621.315.592 Б 243 Баранский, П. И. Метод определения степени компенсации электрически активных примесей в многодолинных полупроводниках / П. И. Баранский, авт. Г. П. Гайдар // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 6. - С. 737-739 : ил. - Библиогр.: с. 739 (5 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): активные примеси -- многодолинные полупроводники -- степень компенсации -- метод определения степени компенсации -- кристаллы -- монокристаллы -- электронный газ Аннотация: Предложен метод определения степени компенсации k=N[a]/N[d] для примесей мелкого залегания в кристаллах n-Si с невырожденным электронным газом. Приведены необходимые данные, которые обеспечивают удобство при практическом нахождении степени компенсации. The method for determination of the compensation factor k=N[a]/N[d] for the shallow impurities in the crystals of n- Si with a non degenerate electron gas has been proposed. The necessary data, which provide the convenience for the practical finding of compensation factor, are represented. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/06/p737-739.pdf Доп.точки доступа: Гайдар, Г. П. |
539.2 Г 147 Гайдар, Г. П. Кинетика электронных процессов в gamma-облученных ({60}Co) монокристаллах n-Ge / Г. П. Гайдар // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 9. - С. 1171-1175 : ил. - Библиогр.: с. 1175 (10 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): электрофизические параметры -- gamma-облучение -- монокристаллы -- уровни легирования -- носители зарядов -- подвижность -- примеси -- кислород -- кристаллы -- отжиг -- кристаллографическая ориентация Аннотация: Исследованы изменения основных электрофизических параметров под влиянием gamma-облучения ({60}Co) в монокристаллах n-Ge с разным уровнем легирования. В определенном концентрационном интервале легирующей примеси обнаружено заметное повышение подвижности носителей заряда в облученных образцах и предложено объяснение природы полученного эффекта. Показано, что изменения подвижности электронов под влиянием gamma-облучения, которые возникают в исходных кристаллах n-Ge с примесью кислорода и в кристаллах, подвергнутых отжигу, противоположны по знаку. Установлена решающая роль кислородных комплексов, которые образуются в процессе термообработки в образцах, и локальных механических напряжений решетки в окрестности таких комплексов в появлении эффекта радиационно-стимулированного повышения подвижности. Выяснено, что радиационная стойкость подвижности электронов существенным образом зависит от кристаллографической ориентации исследуемых образцов. The changes in the main electrical parameters under the influence of gamma-irradiation ({60}Co) of n-Ge single crystals at various levels of doping were investigated. The significant increase in the charge carriers mobility in the irradiated samples was found in a certain concentration range of the dopant and the explanation of the obtained effect nature was proposed. It was shown that changes in the mobility of electrons under the influence of ? - irradiation in the initial n-Ge crystals with oxygen impurity and in the annealed crystals were opposite in sign. The decisive role of the oxygen complexes, formed under the heat treatment in the samples, and of the local mechanical stresses of the lattice in the vicinity of these complexes for the appearance of the effect of radiation-stimulated increase of the mobility was established. It was found that the radiation hardness of the electron mobility strongly depends on the crystallographic orientation of the investigated samples. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/09/p1171-1175.pdf Доп.точки доступа: Институт ядерных исследований Национальной академии наук Украины |