539.2 Г 38 Германенко, А. В. Влияние шероховатости гетероструктур на слабую локализацию [] / А. В. Германенко, Г. М. Миньков [и др.] // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 1. - С. 128-135. - Библиогр.: с. 135 (13 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры; двумерные гетероструктуры; интерференционная квантовая поправка; квантовая поправка; квантовые ямы; локализация; магнитосопротивление; нанофотоника; отрицательное магнитосопротивление; поперечное магнитосопротивление; поправка; сопротивление; структуры; шероховатость; ямы Аннотация: В структурах GaAs/In (x) Ga (1-x) As/GaAs с одиночной квантовой ямой исследовано влияние продольного магнитного поля на поперечное отрицательное магнитосопротивление, вызванное подавлением интерференционной квантовой поправки. Доп.точки доступа: Миньков, Г. М.; Рут, О. Э.; Ларионова, В. А.; Звонков, Б. Н.; Шашкин, В. И.; Хрыкин, О. И.; Филатов, Д. О. |
Слабополевая аномалия эффекта Холла в разупорядоченных двумерных системах [Текст] / А. В. Германенко [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып: вып. 11. - С. 1478-1482 : ил. - Библиогр.: с. 1481 (12 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): эффект Холла -- Холла эффект -- холловское сопротивление -- магнитные поля -- квантовые ямы -- двумерные системы Аннотация: Работа посвящена исследованию нелинейного поведения холловского сопротивления в малых магнитных полях. Исследуя двумерный электронный газ в одиночных квантовых ямах GaAs/In[x]Ga[1-x]As/GaAs, мы показали, что аномалия эффекта Холла в разупорядоченных системах может быть описана при учете квантовых поправок к проводимости 2-го порядка. Доп.точки доступа: Германенко, А. В.; Миньков, Г. М.; Рут, О. Э.; Солдатов, И. В.; Шестобитов, А. А. |
621.315.592 М 540 Металлическая проводимость в асимметричных квантовых ямах p-In[x]Ga[1-x]As [Текст] / А. В. Германенко [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 2. - С. 236-239. - Библиогр.: c. 239 (16 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): температурная зависимость -- двумерный дырочный газ -- проводимость -- металлическая температурная зависимость -- асимметричное легирование -- эффект Бычкова-Рашбы -- квантовые ямы -- Бычкова-Рашбы эффект -- экспериментальные исследования Аннотация: Исследована температурная зависимость двумерного дырочного газа в асимметричной квантовой яме GaAs/Ga[1-x]As/GaAs. Показано, что быстрая спиновая релаксация приводит к металлическому ходу температурной зависимости проводимости. Доп.точки доступа: Германенко, А. В.; Миньков, Г. М.; Рут, О. Э.; Шерстобитов, А. А.; Звонков, Б. Н. |
537.591.5 Р 369 Релятивистские СКЛ в событиях 19-го солнечного цикла [Текст] / Э. В. Вашенюк [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 3. - С. 318-320. - Библиогр.: c. 320 (8 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Электричество и магнетизм в целом Кл.слова (ненормированные): динамика РСП -- солнечные циклы -- крупные события СКЛ -- нейтронные мониторы -- ударные волны -- релятивистские солнечные протоны -- РСП -- солнечные космические лучи -- солнечные протонные события -- спектры солнечных протонов Аннотация: Проводится анализ двух крупных событий СКЛ на уровне земли 19-го солнечного цикла: 4 мая и 12 ноября 1960 г. Доп.точки доступа: Вашенюк, Э. В.; Балабин, Ю. В.; Гвоздевский, Б. Б.; Германенко, А. В. |
621.315.592 Р 395 Ренормализация вклада электрон-электронного взаимодействия в проводимость двумерного электронного газа [Текст] / А. В. Германенко [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2010. - Т. 74, N 1. - С. 81-83. - Библиогр.: c. 83 (8 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): двумерный электронный газ -- квантовые ямы -- магнитные поля -- проводимость -- продольное сопротивление -- температурная зависимость -- теория ренорм-групп -- холловское сопротивление -- экспериментальные исследования -- электрон-электронное взаимодействие Аннотация: Экспериментально исследован вклад электрон-электронного взаимодействия в проводимость двумерного электронного газа в квантовых ямах In[x]Ga[1-x]As с различной степенью беспорядка. Доп.точки доступа: Германенко, А. В.; Миньков, Г. М.; Рут, О. Э.; Шерстобитов, А. А. |
537.533/.534 Д 250 Двумерный полуметалл в широких квантовых ямах HgTe: энергетический спектр носителей и магнитотранспорт / А. В. Германенко [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 12. - С. 1586-1590 : ил. - Библиогр.: с. 1589-1590 (20 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): экспериментальные исследования -- результаты исследований -- магнитосопротивление -- эффект Холла -- Холла эффект -- эффект Шубникова - де-Гааза -- Шубникова - де-Гааза эффект -- полупроводниковые гетероструктуры -- квантовые ямы -- теллурид ртути -- двумерные полуметаллы -- 2D полуметаллы -- полевые электроды -- энергетические спектры -- электроны -- дырки -- экспериментальные данные -- размерное квантование -- дисперсия -- носители заряда Аннотация: Представлены результаты экспериментальных исследований магнитосопротивления, эффекта Холла и эффекта Шубникова-де-Гааза, выполненных на полупроводниковых гетероструктурах с одиночной квантовой ямой бесщелевого полупроводника HgTe шириной 20. 2 нм. Исследования проведены на образцах с полевым электродом в широком диапазоне концентраций и дырок. Анализ экспериментальных данных позволил реконструировать энергетический спектр электронов и дырок вблизи экстремумов подзон размерного квантования. Показано, что закон дисперсии носителей заряда в исследованных системах отличается от закона, рассчитанного в рамках стандартной kp-модели. The results of experimental study of the magnetoresistivity, the Hall and Shubnikov-de Haas effects for the heterostructure with HgTe quantum well of 20. 2 nm width are reported. The measurements were performed on the gated samples over the wide range of electron and hole densities. Analyzing the data we conclude that the energy spectrum for charge carriers is drastically different from that calculated in the framework of k p-model. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/12/p1586-1590.pdf Доп.точки доступа: Германенко, А. В.; Миньков, Г. М.; Рут, О. Э.; Шестобитов, А. А.; Дворецкий, С. А.; Михайлов, Н. Н.; Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б. Н. Ельцина (Екатеринбург); Институт физики металлов Уральского отделения Российской академии наук (Екатеринбург); Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б. Н. Ельцина (Екатеринбург); Институт физики металлов Уральского отделения Российской академии наук (Екатеринбург); Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук (Новосибирск); Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук (Новосибирск)Нанофизика и Наноэлектроника, симпозиум (2013 ; Нижний Новгород) |