Электрические и магнитные свойства мультислойных структур [ (CoFeZr) [x] (Al[2]O[3]) [1-x]/ (альфа-SiH) ][n] [Текст] / А. В. Иванов [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып: вып. 12. - С. 2331-2336. - Библиогр.: с. 2336 (11 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): мультислойные структуры -- удельное электрическое сопротивление -- магнитная проницаемость -- полупроводниковые прослойки -- наномультислойные системы Аннотация: Исследованы концентрационные зависимости удельного электрического сопротивления и комплексной магнитной проницаемости мультислойных структур [{Co[45]Fe[45]Zr[10]) [x] (Al[2]O[3]) [100-x]}/{альфа-Si: H}][n] и композитов (Co[45]Fe[45]Zr[10]) [x] (Al[2]O[3]) [100-x]. Установлено, что введение полупроводниковой прослойки в композиты (Co[45]Fe[45]Zr[10]) [x] (Al[2]O[3]) [100-x] приводит к существенному понижению удельного электрического сопротивления мультислойных структур [{Co[45]Fe[45]Zr[10]) [x] (Al[2]O[3]) [100-x]}/{альфа-Si: H}][n]. Концентрационные зависимости действительной и мнимой частей комплексной магнитной проницаемости наномультислойных структур [{Co[45]Fe[45]Zr[10]) [x] (Al[2]O[3]) [100-x]}/{альфа-Si: H}][n] существенно отличаются от таковых для нанокомпозитов (Co[45]Fe[45]Zr[10]) [x] (Al[2]O[3]) [100-x]. Действительная часть комплексной магнитной проницаемости наномультислойных структур [{Co[45]Fe[45]Zr[10]) [x] (Al[2]O[3]) [100-x]}/{альфа-Si: H}][n] изменяется по кривой с минимумом вблизи порога протекания композита, а мнимая --- плавно снижается с увеличением концентрации ферромагнитной фазы. Полученные результаты объясняются увеличением температуры бифуркации за счет электронов проводимости полупроводниковой прослойки, способствующих магнитному упорядочению ферромагнитных гранул. Доп.точки доступа: Иванов, А. В.; Калинин, Е. Ю.; Нечаев, В. Н.; Ситников, А. В. |
537 Д 820 Думачев, В. Н. Динамика двойных границ в кристалле с точечными дефектами [Текст] / В. Н. Думачев, авт. В. Н. Нечаев // Известия РАН. Серия физическая. - 2004. - Т. 68, N 7. - С. 1049-1052. - Библиогр.: с. 1052 (13 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Электричество и магнетизм Кл.слова (ненормированные): волны -- дисперсионные уравнения -- дисперсия -- длинноволновые колебания -- изгибные колебания -- колебания -- кристаллы -- модули кристаллов -- сегнетоэластики Аннотация: Рассмотрено влияние дисперсии упругих моделей кристалла, обусловленной наличием в нем примесей внедрения, на динамику границ раздела. Доп.точки доступа: Нечаев, В. Н. |
537 Д 820 Думачев, В. Н. О локализованных состояниях электронов на границах раздела сегнетоэлектриков [Текст] / В. Н. Думачев, авт. В. Н. Нечаев // Известия РАН. Серия физическая. - 2004. - Т. 68, N 7. - С. 1029-1031. - Библиогр.: с. 1031 (3 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Электричество и магнетизм Кл.слова (ненормированные): газы -- двумерные газы -- диэлектрики -- диэлектрическая проницаемость -- когерентные границы кристаллов -- кристаллы -- поляроны -- электронные газы -- электроны Аннотация: Решается задача о захвате электрона двойниковой границей кристалла. Доп.точки доступа: Нечаев, В. Н. |
539.2 Н 590 Нечаев, В. Н. Влияние точечных дефектов на фазовые переходы в сегнетоэлектрических нанокристаллах [Текст] / В. Н. Нечаев, авт. А. В. Висковатых // Физика твердого тела. - 2012. - Т. 54, вып. 5. - С. 950-952. - Библиогр.: с. 952 (6 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): точечные дефекты -- фазовые переходы -- сегнетоэлектрические нанокристаллы -- электрические поля -- нанокристаллы Аннотация: Получены зависимости температуры фазового перехода сегнетоэлектрических нанокристаллов в матрице диэлектрика от концентрации в них точечных заряженных дефектов. Исследовано влияние точечных дефектов на нелинейные характеристики сегнетоэлектрических нанокристаллов в зависимости от величины и направления внешнего электрического поля при точном учете деполяризующих электрических полей и нелокальных эффектов. Доп.точки доступа: Висковатых, А. В. |
537 Н 590 Нечаев, В. Н. О диэлектрической проницаемости сегнетоэлектриков с размытым фазовым переходом [Текст] / В. Н. Нечаев, авт. А. В. Шуба // Известия РАН. Серия физическая. - 2006. - Т. 70, N 8. - С. 1141-1144. - Библиогр.: с. 1144 (10 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Электричество и магнетизм Кл.слова (ненормированные): сегнетоэлектрики -- релаксоры -- диэлектрическая проницаемость сегнетоэлектриков -- аномальные физические явления -- математическое моделирование систем Аннотация: Показана важность учета вклада в диэлектрическую проницаемость сегнетоэлектрика с размытым фазовым переходом неоднородного распределения поляризации в отдельных полярных объектах наряду с переориентацией этих областей как целого под действием тепловых флуктуаций. Доп.точки доступа: Шуба, А. В. |
537.226.33:536.424.1:539.2 Н 590 Нечаев, В. Н. О фазовом переходе в тонкой сегнетоэластической пленке [Текст] / В. Н. Нечаев, авт. А. В. Шуба // Известия РАН. Серия физическая. - 2007. - Т. 71, N 10. - С. 1403-1405. - Библиогр.: c. 1405 (10 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Электричество и магнетизм Кл.слова (ненормированные): Ландау теория -- параметры порядка -- пленки -- поверхности пленки -- сегнетоэластики -- спонтанная деформация -- температурная зависимость -- теория Ландау -- термодинамическая теория -- тонкие сегнетоэластические пленки -- фазовые переходы -- физические свойства Аннотация: На основании термодинамической теории Ландау найдено распределение спонтанной деформации в тонкой сегнетоэластической пленке. Определены температурные зависимости свободной энергии, теплоемкости и упругой податливости при разной степени закрепления параметра порядка на поверхности пленки. Доп.точки доступа: Шуба, А. В. |
537.226 Н 590 Нечаев, В. Н. О диэлектрической проницаемости многослойных сегнетоэлектрических пленок [Текст] / В. Н. Нечаев, авт. А. В. Шуба // Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 9. - С. 1298-1301. - Библиогр.: c. 1301 (12 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Электростатика Кл.слова (ненормированные): диэлектрическая проницаемость -- эффективная диэлектрическая проницаемость -- диэлектрические свойства -- размерные эффекты -- многослойные пленочные материалы -- сегнетоэлектрические пленки -- уравнения электростатики -- электрические поля Аннотация: Исследована эффективная диэлектрическая проницаемость многослойных пленочных материалов диэлектрик-сегнетоэлектрик. Доп.точки доступа: Шуба, А. В. |
536.42 Н 590 Нечаев, В. Н. Математическое моделирование температурного профиля металлических пленок при импульсном фотонном отжиге / В. Н. Нечаев, А. В. Шуба // Журнал технической физики. - 2014. - Т. 84, № 12. - С. 8-12. - Библиогр.: c. 12 (17 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Термодинамика твердых тел Кл.слова (ненормированные): математическое моделирование -- металлические пленки -- температурные профили -- импульсный фотонный отжиг -- фотонный отжиг -- термический пик -- уравнения теплопроводности -- некогерентное световое облучение -- электронные подсистемы -- фононные подсистемы -- тепловой контакт -- алюминий Аннотация: В рамках модели термического пика получено точное решение системы уравнений теплопроводности для электронной и фононной подсистем и определена температура пленки, подверженной некогерентному световому облучению. Проанализированы степень влияния теплового контакта с окружением, затухания электромагнитного излучения на пространственное распределение температуры в пленке алюминия. Даны рекомендации по выбору оптимального режима фотонного отжига. Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2014/12/p8-12.pdf Доп.точки доступа: Шуба, А. В.; Воронежский государственный технический университетВоронежский государственный технический университет |