассона -- Пуассона коэффициент Аннотация: В рамках модели деформационного потенциала рассчитаны барические зависимости энергетической структуры квантовых точек InAs в матрице GaAs. В предположении отсутствия взаимодействия между квантовыми точками, имеющими сферическую форму и одинаковые размеры, найдена зависимость барического коэффициента энергии излучательного перехода в квантовой точке от величины энергии. Подобная зависимость обнаружена также экспериментально в спектрах фотолюминесценции при всестороннем сжатии структур InAs/GaAs. Обсуждаются качественное согласие теории и эксперимента, а также возможные причины их количественного различия. Делается вывод о вкладе в это различие таких факторов, как дисперсия размеров, кулоновское взаимодействие носителей заряда и туннельное взаимодействие квантовых точек. Доп.точки доступа: Новиков, Б. В.; Зегря, Г. Г.; Пелещак, Р. М.; Данькив, О. О.; Гайсин, В. А.; Талалаев, В. Г.; Штром, И. В.; Цырлин, Г. Э. |
Пелещак, Р. М. Расчет потенциала и электронной плотности для напряженной полупроводниковой квантовой точки [Текст] / Р. М. Пелещак, И. Я. Бачинский, Г. Г. Зегря // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 24. - С. 1-8 : ил. - Библиогр.: с. 7-8 (13 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Математическая физика Радиоэлектроника Электроника в целом Кл.слова (ненормированные): нелинейные модели -- модель Пуассона -- Пуассона модель -- расчет потенциала -- электронная плотность -- квантовые точки -- полупроводниковые квантовые точки -- напряженные полупроводниковые квантовые точки -- электростатический потенциал -- электростатические поля -- деформационный потенциал -- параметры решетки -- матрицы Аннотация: В рамках нелинейной модели Пуассона для напряженной полупроводниковой квантовой точки рассчитано распределение электростатического потенциала, напряженности электростатического поля и электронной плотности с учетом деформационного потенциала, возникающего вследствие несогласованности параметров решетки квантовой точки и матрицы. Доп.точки доступа: Бачинский, И. Я.; Зегря, Г. Г. |
539.2 В 586 Влияние легирующих изовалентных примесей Bi на формирование однородных когерентно-напряженных квантовых точек InAs в матрице GaAs / Р. М. Пелещак [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 3. - С. 324-328 : ил. - Библиогр.: с. 327-328 (25 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): изовалентные примеси -- квантовые точки -- КТ -- напряженные квантовые точки -- морфология квантовых точек -- InAs -- GaAs -- сферические квантовые точки -- арсенид галлия -- арсенид индия Аннотация: В рамках модели деформационного потенциала рассчитаны распределения всесторонней деформации в материале квантовых точек InAs с примесью Bi{3+} в матрице GaAs. Получены зависимости деформации материала сферических квантовых точек InAs с примесью замещения (из Bi в As) и внедрения (Bi) от размера квантовой точки. Обсуждается качественное сопоставление модели с экспериментом. Получены данные о влиянии легирования на морфологию самоорганизованных квантовых точек InAs: Bi в матрице GaAs. Within the framework of model of deformation potential distributions of comprehensive deformation in material of quantum dots of InAs with the impurity of Bi{3+} in the matrix of GaAs have been calculated. Dependence of deformation of material of spherial quantum dots of InAs with a replacement impurity (Bi entails As) and introductions Bi from the size of a quantum dots have been received. Qualitative comparison of model to experiment is discussed. The data about influence of doping on morphology of self-organised quantum dots InAs : Bi in matrix GaAs is obtained. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/03/p324-328.pdf Доп.точки доступа: Пелещак, Р. М.; Губа, С. К.; Кузык, О. В.; Курило, И. В.; Данькив, О. О. |