535 К 930 Курдиани Н.И (???? 1). Особености фотопроводимости компенсированного i-GaAs в области спектра hvEg [Текст] / Курдиани Н.И, Н. К. Метревели, Л. Г. Хавтаси, Н. Н. Чиковани // Известия вузов. Физика. - 2003. - N4. - Библиогр.: 6 назв. . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика--Оптика Кл.слова (ненормированные): окись хрома -- спектр hvEg -- теория Де-Вора -- токовая фоточуствительность -- фотопроводимость Аннотация: Исследована фотоповодимость полуизолирующего GaAs, компенсированного окисью хрома. Показано, что после соответствующей термообработки токовая фоточуствительность образца в области энергий квантов, превышающих ширину запрещенной зоны, достигает больших значений, что не согласуется с теорией Де-Вора. Эти большие значения связываются со снижением скорости поверхностной рекомбинации из-за присутствия кислорода в i-GaAs.Высокая тонкая фоточувствительность простирается до спектральной области. Исследовано влияние облучения кристаллов частицами высоких энергий на спектральное распределение фотопроводимости в области энергий фотонов hv>Eg. Показано, что облучение электронами и квантами приводит к увеличению фототока. Облучение нейтронами обусловливает уменьшение фототока в коротковолновой области спектра согласно теории Де-Вора Перейти: http://www.tsu.ru/ru/derision/physics.phtml/ Доп.точки доступа: Метревели, Н.К.; Хавтаси, Л.Г.; Чиковани, Н.Н. |