539.2 Б 24 Баранов, П. Г. Зондирование волновой функции мелких доноров и акцепторов в карбиде кремния и кремнии путем исследования кристаллов с измененным изотопным составом методом электронного парамагнитного резонанса [Текст] / П. Г. Баранов, Б. Я. Бер [и др.] // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 12. - С. 2127-2141. - Библиогр.: с. 2141 (32 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): p-орбитали; s-орбитали; акцепторы; волновые функции; зондирование волновой функции; изотопы; карбид кремния; кремний; кристаллы; мелкие доноры; полупроводники; электронный парамагнитный резонанс; ЭПР; ядерный магнитный момент Аннотация: Изучено пространственное распределение волновых функций неспаренных электронов мелких доноров N в кристаллах SiC и мелких доноров P и As в кристаллах кремния путем исследования сответствующих кристаллов с измененным содержанием изотопов {29}Si и {13}C, имеющих ядерный магнитный момент. Показано, что распределение донорного электрона в SiС существенно зависит от политипа и кристаллического положения: в 4H-SiC неспаренный электрон распределен главным образом на s- и p-орбиталях Si, тогда как в 6H-SiC электрон преимущественно локализован на s-орбиталях C. Доп.точки доступа: Бер, Б. Я.; Годисов, О. Н.; Ильин, И. В.; Ионов, А. Н.; Мохов, Е. Н.; Музафарова, М. В.; Калитеевский, А. К.; Калитеевский, М. А.; Копьев, П. С. |
53 Б 241 Баранов, П. Г. Индуцированная оптическим и радиочастотным резонансным излучением спиновая поляризация вакансии Si в SiC: перспективном объекте для спектроскопии одиночных дефектов [Текст] / П. Г. Баранов, А. П. Бундакова [и др.] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 86, N 3. - С. 231-235 . - ISSN 0370-274X
Рубрики: Физика--Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): кремний -- карбид кремния -- вакансии кремния в карбиде кремния -- спиновая поляризация вакансии -- спектроскопия одиночных дефектов Аннотация: Наблюдались две противоположные схемы оптического выстраивания населенностей спиновых подуровней в основном состоянии вакансии Si в SiC при облучении неполяризованным светом на частотах безфононных линий, зависящие от температуры, политипа кристалла и кристаллической позиции. Обнаружено гигантское, достигающее 2-3 раз, изменение интенсивности люминесценции безфононных линий в нулевом магнитном поле при поглощении радиочастного излучения с энергией, равной расщеплению тонкой структуры спиновых подуровней основного состояния вакансии, что открывает возможности для регистрации магнитного резонанса на одиночной вакансии. Доп.точки доступа: Бундакова, А. П.; Боровых, И. В.; Орлинский, С. Б.; Зондерван, Р.; Шмидт, Я. |
539.2 А 900 Асатрян, Г. Р. Электронный парамагнитный резонанс ионов Er{3+} в поликриталлическом альфа-Al[2]O[3] [Текст] / Г. Р. Асатрян, Р. И. Захарченя [и др.] // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 6. - С. 1021-1025. - Библиогр.: с. 1025 (5 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): метод золь-гель-технологии; поликристаллический корунд; спектры ЭПР; электронный парамагнитный резонанс; ЭПР; эрбий Аннотация: Обнаружены спектры ЭПР редкоземельных ионов Er{3+} в поликриталлическом корунде альфа-Al[2]O[3], синтезированном методом золь-гель-технологии. Показано, что спектры ЭПР принадлежат ионам Er{3+} в основном состоянии, соответствующем нижнему штарковскому подуровню подтерма{4}I[15/2], и описываются спиновым гамильтонианом аксиальной симметрии с эффективным спином S = 1/2 и g-тензором. Средняя величина g-тензора равная 6. 82 соответствует состоянию Г[7] в кубическом поле. Предполагается, что в кристалле корунда Al[2]O[3] эрбий замещает алюминий, при этом, несмотря на очевидное раздвижение решетки вокруг иона Er{3+}, сохраняется локальная симметрия C[3] иона Al[2]O[3]. Доп.точки доступа: Захарченя, Р. И.; Куценко, А. Б.; Бабунц, Р. А.; Баранов, П. Г. |
Обнаружение и идентификация азотных центров в наноалмазах методами электронного парамагнитного резонанса [Текст] / П. Г. Баранов [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 89, вып: вып. 8. - С. 473-477
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): электронный парамагнитный резонанс -- нанокристаллы -- наноалмаз -- азотные центры -- синтетические алмазные нанокристаллиты Аннотация: Методами высокочастотного электронного парамагнитного резонанса обнаружены и идентифицированы одиночные центры азота N\{0\} и азотные пары N[2]\{+\} в нанокристаллах природного алмаза. Центры азота N\{0\} наблюдались в синтетических алмазных нанокристаллитах размером менее 10 нм, полученных путем высокотемпературного спекания при высоких давлениях детонационных наноалмазов. Таким образом, доказана возможность стабильного состояния примесных атомов азота внутри алмазных наночастиц. Доп.точки доступа: Баранов, П. Г.; Ильин, И. В.; Солтамова, А. А.; Вуль, А. Я.; Кидалов, С. В.; Шахов, Ф. М.; Мамин, Г. В.; Орлинский, С. Б.; Салахов, М. Х. |
Обнаружение методом электронного парамагнитного резонанса гигантской концентрации азотно-вакансионных дефектов в детонационных наноалмазах, подвергнутых спеканию [Текст] / А. А. Солтамова [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 92, вып: вып. 2. - С. 106-110
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): электронный парамагнитный резонанс -- детонационные наноалмазы -- наноалмазы -- азотно-вакансионные дефекты Аннотация: Методом электронного парамагнитного резонанса (ЭПР) обнаружена гигантская концентрация азотно-вакансионных дефектов в детонационном наноалмазе, подвергнутом спеканию при высоких давлении и температуре. Наблюдается высокая степень когерентности электронных спинов при комнатной температуре, а ориентационные зависимости спектров ЭПР свидетельствуют о полной ориентированности алмазной системы. Доп.точки доступа: Солтамова, А. А.; Ильин, И. В.; Шахов, Ф. М.; Кидалов, С. В.; Вуль, А. Я.; Явкин, Б. В.; Мамин, Г. В.; Орлинский, С. Б.; Баранов, П. Г. |
535.33 Б 403 Безрезонаторная схема оптической регистрации высокочастотного магнитного и циклотронного резонансов в полупроводниках и наноструктурах [Текст] / Р. А. Бабунц [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 19. - С. 37-43 : ил. - Библиогр.: с. 43 (7 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Спектроскопия Кл.слова (ненормированные): магнитный резонанс -- циклотронный резонанс -- оптическое детектирование магнитного резонанса -- ОДМР -- оптическое детектирование циклотронного резонанса -- ОДЦР -- оптическая регистрация -- безрезонаторные схемы -- полупроводники -- наноструктуры -- пространственное разрешение -- спектрометры -- квантовые точки -- квантовые ямы -- спиновые свойства -- кремний -- кристаллический кремний -- пленки кремния -- эффективные массы носителей -- лазерные лучи -- сфокусированные лазерные лучи -- ZnO -- CdMnTe Аннотация: Для оптического детектирования высокочастотного магнитного резонанса (ОДМР) и циклотронного резонанса (ОДЦР) с пространственным разрешением предложена безрезонаторная схема спектрометра ОДМР-ОДЦР с использованием квазиоптического микроволнового тракта. Продемонстрирована эффективность этой схемы для получения информации о спиновых свойствах квантовых точек ZnO и квантовых ям CdMnTe, а также об эффективных массах носителей в пленках кристаллического кремния с пространственным разрешением в пределах сфокусированного лазерного луча. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/19/p37-43.pdf Доп.точки доступа: Бабунц, Р. А.; Бадалян, А. Г.; Романов, Н. Г.; Гурин, А. С.; Толмачев, Д. О.; Баранов, П. Г. |
539.2 И 292 Идентификация вакансии азота в монокристалле AlN: исследования методами ЭПР и термолюминесценции [Текст] / В. А. Солтамов [и др.] // Физика твердого тела. - 2011. - Т. 53, вып. 6. - С. 1121-1125. - Библиогр.: с. 1125 (10 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): парамагнитный резонанс -- термолюминесценция -- электронные структуры -- монокристаллы -- азот -- нитрид алюминия Аннотация: С помощью совместных исследований электронного парамагнитного резонанса и термолюминесценции установлена электронная структура вакансии азота в специально не легированных монокристаллах нитрида алюминия и определена глубина залегания донорного уровня этой вакансии в запрещенной зоне, равная ~75 meV. Доп.точки доступа: Солтамов, В. А.; Ильин, И. В.; Солтамова, А. А.; Толмачев, Д. О.; Мохов, Е. Н.; Баранов, П. Г. |
538.9 Э 949 Эффект пространственного ограничения и воздействие избыточного заряда на градиент электрического поля в ZnO / Ю. С. Кутьин [и др.] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2012. - Т. 95, вып. 9. - С. 534-539
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): кристаллы -- ZnO -- электрическое поле -- градиент электрического поля -- двойной электрон-ядерный резонанс Аннотация: Методом ДЭЯР показано, что примесь Al, образующая мелкий донор, в объемном кристалле ZnO приводит к резкому уменьшению градиента электрического поля. При этом в квантовой точке ZnO градиент электрического поля на Al остается практически неизменным. При замещении Zn\{2+\} на Mn\{2+\} в монокристалле ZnO градиент электрического поля увеличивается незначительно (на ~20%). Таким образом, Mn\{2+\} является естественным зондом для мониторинга градиентов электрических полей в кристаллах. Доп.точки доступа: Кутьин, Ю. С.; Мамин, Г. В.; Орлинский, С. Б.; Бундакова, А. П.; Баранов, П. Г. |
539.2 Э 725 ЭПР-диагностика лазерных материалов на основе кристаллов ZnSe, активированных переходными элементами / Д. Д. Крамущенко [и др.]. // Физика твердого тела. - 2013. - Т. 55, вып. 2. - С. 234-242 : 6 рис. - Библиогр. в конце ст. (21 назв.) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): ЭПР -- железо -- квантовая электроника -- кобальт -- кристаллография в целом -- лазерные материалы -- переходные элементы -- селенид цинка -- хром -- электронный парамагнитный резонанс Аннотация: Проведен анализ и идентификация спектров электронного парамагнитного резонанса, наблюдавшихся в лазерных материалах на основе кристаллов селенида цинка ZnSe, активированных переходными элементами. Доп.точки доступа: Крамущенко, Д. Д.; Ильин, И. В.; Солматов, В. А.; Баранов, П. Г.; Калинушкин, В. П.; Студеникин, М. И.; Данилов, В. П.; Ильичев, Н. Н.; Шапкин, П. В.; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН; Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН (Москва); Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН (Москва); Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН (Москва); Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН (Москва); Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН (Москва) |