531 Е 413 Ежовский, Ю. К. Количественная оценка реакционной способности поверхности твордых тел на основе индуктивных постоянных [Текст] / Ю. К. Ежовский // Успехи химии. - 2004. - Т. 73, N 2. - Библиогр.: с. 217-218 (33 назв. ) . - ISSN 0042-1308
Рубрики: Механика--Механика твердых тел Кл.слова (ненормированные): твердые тела -- макромолекулярная концепция -- поверхностные химические реакции -- индуктивные постоянные -- индуктивный эффект -- кремнеземная матрица -- дегидратация -- дисперсные оксиды -- монокристаллические матрицы -- гидроксилированная поверхность -- оксидный слой -- кремний Аннотация: На основе макромолекулярной концепции строения твердых тел обсуждена возможность использования корреляционного анализа и значений индуктивных постоянных для количественной оценки реакционной способности поверхности твердых веществ и прогнозирования характера поверхностных реакций. Приведены результаты экспериментальных исследований реакционного ряда некоторых твердых оксидов и монокристаллических матриц, подтверждающие перспективность рассмотренного подхода. |
539.2 Е 413 Ежовский, Ю. К. Характеристики границы раздела и свойства нанослоев оксидов хрома на арсениде галлия [Текст] / Ю. К. Ежовский, авт. А. Л. Егоров // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, вып. 9. - С. 1563-1567. - Библиогр.: с. 1567 (19 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): арсенид галлия; атомно-слоевое осаждение; метод молекулярного наслаивания; оксид хрома; оксид хрома на арсениде галлия; ультратонкие хромоксидные слои Аннотация: Представлены результаты исследования электрофизических свойств ультратонких хромоксидных слоев (наноструктур), синтезированных на поверхности арсенида галлия (100) и (110) методом молекулярного наслаивания (атомно-слоевого осаждения). Установлено влияние технологических факторов и состава слоев на характеристики границы раздела полупроводник-диэлектрик. Доп.точки доступа: Егоров, А. Л. |
546 Е 413 Ежовский, Ю. К. Получение и свойства нанослоев оксидов хрома на полупроводниковых материалах [Текст] / Ю. К. Ежовский, авт. В. Ю. Холкин // Журнал физической химии. - 2008. - Т. 82, N 7. - С. 1304-1309. - Библиогр.: c. 1308-1309 (18 назв. ) . - ISSN 0044-4537
Рубрики: Химия Химические элементы и их соединения Кл.слова (ненормированные): оксиды хрома -- нанослои оксидов хрома -- кремний -- арсенид галлия -- наноструктуры -- ультратонкие хромоксидные слои Аннотация: На поверхности кремния и арсенида галлия с ориентациями (100) и (110) методом молекулярного наслаивания (атомно-слоевого осаждения) осуществлен синтез ультратонких хромоксидных слоев (наноструктур). Доп.точки доступа: Холкин, В. Ю. |
544.6 Е 413 Ежовский, Ю. К. Поверхностные наноструктуры на основе оксидов тантала и алюминия [Текст] / Ю. К. Ежовский // Журнал физической химии. - 2010. - Т. 84, N 2. - С. 314-320. - Библиогр.: c. 320 (17 назв. ) . - ISSN 0044-4537
Рубрики: Химия Электрохимия Кл.слова (ненормированные): ALD-технологии -- алюминиевая матрица -- алюминий -- диэлектрические характеристики -- кремний -- метод молекулярного наслаивания -- наноструктуры -- оксиды -- тантал Аннотация: Проведена оценка диэлектрических характеристик синтезированных наноструктур. |
546 Е 413 Ежовский, Ю. К. Формирование и некоторые свойства нанослоев АI[2]0[3] и Si0[2] на полупроводниках A{III}B{V} [Текст] / Ю. К. Ежовский, авт. В. Ю. Холкин // Неорганические материалы. - 2010. - Т. 46, N 1. - С. 44-48 : Рис. 3, табл. 2. - Библиогр.: с. 48 (16 назв. ) . - ISSN 0002-337Х
Рубрики: Химия Химические элементы и их соединения Химия твердого тела Кл.слова (ненормированные): нанослои -- алюминий -- оксид кремния -- наноструктуры -- диэлектрические пленки Аннотация: Рассмотрен процесс формирования нанослоев оксидов кремния и алюминия, полученных методом атомно-слоевого осаждения (ALD-технология) на поверхности GaAs, InAs и InSb. Доп.точки доступа: Холкин, В. Ю. |
544.72 Е 413 Ежовский, Ю. К. Атомно-слоевое осаждение халькогенидов кадмия на кремнии / Ю. К. Ежовский // Журнал физической химии. - 2014. - Т. 88, № 9. - С. 1413-1418. - Библиогр.: c. 1418 (14 назв. ) . - ISSN 0044-4537
Рубрики: Химия Физическая химия поверхностных явлений Кл.слова (ненормированные): атомно-слоевое осаждение -- кремний -- селенид -- халькогениды кадмия Аннотация: Представлены обобщенные результаты по синтезу ультратонких слоев селенида и теллурида кадмия методом атомно-слоевого осаждения на поверхности кремния различной ориентации. Установлены основные закономерности хемосорбции компонентов и условия слоевого роста при формировании наноструктур указанных соединений. Доп.точки доступа: Санкт-Петербургский государственный технологический институт (технический университет) |