Мурзин, С. С. Сопротивление двумерных систем в магнитном поле при факторе заполнения ню=1/2 [Текст] / С. С. Мурзин // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2008. - Т. 88, вып: вып. 11. - С. 860-861
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): двумерные системы -- магнитное поле -- удельное сопротивление -- гетероструктуры -- GaAs/AlGaAs Аннотация: Произведено сравнение с предсказанием теорий имеющихся в литературе экспериментальных данных для диагонального удельного сопротивления (ро [xx]) гетероструктур GaAs/AlGaAs в магнитном поле при факторе заполнения ню=1/2. Обнаружено, что экспериментальные результаты не согласуются с этим предсказанием. |
Мурзин, С. С. О границах фаз целочисленного квантового эффекта Холла [Текст] / С. С. Мурзин // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 89, вып: вып. 6. - С. 347-349
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): целочисленный квантовый эффект Холла -- Холла целочисленный квантовый эффект -- теория двухпараметрического скейлинга -- магнитное поле Аннотация: Отмечено, что в рамках теории двухпараметрического скейлинга положение фаз целочисленного квантового эффекта Холла (ЦКЭХ) на оси магнитных полей при омега[c]тау ~меньше 1 не определяется значениями фактора заполнения ню=nh/eB. Положение фаз ЦКЭХ задается затравочной холловской проводимостью сигма[xy]\{0\}. В связи с этим показано, что диагональное сопротивление в магнитном поле, измеренное в работе Phys. Rev. B 64, 161308 (2001), не демонстрирует переходов между состояниями ЦКЭХ с сигма[xy]=3, 4 и 6, с одной стороны, и диэлектрическим состоянием, с другой стороны, в противоположность тому, что заявляют авторы. |
Мурзин, С. С. О границах фаз целочисленного квантового эффекта Холла. II [Текст] / С. С. Мурзин // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 91, вып: вып. 3. - С. 166-168
Рубрики: Физика Квантовая механика Кл.слова (ненормированные): квантовый эффект Холла -- Холла квантовый эффект -- холловская проводимость -- диэлектрическая фаза -- фазовые переходы -- диагональное сопротивление -- квантовые поправки Аннотация: Показано, что утверждения о наблюдении переходов между диэлектрической фазой и фазами целочисленного квантового эффекта Холла с квантовыми значениями холловской проводимости сигма\{q\}[xy] больше/равно 3 e\{2\}/h, сделанные в ряде работ, необоснованны. За критические точки фазовых переходов в этих работах принимаются точки пересечения зависимостей диагонального сопротивления ро[xx] от магнитного поля при различных температурах T при омега[c]тау=1. На самом деле эти точки пересечения обусловлены изменением знака производной d ро [xx]/dT при омега [c] тау =1 в результате влияния квантовых поправок на проводимость. Здесь омега[c]=eB/m - циклотронная частота, тау - транспортное время релаксации, m - эффективная масса электрона. |
538.9 Д 692 Дорожкин, С. И. Наблюдение кроссовера от слабой локализации к антилокализации в температурной зависимости сопротивления двумерной системы со спин-орбитальным взаимодействием / С. И. Дорожкин, А. А. Капустин, С. С. Мурзин // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2013. - Т. 97, вып. 3. - С. 170-175
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): двумерные системы -- спин-орбитальное взаимодействие -- сопротивление -- температурная зависимость сопротивления -- эффекты локализации -- электрон-электронное взаимодействие -- кремниевые полевые транзисторы Аннотация: В дырочных каналах кремниевых полевых транзисторов обнаружена немонотонная температурная зависимость сопротивления с максимумом в интервале температур 2-4 К, положение которого зависит от плотности дырок. На основании измерений знакопеременного аномального магнетосопротивления получены значения времени спин-орбитальной релаксации дырок и температурные зависимости времени сбоя фазы электронной волны. Используя эти параметры, немонотонную температурную зависимость сопротивления удается описать формулами теории слабой локализации. Продемонстрировано, что, в отличие от широко распространенного представления, существует область параметров, в которой электрон-электронное взаимодействие не меняет антилокализационного (металлического) типа температурной зависимости сопротивления. Доп.точки доступа: Капустин, А. А.; Мурзин, С. С.; Институт физики твердого тела РАН (Черноголовка); Институт физики твердого тела РАН (Черноголовка)Институт физики твердого тела РАН (Черноголовка) |